本实用新型专利技术公开了一种新结构薄型桥式整流器，该整流器框架为共阴极结构，和玻璃钝化硅芯片、铜跳线组成整流桥电路，框架晶粒焊点位置不做特殊处理，去掉凸点、网面等定位标志，芯片均呈P面朝上。本实用新型专利技术的有益效果：结构简单，通过结构上的改动解决了目前装填技术上效率低的问题；料片焊面平整光洁，解决了焊接空洞率偏大、可信赖性不佳的问题。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种新结构薄型桥式整流器，该整流器框架为共阴极结构，和玻璃钝化硅芯片、铜跳线组成整流桥电路，框架晶粒焊点位置不做特殊处理，去掉凸点、网面等定位标志，芯片均呈P面朝上。本技术的有益效果：结构简单，通过结构上的改动解决了目前装填技术上效率低的问题；料片焊面平整光洁，解决了焊接空洞率偏大、可信赖性不佳的问题。【专利说明】新结构薄型桥式整流器
本技术涉及一种半导体整流器件领域，特别涉及一种新结构薄型桥式整流器。
技术介绍
近年来，随着政府刺激内需政策效应的逐渐显现以及国际经济形势的好转，整流桥下游行业进入新一轮景气周期从而带来整流桥市场需求的膨胀，整流桥盈利发展能力稳步提升。同时，在国家“十二五”规划和产业结构调整的大方针下，整流桥面临巨大的市场投资机遇，前途一片光明，但目前的产品普遍整体结构较大，可信赖性一般，无法交付高可信赖性需求客户使用要求。 参阅图1A、图1B，两种新结构铜框架，图1A焊点位置无定位标识，料片焊点位置平整光洁，材料焊接空洞较小，可信赖性较高，图1B焊点位置有定位标识6，料片焊点位置不平整，材料焊接空洞较大，可信赖性较低。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题，特别创新地提出了一种新结构薄型桥式整流器。该桥式框架在保证原性能的情况下解决了上述问题。 为了实现本技术的上述目的，本技术提供了一种新结构薄型桥式整流器，该整流器框架为共阴极结构，其关键在于，包括:铜框架1、玻璃钝化硅芯片2、铜跳线3。 铜框架I带有四只引脚5，四只引脚5均位于铜料片I 一侧；玻璃钝化硅芯片2位于铜料片I和铜跳线3之间，通过焊料与铜料片I和铜跳线3固定；铜料片1、铜跳线3及玻璃钝化硅芯片2均包裹在环氧树脂注塑封装的塑封体4内，仅铜料片I的四只引脚5外露，其中玻璃钝化硅芯片2均呈P面超上。 所述的新结构薄型桥式整流器，优选的，包括所述四个引脚5在塑封体中蚀刻凹槽。 所述的新结构薄型桥式整流器，优选的，包括:分别设置四个铜跳线3将铜料片I连接。 综上所述，由于采用了上述技术方案，本技术的有益效果是: 结构简单，通过结构上的改动解决了目前装填技术上效率低的问题；料片晶粒面平整光洁，解决了焊接空洞率偏大、可信赖性不佳的问题。 本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。 【专利附图】【附图说明】 本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中: 图1A为现有技术结构料片及成品焊接空洞示意图； 图1B为现有技术同形状焊点做成网面的料片及成品焊接空洞示意图； 图2为本技术新结构薄型桥式整流器框架和芯片结合示意图； 图3为本技术新结构薄型桥式整流器成品剖开环氧塑封体的结构示意图。 【具体实施方式】 下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。 在本技术的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底” “内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。 在本技术的描述中，除非另有规定和限定，需要说明的是，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。 如图2所示，该框架为共阴极结构，和玻璃钝化硅芯片，框架晶粒焊点位置不做特殊处理，去掉凸点、网面等定位标志，芯片均呈P面朝上。 参阅图2、图3，本实用的成品结构，该整流器包括铜框架1、玻璃钝化硅芯片2、铜跳线3，铜框架I带有四只引脚5，四只引脚5均位于铜框架I 一侧；玻璃钝化硅芯片2均呈P面超上，位于铜框架I和铜跳线3之间，通过焊料与铜框架I和铜跳线3固定；铜框架1、铜跳线3及玻璃钝化硅芯片2均包裹在环氧树脂注塑封装的塑封体4内，仅铜框架I的四只引脚5外露。 由于本技术采用了新结构料片，料片结构简单晶粒均呈P面朝上，相对于传统框架，晶粒批量装填效率提升30%以上，框架焊点平整处理，焊接空洞较小，芯片受应力小，材料可信赖性更高，完全适应客户对材料高可信赖性的需求，解决了客户使用中困扰。 在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。 尽管已经示出和描述了本技术的实施例，本领域的普通技术人员可以理解，在不脱离本技术的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由权利要求及其等同物限定。【权利要求】1.一种新结构薄型桥式整流器，该整流器框架为共阴极结构，其特征在于，包括:铜框架(I)、玻璃钝化硅芯片(2)、铜跳线(3)， 铜框架⑴带有四只引脚(5)，四只引脚(5)均位于铜料片⑴一侧；玻璃钝化硅芯片2位于铜料片(I)和铜跳线(3)之间，通过焊料与铜料片(I)和铜跳线(3)固定；铜料片(1)、铜跳线(3)及玻璃钝化硅芯片(2)均包裹在环氧树脂注塑封装的塑封体(4)内，仅铜料片⑴的四只引脚(5)外露，其中玻璃钝化硅芯片(2)均呈P面朝上。2.根据权利要求1所述的新结构薄型桥式整流器，其特征在于，包括所述四只引脚(5)在塑封体中蚀刻凹槽。3.根据权利要求1所述的新结构薄型桥式整流器，其特征在于，包括:分别设置四个铜跳线⑶将铜料片⑴连接。【文档编号】H01L23/31GK204257631SQ201420719053【公开日】2015年4月8日 申请日期:2014年11月25日 优先权日:2014年11月25日 【专利技术者】潘宜虎, 李云琦, 安国星 申请人:重庆平伟实业股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种新结构薄型桥式整流器，该整流器框架为共阴极结构，其特征在于，包括：铜框架(1)、玻璃钝化硅芯片(2)、铜跳线(3)，铜框架(1)带有四只引脚(5)，四只引脚(5)均位于铜料片(1)一侧；玻璃钝化硅芯片2位于铜料片(1)和铜跳线(3)之间，通过焊料与铜料片(1)和铜跳线(3)固定；铜料片(1)、铜跳线(3)及玻璃钝化硅芯片(2)均包裹在环氧树脂注塑封装的塑封体(4)内，仅铜料片(1)的四只引脚(5)外露，其中玻璃钝化硅芯片(2)均呈P面朝上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：潘宜虎，李云琦，安国星，
申请(专利权)人：重庆平伟实业股份有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆;85
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