一种LED垂直结构的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种LED垂直结构的制备方法，以衬底或带有低温GaN缓冲层的衬底作为生长基础，依次生长U-GaN及其他各层外延，完成LED外延片的生长。步骤包括：(1)U-GaN层生长结束后，进行湿法腐蚀，刻蚀至所述生长基础的表面；(2)继续生长U-GaN，新的U-GaN会直接在刻蚀过的U-GaN上进行生长，在所述生长基础的表面的U-GaN处留下倒金字塔结构；然后，在U-GaN表面依次生长其他各层外延，制得LED外延片；(3)将LED外延片制成垂直结构LED：在LED外延片表面沉积形成反射镜，并制出金属电极图形，利用高温金属键合工艺将金属电极图形表面键合在金属基板上，并利用常温超声技术剥离衬底；在U-GaN表面制出另一极金属电极图形。本发明专利技术提供的制备方法,能有效降低成本，提高效率。

【技术实现步骤摘要】
一种LED垂直结构的制备方法
: 本专利技术属于半导体器件制备技术，具体涉及一种LED垂直结构的制备方法。
技术介绍
: 目前，全球已步入“节能时代”，各国都在积极寻找节能环保的新型产业，照明消耗的能源占全部能源消耗的20%以上，因此，降低照明用电是节省电力的重要途径。LED节能灯是新一代固态冷光源，具有低能耗、寿命长、易控制、安全环保等特点，是理想的节能环保产品，适用各种照明场所。然而，目前LED还未大规模进入普通照明，其主要原因之一是由于LED的性价比太低，市场需要快速提高LED性价比的方案。提高LED性价比的途径有两条，一是提高LED的发光效率，二是降低LED的生产成本。但是，效率的提升以及成本的下降速度，还是达不到市场对LED性价比的期待。然而垂直结构LED能够保证在一定的发光效率的前提下，采用较大的电流去驱动，这样一个垂直结构LED芯片可以相当于几个正装结构芯片，折合成本只有正装结构的几分之一。因此，垂直结构LED必然会加速LED应用于普通照明领域的进程，是市场所向，是半导体照明发展的必然趋势。 GaN基垂直结构LED工艺与正装结构LED工艺的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED垂直结构的制备方法，以衬底或带有低温GaN缓冲层的衬底作为生长基础，依次生长U‑GaN以及其他各层外延，完成LED外延片的生长；其特征在于：U‑GaN层生长结束后，进行湿法腐蚀，刻蚀至所述生长基础的表面；湿法腐蚀完成后，继续生长U‑GaN，新的U‑GaN会直接在刻蚀过的U‑GaN上进行生长，在所述生长基础的表面的U‑GaN处留下倒金字塔结构，即U‑GaN与所述生长基础的表面之间形成点接触；然后，在平整的U‑GaN表面依次生长其他各层外延，制备得到LED外延片；最后将LED外延片制成垂直结构LED，主要包括以下环节：在LED外延片表面沉积形成反射镜，并制出金属电极图形，利用高温金属键合...

【技术特征摘要】
1.一种1^0垂直结构的制备方法，以衬底或带有低温&^缓冲层的衬底作为生长基础，依次生长以及其他各层外延，完成[￡0外延片的生长；其特征在于: 层生长结束后，进行湿法腐蚀，刻蚀至所述生长基础的表面； 湿法腐蚀完成后，继续生长卜&^，新的会直接在刻蚀过的上进行生长，在所述生长基础的表面的处留下倒金字塔结构，即与所述生长基础的表面之间形成点接触；然后，在平整的表面依次生长其他各层外延，制备得到[￡0外延片； 最后将120外延片制成垂直结构1^0，主要包括以下环节:在1^0外延片表面沉积形成反射镜，并制出金属电极图形，利用高温金属键合工艺将金属电极图形表面键合在金属基板上，并利用常温超声技术剥离衬底；在表面制出另一极金属电极图形。2.根据权利要求1所述的[￡0垂直结构的制备方法，其特征在于:所述其他各层外延的生长是，在继续生长完成后，依次生长队圆1、以及9-(?队3.根据权利要求1或2所述的[￡0垂直结构的制备方法，其特征在于:所述湿法腐蚀采用熔融的1(0?或！！3？04进行腐蚀，并用去离子水清洗甩干。4.根据权利要求2所述的[￡0垂直结构的制备方法，其特征在于，将1^0外延片制成垂直结构120，包括以下步骤: 1)120外延片的？4抓表面清洗后，再去除？4抓表面的氧化层，用去离子水冲净，氮气吹干； 2)在？表面用光刻胶作？电极掩膜，然后用电子束蒸发台带胶蒸发沉积形成兼作欧姆接触层和反射镜的金属层，再用去胶剂剥离光刻胶以形成？型金属电极图形，然后进行快速退火，退火温度为350-4501 ； 3)利用高温金属键合工艺，在队环境下加压将？面键合在硅或铜或钨铜合金基板上； 4)利用常温超声技术剥离衬底； 5)在面上用光刻胶作~电极掩膜，采用10？对作表面处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡丹，宁磊，缪炳有，黄宏嘉，
申请(专利权)人：西安神光皓瑞光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61