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本发明涉及一种LED垂直结构的制备方法，以衬底或带有低温GaN缓冲层的衬底作为生长基础，依次生长U-GaN及其他各层外延，完成LED外延片的生长。步骤包括：(1)U-GaN层生长结束后，进行湿法腐蚀，刻蚀至所述生长基础的表面；(2)继续生长...
该专利属于西安神光皓瑞光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安神光皓瑞光电科技有限公司授权不得商用。

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