【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种ICP刻蚀机，尤其涉及一种ICP刻蚀机的圆形托盘。
技术介绍
所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展，广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。刻蚀最简单最常用分类是干法刻蚀和湿法刻蚀。干法刻蚀种类很多，包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。其优点是：各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。缺点是：成本高，设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程（如屏蔽式，下游式，桶式），纯物理过程（如离子铣），物理化学过程，常用的有反应离子刻蚀 RIE，离子束辅助自由基刻蚀 ICP 等。与其它刻蚀技术相比，ICP 刻蚀技术结构简单、性价比高、装置的环径比更大、装置更小型化且操作简单。同时 ICP 源具有至少在直径 20cm 范围内的均匀性，可独立控制离子密度和离子能量，已成为目前较为理想的等离子体源。目...
【技术保护点】
一种ICP刻蚀机的圆形托盘，其特征在于圆形托盘表面排列若干用于放置LED晶圆片的容置槽，所述容置槽直径相同，并且每个容置槽周围都有六个容置槽与其相切，呈最密堆积排列。
【技术特征摘要】
1.一种ICP刻蚀机的圆形托盘，其特征在于圆形托盘表面排列若干用于放置LED晶圆片的容置...
【专利技术属性】
技术研发人员：何玉建，梁伏波，江川，詹顺华，丁亚祥，裘小强，
申请(专利权)人：晶能光电江西有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36
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