一种金属线压焊异常的样品处理方法技术

本发明专利技术公开了一种金属线压焊异常样品的处理方法，应用于半导体芯片测试结构样品中，所述半导体测试结构样品包括一封装底座和一芯片，其中，所述方法包括：步骤S1：在一金属线压焊异常的半导体测试结构样品中移除用于连接所述芯片上的金属垫和所述封装底座上的键合垫的金属线；步骤S2：采用检测探针测试所述任意两个焊球异常的金属垫之间的阻值；步骤S3：通过激光器轰击所述金属垫至所述芯片的其它金属层；步骤S4：使用所述检测探针测试阻值，判断所述金属垫与所述其它金属层是否断开；步骤S5：对所述样品进行重新压焊。本方法能够避免芯片测试结构金属线压焊异常，如焊球过大或偏移，导致的金属垫间的短路，利于稳定后续测试的工艺环境。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体工艺，尤其涉及一种应用于芯片测试结构金属线压焊异常的样品处理方法。
技术介绍
芯片可靠性测试大致可分为硅片类和封装类。常见的测试用封装类芯片是一种陶瓷封装底座，芯片粘贴于中心位置，使用金线、铝线或铜线连接芯片上的金属垫和底座上的键合垫，键合垫与底座的各个引脚一一对应，最后通过连接引脚对测试结构进行电性测试及可靠性验证。金属线连接到键合垫和金属垫的方法使用压焊法。而在压焊过程中，可能会由于工艺条件不稳定等因素导致焊球过大、偏移，这些将会直接影响后续的测试及分析。对于在晶圆的切割道上的测试结构，焊球偏移或过大将会直接连接到芯片周围的金属层如保护环(Seal ring)上。导致各个金属垫间短路，无法进行后续的测试。重新制造同样工艺条件的晶圆将会花费大量的人力财力。如果用酸液腐蚀焊球，金属垫上的铝也会被腐蚀掉，无法进行后续重新压焊再测试。
技术实现思路
本专利技术公开了一种金属线压焊异常样品的处理方法，应用于半导体芯片测试结构样品中，所述半导体测试结构样品包括一封装底座和一芯片，其中，所述方法包括：步骤S1：在一金属线压焊异常的半导体测试结构样品中移除用于连接所述芯片上的金属垫和所述封装底座上的键合垫的金属线，以使所述封装底座和所述芯片之间电性分离；步骤S2：采用检测探针测试所述任意两个焊球异常的金属垫之间的阻值，通过所述阻值判断所述金属垫之间是否短路，如短r>路则执行下一个步骤S3；步骤S3：通过激光器轰击所述金属垫至所述芯片的其它金属层，且不伤害所述芯片测试结构；步骤S4：使用所述检测探针测试阻值，判断所述金属垫与所述其它金属层是否断开，若未断开则重复执行步骤S3直至所述金属垫与所述其它金属层断开，若断开则执行下一个步骤S5；步骤S5：对所述样品进行重新压焊。上述的金属线压焊异常样品的处理方法，其中，所述检测探针根据接通的电流值以及检测得到的电压值获取所述阻值。上述的金属线压焊异常样品的处理方法，其中，所述检测探针加载电压并检测电流。上述的金属线压焊异常样品的处理方法，其中，所述激光器为半导体失效分析激光切割器。上述的金属线压焊异常样品的处理方法，其中，所述芯片包括用于实验测试的半导体封装芯片。上述的金属线压焊异常样品的处理方法，其中，所述金属线压焊异常包括焊球过大或偏移导致焊球和所述芯片周边的所述金属线连接。综上所述，本方法能够避免芯片测试结构金属线压焊异常，如焊球过大或偏移，导致的金属垫间的短路，利于稳定后续测试的工艺环境。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、外形和优点将会变得更明显。图1是本专利技术金属线压焊异常的样品处理方法的工艺流程图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步的说明：如图1所示，为本专利技术金属线压焊异常的样品处理方法的工艺流程图，所述芯片包括用于实验测试的半导体封装芯片，所述金属线压焊异常包括焊球过大或偏移导致焊球和所述芯片周边的所述金属线连接，其中，该方法包括：移除用于连接金属垫和键合垫的金属线,用以防止操作过程中产生静电破坏芯片；采用检测探针测试短路的所述金属垫之间的阻值；通过激光器轰击所述金属垫至所述芯片的其它金属层，如保护环(Seal ring)中焊球较窄的位置，将部分焊球直接轰击掉，以切断焊球和金属层之间的连接，切断过程以不损伤待测结构及对应金属垫为基础；使用所述检测探针测试阻值，判断所述金属垫与所述金属层是否断开，若未断开则重复执行上个步骤直至所述金属垫与所述金属层断开，若断开则执行下一个步骤；对所述样品进行重新压焊。优选的，所述检测探针根据接通的电流值以及检测得到的电压值获取所述电阻值。所述检测探针加载电压并检测电流。检测所述检测探针的电流值；若所述电流值中有大于漏电标准值的电流值，则判断所述金属线异常或探针漏电，并排除所述连接线异常或所述探针漏电的故障；若所述电流值均小于或等于所述漏电标准值，则判断所述金属线正常并且所述检测探针无漏电。优选的，所述激光器为半导体失效分析激光切割器。激光切割机是一种是用激光对芯片进行表面处理的机器，它可以在芯片表面进行特定图形的打孔操作，激光能量大小直接决定了打孔的深度，常应用于半导体行业。综上所述，由于采用了上述技术方案，本方法能够避免芯片测试结构金属线压焊异常，如焊球过大或偏移，导致的金属垫间的短路，利于稳定后续测试的工艺环境。本领域技术人员应该理解，本领域技术人员结合现有技术以及上述实施例可以实现所述变化例，在此不予赘述。这样的变化例并不影响本专利技术的实质内容，在此不予赘述。以上对本专利技术的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本专利技术并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本专利技术技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和
技术实现思路
对本专利技术技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本专利技术的实质内容。因此，凡是未脱离本专利技术技术方案的内容，依据本专利技术的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本专利技术技术方案保护的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属线压焊异常样品的处理方法，应用于半导体芯片测试结构样品中，所述半导体测试结构样品包括一封装底座和一芯片，其特征在于，所述方法包括：步骤S1：在一金属线压焊异常的半导体测试结构样品中移除用于连接所述芯片上的金属垫和所述封装底座上的键合垫的金属线，以使所述封装底座和所述芯片之间电性分离；步骤S2：采用检测探针测试所述任意两个焊球异常的金属垫之间的阻值，通过所述阻值判断所述金属垫之间是否短路，如短路则执行下一个步骤S3；步骤S3：通过激光器轰击所述金属垫至所述芯片的其它金属层；步骤S4：使用所述检测探针测试阻值，判断所述金属垫与所述其它金属层是否断开，若未断开则重复执行步骤S3直至所述金属垫与所述其它金属层断开，若断开则执行下一个步骤S5；步骤S5：对所述样品进行重新压焊。

【技术特征摘要】
1.一种金属线压焊异常样品的处理方法，应用于半导体芯片测试结
构样品中，所述半导体测试结构样品包括一封装底座和一芯片，
其特征在于，所述方法包括：
步骤S1：在一金属线压焊异常的半导体测试结构样品中移除用
于连接所述芯片上的金属垫和所述封装底座上的键合垫的金属线，
以使所述封装底座和所述芯片之间电性分离；
步骤S2：采用检测探针测试所述任意两个焊球异常的金属垫之
间的阻值，通过所述阻值判断所述金属垫之间是否短路，如短路则执
行下一个步骤S3；
步骤S3：通过激光器轰击所述金属垫至所述芯片的其它金属层；
步骤S4：使用所述检测探针测试阻值，判断所述金属垫与所述
其它金属层是否断开，若未断开则重复执行步骤S3直至所述金属垫
与所述其它金属层断开，若断开则执行下一个步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐涌耀，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31