狭长图形的SRP分析方法技术

本发明专利技术公开了一种狭长图形的SRP分析方法，包含如下步骤：确定研磨角度；激光标记处狭长图形区域。反复研磨及SRP探针测试直到研磨的垂直深度大于需要分析的深度；对探针测试得到的数据进行按序排列得到原始深度-电阻值数据；对原始数据进行SRP数据处理得到最终的分布曲线。对于没有专用监控图形的硅片，在产品制造完成后，出现需调查注入扩散等问题的情况时，可以有效的进行验证，避免再流片调查等耗时耗力的工作，有效加快产品良率和工艺改善的进程。

【技术实现步骤摘要】
狭长图形的SRP分析方法
本专利技术涉及集成电路制造领域，特别是指一种针对硅片掺杂的狭长图形的SRP分析方法。
技术介绍
SRP(SpreadingResistanceProfiling扩展电阻测试)是对硅片样品的截面进行双探针测试，从而得出载流子浓度和电阻率的纵深分布的一种分析方法，如图1所示，其工作过程如下：一，确定样品2和底座1，其中样品2的图形长宽大小要在数百微米以上，以确保测试斜面6能覆盖所需的深度，底座1为带指定角度的模块，如17’，34’，1°9’，2°52’等；二，样品粘贴在底座1上进行研磨，得到与底座1相同倾斜角的斜面6；三，样品进入SRP机台进行测试，其中SRP的两探针在斜面上通过步进式移动和接触，两针间存在5mv电压，通过电流测量换算等，得到两针间的电阻值；四，该电阻值经过校准曲线转换为电阻率和载流子浓度，而针每次接触所处的位置，通过角度及距离换算，得到针对应位置的深度值。以上数据综合，就可得到样品的电阻率或载流子浓度的深度分布曲线(如图2)。无论SRP或SIMS技术都无法实现对狭长图形的分析，原因如下：遇到需了解狭长图形(宽度＜50um，长度≥100um的图形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种狭长图形的SRP分析方法，其特征在于：包含如下步骤：第一步，确定研磨用底座的角度α；第二步，在待分析狭长图形上的四个边缘角上用激光打标机打出标记，标出狭长图形的区域；第三步，利用确定角度的底座进行第一次研磨，研磨出的斜面与上表面的交界线确保位于标记的图形区域内，平行且接近于标记的图形长边；第四步，进行第一次研磨后的第一次SRP测试，测试范围从交界线开始至标记的图形长边线停止，由光学显微镜观察针痕，确认位于图形区域内的针痕点，各点序号为1‑N1，1为交界线上的点，N1为图形边界上的点，对应的测试有效点数为n1，测试的有效深度为d1；第五步，在第一研磨的基础上，对斜面进行第二次的推进研磨；第六...

【技术特征摘要】
1.一种狭长图形的SRP分析方法，所述狭长图形是指宽度小于50微米，长度不小于100微米的图形，其特征在于：包含如下步骤：第一步，确定研磨用底座的角度α；第二步，在待分析狭长图形上的四个边缘角上用激光打标机打出标记，标出狭长图形的区域；第三步，利用确定角度的底座进行第一次研磨，研磨出的斜面与上表面的交界线确保位于标记的图形区域内，平行且接近于标记的图形长边；第四步，进行第一次研磨后的第一次SRP测试，测试范围从交界线开始至标记的图形长边线停止，由光学显微镜观察针痕，确认位于图形区域内的针痕点，各点序号为1-N1，1为交界线上的点，N1为图形边界上的点，对应的测试有效点数为n1，测试的有效深度为d1；第五步，在第一研磨的基础上，对斜面进行第二次的推进研磨；第六步，进行第二次SRP测试，测试范围从交界线开始至标记的图形长边线停止，由光学显微镜观察针痕，确认位于图形区域内的针痕序号为N21-N22，以保证第二次测试的图形内的测试深度区域与第一次测试的测试深度区域能够衔接；第七步，在第二次研磨的基础上，对斜面进行第三次的推进研磨；第八步，进行第三次SRP测试，测试范围从交界线开始至标记的图形长边线停止，由光学显微镜观察针痕，确认位于图形区域内的序号为N31-N32，确保第三次测试的图形内的测试深度区域与第二次测试的测试深度区域能够衔接；第九步，重复上述步骤进行反复的研磨与测试，直到第n次研磨后交界线到标记的图形长边线的垂直深度超过待分析的深度，最终完成测试时，由光学显微镜观察针痕，确认位于图形区域内的序号为Nn1-Nn2，确保第n次测试的图形内的测试深度区域与第n-1次测试的测试深度区域能够衔接，测试的点数为nn；第十步，将各次测试得到的不同深度段的数值按各数据点序号进行排序组合，得到待测图形的电阻深度分布；第十一步，对电阻深度分布进行SRP数据处理，获取电阻率、...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖华平，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31