一种二次温度补偿基准电压源制造技术

本发明专利技术提供了一种二次温度补偿基准电压源，其电路结构包括开启电路、预稳定电路、一阶基准电路和二次补偿电路。其中电源直接供电给开启电路和预稳定电路，预稳定电路为一阶基准电路和二次补偿电路提供工作电压。一阶基准电路与二次补偿电路对基准电压进行温度补偿，并将补偿后的基准电压输出。在本发明专利技术的系统结构中，一阶基准电路产生一阶温度补偿的基准电压，二次补偿电路对已产生的基准电压进行二次温度补偿，该结构使得本发明专利技术具有较好的温度漂移抑制能力及较高的精准度。预稳定电路为电路提供稳定的工作电压，能够明显提高电路系统抗电源干扰的能力。可见，本发明专利技术具良好的稳定性能，符合做为受电设备管理芯片基准源的要求。

【技术实现步骤摘要】
一种二次温度补偿基准电压源
本专利技术涉及受电设备管理芯片的设计，尤其涉及的是，一种受电设备管理芯片中基准电压源的设计。
技术介绍
在受电设备管理芯片系统中，芯片的许多功能都需要精确稳定的基准电压参与。比如芯片对受电设备工作状态的判断，受电设备电源输出的调整以及各种电路保护等等。在基准电压源电路的设计中，基准源的精准度，抑制温度漂移的能力以及抗电源干扰的能力是其重要的性能指标。只有当芯片具有了高稳定性的基准电压源，芯片的性能才能得到良好的体现。因此，研究精确稳定、高抗干扰能力的基准电压源具有重要现实意义。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种二次温度补偿基准电压源。 本专利技术的技术方案如下:二次温度补偿基准电压源包括四个部分，其分别为开启电路、预稳定电路、一阶基准电路和二次补偿电路。其中电源直接供电给开启电路和预稳定电路，开启电路被触发后使预稳定电路开始工作。预稳定电路对输入电压进行处理，并为一阶基准电路和二次补偿电路提供工作电压。一阶基准电路产生一阶补偿的带隙基准电压。二次补偿电路对一阶基准电压进行二次温度补偿，并将其作为基准电压供给其他电路。 二次温度补偿基准电压源中，开启电路包括I号电阻，I至6号MOS管。其中I号电阻的上端连接输入电源VCC，I号电阻的下端连接I号MOS管的漏极。I号MOS管的栅极连接2号MOS管的栅极，I号MOS管的源极接地。2号MOS管的漏极连接3号MOS管的漏极，2号MOS管的源极接地。3号MOS管的栅极连接4号MOS管的栅极，3号MOS管的源极连接5号MOS管的源极。4号MOS管的源极连接6号MOS管的源极，4号MOS管的漏极连接9号MOS管的漏极。5号MOS管的栅极连接6号MOS管的栅极，6号MOS管的漏极连接4号MOS管的漏极。 二次温度补偿基准电压源中，预稳定电路包括7至13号MOS管。其中7号MOS管的源极连接输入电源，7号MOS管的栅极连接8号MOS管的栅极。8号MOS管的源极连接输入电源，8号MOS管的漏极连接13号MOS管的源极。9号MOS管的栅极连接10号MOS管的栅极，9号MOS管的源极接地，9号MOS管的栅极连接自身的漏极。10号MOS管的漏极连接7号MOS管的漏极，10号MOS管的源极接地。11号MOS管的漏极连接6号MOS管的源极，并且11号MOS管的源极接地。12号MOS管的漏极连接11号MOS管的栅极，12号MOS管的栅极连接10号MOS管的栅极，12号MOS管的源极接地。13号MOS管的漏极连接11号MOS管的栅极，13号MOS管的栅极连接2号晶体管的基极。 二次温度补偿基准电压源中，二次补偿电路包括2至4号电阻、I号运算放大器、I号晶体管。其中2号电阻的上端连接I号运算放大器的输出端，2号电阻的下端连接3电阻的上端。3号电阻的上端连接I号运算放大器的负输入端，3号电阻的下端连接4号电阻的上端。4号电阻的上端连接I号晶体管的基极，4号电阻的下端接地。I号晶体管的发射极连接I号运算放大器的正输入端，I号晶体管的集电极接地。 二次温度补偿基准电压源中，二次补偿电路的I号运算放大器包括I至8号MOS管、I号电容、正输入端、负输入端和运算放大输出端。其中I号MOS管的源极连接输入电源WC, I号MOS管的栅极连接2号MOS管的栅极，I号MOS管的漏极连接3号MOS管的漏极。2号MOS管的源极连接输入电源VCC，2号MOS管的漏极连接4号MOS管的漏极。3号MOS管的栅极连接正输入端，3号MOS管的源极连接7号MOS管的漏极。4号MOS管的栅极连接负输入端，4号MOS管的源极连接3号MOS管的源极。5号MOS管的源极连接输入电源VCC, 5号MOS管的栅极连接2号MOS管的漏极，5号MOS管的漏极连接8号MOS管的漏极。6号MOS管的漏极连接电源VCC，6号MOS管的栅极连接7号MOS管的栅极，6号MOS管的源极接地。7号MOS管的栅极连接6号MOS管的漏极，7号MOS管的源极接地。8号MOS管的栅极连接7号MOS管的栅极，8号MOS管的源极接地。I号电容的左端连接5号MOS管的栅极，I号电容的右端连接运算放大输出端。 二次温度补偿基准电压源中，一阶基准电路包括14号MOS管、2至4号晶体管、5至9号电阻、2号运算放大器、基准电压输出端。其中14号MOS管的源极连接8号MOS管的漏极，14号MOS管的栅极连接6号MOS管的栅极，14号MOS管漏极连接2号晶体管的发射极。2号晶体管的基极连接2号运算放大器的输出端，2号晶体管的集电极接地。3号晶体管的发射极连接7号电阻的下端，3号晶体管的基极和集电极同时接地。4号晶体管的发射极连接9号电阻的下端，4号晶体管的基极和集电极同时接地。5号电阻的上端连接14号MOS管的漏极，并连接基准电压输出端。5号电阻的下端连接6号电阻的上端，并连接I号运算放大器的正输入端。6号电阻的下端连接7号电阻的上端，并连接8号电阻的上端。7号电阻的下端连接2号运算放大器的正输入端。8号电阻的下端连接2号运算放大器的负输入端，并连接9号电阻的上端。 二次温度补偿基准电压源中，一阶基准电路的2号运算放大器包括I至7号MOS管、I号电容、正输入端、负输入端、运算放大输出端。其中I号MOS管的源极连接电源VCC,I号MOS管的漏极连接I号MOS管的栅极，I号MOS管的栅极连接2号MOS管的栅极。2号MOS管的源极连接电源VCC，2号MOS管的漏极连接5号MOS管的漏极。3号MOS管的源极连接I号MOS管的漏极，3号MOS管的栅极连接正输入端，3号MOS管的漏极连接6号MOS管的漏极。4号MOS管的源极连接3号MOS管的源极，4号MOS管的栅极连接负输入端，4号MOS管的漏极连接7号MOS管的漏极。5号MOS管的栅极连接4号MOS管的漏极，5号MOS管的源极接地。6号MOS管的漏极连接6号MOS管的栅极，6号MOS管的源极接地。7号MOS管的栅极连接6号MOS管的栅极，7号MOS管的源极接地。I号电容的左端连接5号MOS管的栅极，I号电容的右端连接5号MOS管的源极，并连接运算放大输出端。 本专利技术能够为受电设备管理芯片提供稳定的基准电压。在本专利技术的系统结构中，一阶基准电路产生一阶温度补偿的基准电压，二次补偿电路对已产生的基准电压进行二次温度补偿，该结构使得本专利技术具有较好的温度漂移抑制能力及较高的精准度。预稳定电路为其余电路提供稳定的工作电压，能够明显提高电路系统抗电源干扰的能力。可见，本专利技术具有较好的温度性能及较强的抗干扰能力，符合做为受电设备管理芯片基准源的要求。 【附图说明】 图1为本专利技术的电路结构框图；图2为本专利技术中二次补偿电路的电路图；图3为本专利技术中一阶基准电路的电路图；图4为本专利技术的整体系统电路图。 【具体实施方式】 为了便于理解本专利技术，下面结合附图和具体实施例，对本专利技术进行更详细的说明。本说明书及其附图中给出了本专利技术的较佳的实施例，但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本说明书所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容的理解更加透彻全面。 需要说明的是，当某一元件固定于另一个元件，包括将该元件直接固定于该另一个元件,或本文档来自技高网...

【技术保护点】
二次温度补偿基准电压源，其特征在于，其包括开启电路、预稳定电路、一阶基准电路、二次补偿电路；电源直接供电给开启电路和预稳定电路，开启电路被触发后使预稳定电路开始工作；预稳定电路对输入电压进行处理，并为一阶基准电路和二次补偿电路提供工作电压；一阶基准电路产生一阶补偿的带隙基准电压；二次补偿电路对一阶基准电压进行二次温度补偿，并将其作为基准电压供给其他电路；开启电路还包括1号电阻，1至6号MOS管。

【技术特征摘要】
1.二次温度补偿基准电压源，其特征在于，其包括开启电路、预稳定电路、一阶基准电路、二次补偿电路； 电源直接供电给开启电路和预稳定电路，开启电路被触发后使预稳定电路开始工作； 预稳定电路对输入电压进行处理，并为一阶基准电路和二次补偿电路提供工作电压； 一阶基准电路产生一阶补偿的带隙基准电压； 二次补偿电路对一阶基准电压进行二次温度补偿，并将其作为基准电压供给其他电路； 开启电路还包括1号电阻，1至6号MOS管。2.根据权利要求1所述二次温度补偿基准电压源，其特征在于，1号电阻的上端连接输入电源VCC，1号电阻的下端连接1号MOS管的漏极； 1号MOS管的栅极连接2号MOS管的栅极，1号MOS管的源极接地； 2号MOS管的漏极连接3号MOS管的漏极，2号MOS管的源极接地； 3号MOS管的栅极连接4号MOS管的栅极，3号MOS管的源极连接5号MOS管的源极； 4号MOS管的源极连接6号MOS管的源极，4号MOS管的漏极连接9号MOS管的漏极； 5号MOS管的栅极连接6号MOS管的栅极，6号MOS管的漏极连接4号MOS管的漏极。3.根据权利要求1所述二次温度补偿基准电压源，其特征在于，预稳定电路包括7至13号MOS管。4.根据权利要求3所述二次温度补偿基准电压源，其特征在于，7号MOS管的源极连接输入电源，7号MOS管的栅极连接8号MOS管的栅极； 8号MOS管的源极连接输入电源，8号MOS管的漏极连接13号MOS管的源极； 9号MOS管的栅极连接10号MOS管的栅极，9号MOS管的源极接地，9号MOS管的栅极连接自身的漏极； 10号MOS管的漏极接7号MOS管的漏极，10号MOS管的源极接地； 11号MOS管的漏极连接6号MOS管的源极，并且11号MOS管的源极接地； 12号MOS管的漏极连接11号MOS管的栅极，12号MOS管的栅极连接10号MOS管的栅极，12号MOS管的源极接地； 13号MOS管的漏极连接11号MOS管的栅极，13号MOS管的栅极连接2号晶体管的基极。5.根据权利要求1所述二次温度补偿基准电压源，其特征在于，二次补偿电路包括2至4号电阻、1号运算放大器、1号晶体管； 2号电阻的上端连接1号运算放大器的输出端，2号电阻的下端连接3电阻的上端； 3号电阻的上端连接1号运算放大器的负输入端，3号电阻的下端连接4号电阻的上端; 4号电阻的上端连接1号晶体管的基极，4号电阻的下端接地； 1号晶体管的发射极连接1号运算放大器的正输入端，1号晶体管的集电极接地。6.根据权利要求5所述二次温度补偿基准电压源，其特征在于，二次补偿电路的1号运算放大器包括1至8号MOS管、1号电容、正输入端、负输入端和运算放大输出端。7.根据权利要求6所述二次温度补偿基准电压源，其特征在于，1号MOS管的源极连接输入电源VCC，1号MOS管的栅极连接2号MOS管的栅极，1号MOS管的漏极连接3号MOS管的漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵珠雷，张元敏，罗书克，
申请(专利权)人：许昌学院，
类型：发明
国别省市：河南;41