用于柔性显示器件制备的柔性薄膜衬底与基板分离工艺制造技术

本发明专利技术公开了用于柔性显示器件制备的柔性薄膜衬底与基板分离工艺，包括以下步骤：(1)在载体基板上制备柔性薄膜衬底，对柔性薄膜衬底与载体基板的结合处进行处理，使得某些区域成为高黏附区域；其余区域成为低黏附区域；(2)在低黏附区域上方的柔性薄膜衬底上制备电子元件；(3)沿着电子元件的外围，从柔性薄膜衬底垂直向下切割，形成切割线；所述切割线的下方为低黏附区域；(4)将柔性薄膜衬底和载体基板上分离。本发明专利技术所保证柔性薄膜衬底在后续器件制备过程中稳定附着在载体基板上，并且衬底与基板分离简单、成本低、快速且对器件性能无损伤。

【技术实现步骤摘要】
用于柔性显示器件制备的柔性薄膜衬底与基板分离工艺
本专利技术涉及柔性显示器件的制备领域，特别涉及一种用于柔性显示器件制备的柔性薄膜衬底与基板分离工艺。
技术介绍
柔性显示器件制备时首先在硬质基板上形成柔性薄膜衬底，然后再在柔性薄膜衬底上制作电子器件，最后将柔性薄膜衬底与基板解离得到去除基板的成品器件。但是，现有技术中的这种方法存在一些缺陷:柔性衬底与基板在后续电子器件的制备过程中需要承受离子轰击、化学腐蚀、紫外照射、高温处理等严苛的实验条件，导致衬底与基板间的黏附性大幅提高，进而在将柔性薄膜衬底从硬质基板上解离的时候极易损伤柔性衬底薄膜及其上的电子器件；相反，如果柔性薄膜衬底和硬质基板的黏附作用过弱，在制作器件的过程中就会出现柔性薄膜衬底意外脱离的问题。 为了克服上述解离困难，通常在硬质基板与柔性薄膜衬底之间插入特定的牺牲层，利用牺牲层降低或者提高二者之间的黏附作用。尽管如此，黏附作用强弱的平衡依然比较难掌控，找到一种适用于各种实验、生产环境的分离工艺则更加困难。
技术实现思路
为了克服现有技术的上述缺点与不足，本专利技术的目的在于提供一种用于柔性显示器件制备的柔性薄膜衬底与基板分离工艺，能够简单、低成本、快速地实现衬底与基板分离。 本专利技术的目的通过以下技术方案实现: 用于柔性显示器件制备的柔性薄膜衬底与基板分离工艺，包括以下步骤: (I)在载体基板上制备柔性薄膜衬底，对柔性薄膜衬底与载体基板的结合处进行处理，使得某些区域的柔性薄膜衬底与载体基板之间的黏附力为2dB以上，形成高黏附区域；其余区域的柔性薄膜衬底与载体基板之间的黏附力为O或ldB，形成低黏附区域； (2)在低黏附区域上方的柔性薄膜衬底上制备电子元件； (3)沿着电子元件的外围，从柔性薄膜衬底垂直向下切割，形成切割线；所述切割线的下方为低黏附区域； (4)将柔性薄膜衬底和载体基板上分离。 所述载体基板为硬质基板或者复合基板；所述复合基板包括硬质基板和牺牲层；所述牺牲层沉积在硬质基板之上。 步骤(I)所述对柔性薄膜衬底与载体基板的结合处进行处理，具体为: 在制备柔性薄膜衬底之前，对载体基板表面的某些区域进行表面粗糙化处理，使这些区域在制备柔性薄膜衬底之后成为高黏附区域。 步骤(I)所述对柔性薄膜衬底与载体基板的结合处进行处理，具体为: 在载体基板上制备柔性薄膜衬底之后，在需要形成高黏附区域上方的柔性薄膜衬底上，进行高温高压热压处理。 步骤(I)所述对柔性薄膜衬底与载体基板的结合处进行处理，具体为: 在制备柔性薄膜衬底之前，在载体基板表面的某些区域上溅射键合层，使这些区域在制备柔性薄膜衬底之后成为高黏附区域。 所述表面粗糙化处理为喷砂、离子轰击或者化学试剂腐蚀。 所述键合层为金属薄膜或者金属氧化物薄膜；所述金属为铝、钛或钥；所述金属氧化物为氧化铝、氧化铟锌或氧化铜。 所述硬质基板的材料为玻璃、金属、塑料或者纤维。 [0021 ] 所述牺牲层的材料为氮化硅、氮化铝、氮化镓或者氮化铟。 所述柔性薄膜衬底为聚合物薄膜；所述聚合物为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚酰胺或者聚醚醚酮。 与现有技术相比，本专利技术具有以下优点和有益效果: 本专利技术提出了的用于柔性显示器件制备的柔性薄膜衬底与基板分离工艺，对柔性薄膜衬底与载体基板之间的黏附作用进行差异化处理的方法，在柔性薄膜衬底的低黏附区域，柔性薄膜衬底与载体基板之间的黏附作用较小，常规情况下，这种柔性薄膜衬底容易从载体基板上解离并且不损伤器件，但是在制备过程中容易提早脱离载体基板；因此，在柔性薄膜衬底的高黏附区域，本专利技术加强了柔性薄膜衬底与载体基板之间的黏附作用，如此一来在制备过程中，薄膜整体会稳固地黏附在基板上，不会提早脱离。电子元件制备在柔性薄膜衬底的低黏附区域上，在解离过程中，只需将制备有电子元件的低黏附区域切割出来，即可以顺利解离。这种分离工艺简单、快捷，不会对器件性能造成负面影响，并且成本低。 【附图说明】 图1为本专利技术的实施例1的柔性薄膜衬底切割前的示意图。 图2为本专利技术的实施例1的柔性薄膜衬底进行粗糙化处理时的示意图。 图3为本专利技术的实施例1的柔性薄膜衬底切割后的示意图。 图4为本专利技术的实施例1的柔性薄膜衬底解离时的示意图。 图5为本专利技术的实施例2的柔性薄膜衬底进行粗糙化处理时的示意图。 图6为本专利技术的实施例3的柔性薄膜衬底进行粗糙化处理时的示意图。 【具体实施方式】 下面结合实施例，对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式不限于此。 实施例1 本实施例的用于柔性显示器件制备的柔性薄膜衬底与基板分离工艺，包括以下步骤: (I)如图1所示，在载体基板100上制备柔性薄膜衬底200，对柔性薄膜衬底200与载体基板100之间的结合处进行差异化处理，使得某些区域柔性薄膜衬底200与载体基板100之间的黏附力为2dB以上，形成高黏附区域101 ;其余区域的柔性薄膜衬底与载体基板之间的黏附力为OdB或ldB，形成低黏附区域102。dB是业界表述黏附力的作用单位，该制定标准由ASTM制定，用O?5的整数来表示黏附作用的大小，其中5代表最高黏附力，O相当于无黏附作用。 本实施例的对柔性薄膜衬底与载体基板之间的结合处进行差异化处理，具体为:在制备柔性薄膜衬底之前，对载体基板表面的某些区域进行表面粗糙化处理(如图2所示)，使这些区域在制备柔性薄膜衬底之后成为高黏附区域101 ;粗糙化可选手段有喷砂、离子轰击或者化学试剂腐蚀。由于需要保持载体基板100对应低黏附区域102的部分光滑平整，在进行表面粗糙化处理前，可在低黏附区域上方设置掩膜板对载体基板100进行遮挡。 载体基板100为硬质基板，厚度为1-2000微米，可以为玻璃、金属、塑料和纤维材质；载体基板100也可以为复合基板，即在硬质基板基础上再沉积一层牺牲层，牺牲层厚度为1-500微米，可以为氮化硅、氮化铝、氮化镓或者氮化铟。 柔性薄膜衬底200厚度为1-500微米，材料可以为聚酰亚胺(Polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate, PET)、聚萘二甲酸乙二酯(Polyethylene naphthalate, PEN)、聚碳酸酯(Polycarbonate, PC)、聚醚砜(Polyethersulfone, PES)、聚丙烯酸酯(Polyacrylate, PAR),聚醚酰亚胺(Polyetherimide)、聚酸胺(Polyamide,PA)或者聚醚醚酮(polyetheretherketone,PEEK) 坐寸ο 关于载体基板、牺牲层及柔性薄膜衬底的制备方式，都是业界常规技术手段，在此不再赘述。 (2)如图1所示，在低黏附区域102上方的柔性薄膜衬底200上制作电子元件300。电子元件可以为绝缘层、电阻、电容、电感、导线、晶体管、二极管及其组合。电子元件的具体形式及位置、连接关系可以根据具体器件要求灵活选择和设置，在此不一一列举，其制备方式也是业界常规技术手段，在此不再赘述。 (3)沿着电子元件300的外围，在柔性薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于柔性显示器件制备的柔性薄膜衬底与基板分离工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)在载体基板上制备柔性薄膜衬底，对柔性薄膜衬底与载体基板的结合处进行处理，使得某些区域的柔性薄膜衬底与载体基板之间的黏附力为2dB以上，形成高黏附区域；其余区域的柔性薄膜衬底与载体基板之间的黏附力为0或1dB，形成低黏附区域；(2)在低黏附区域上方的柔性薄膜衬底上制备电子元件；(3)沿着电子元件的外围，从柔性薄膜衬底垂直向下切割，形成切割线；所述切割线的下方为低黏附区域；(4)将柔性薄膜衬底和载体基板上分离。

【技术特征摘要】
1.用于柔性显示器件制备的柔性薄膜衬底与基板分离工艺，其特征在于，包括以下步骤: (1)在载体基板上制备柔性薄膜衬底，对柔性薄膜衬底与载体基板的结合处进行处理，使得某些区域的柔性薄膜衬底与载体基板之间的黏附力为2(18以上，形成高黏附区域；其余区域的柔性薄膜衬底与载体基板之间的黏附力为0或1(18，形成低黏附区域； (2)在低黏附区域上方的柔性薄膜衬底上制备电子元件； (3)沿着电子元件的外围，从柔性薄膜衬底垂直向下切割，形成切割线；所述切割线的下方为低黏附区域； (4)将柔性薄膜衬底和载体基板上分离。2.根据权利要求1所述的用于柔性显示器件制备的柔性薄膜衬底与基板分离工艺，其特征在于，所述载体基板为硬质基板或者复合基板；所述复合基板包括硬质基板和牺牲层；所述牺牲层沉积在硬质基板之上。3.根据权利要求1或2所述的用于柔性显示器件制备的柔性薄膜衬底与基板分离工艺，其特征在于，步骤(1)所述对柔性薄膜衬底与载体基板的结合处进行处理，具体为: 在制备柔性薄膜衬底之前，对载体基板表面的某些区域进行表面粗糙化处理，使这些区域在制备柔性薄膜衬底之后成为高黏附区域。4.根据权利要求1或2所述的用于柔性显示器件制备的柔性薄膜衬底与基板分离工艺，其特征在于，步骤(1)所述对柔性薄膜衬底与载体基板的结合处进行处理，具体为: 在载体基板上制备柔性薄膜衬底之后，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：王磊，许志平，徐苗，李洪濛，邹建华，陶洪，彭俊彪，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东;44