The present invention provides a flexible substrate stripping method comprising the following steps. The surface of monocrystalline silicon is oxidized to obtain the first oxide layer. The first ion implantation is performed on monocrystalline silicon wafers to inject ions into monocrystalline silicon wafers. By using the first oxide layer, the implanted monocrystalline silicon wafer and the glass substrate are bonded at low temperature to obtain the bonding piece. The bonding sheet is annealed so that the monocrystalline silicon layer with a predetermined thickness on the monocrystalline silicon sheet remains on the surface of the glass substrate, and the annealed wafer is subjected to a second ion implantation to obtain the original substrate. The AMOLED process is completed on the surface of the original substrate to obtain a flexible substrate. The flexible substrate is heated by laser, so that the flexible substrate and the glass substrate are peeled off. The method uses laser generated heat to peel flexible substrates, thereby effectively improving the yield of the product.
【技术实现步骤摘要】
柔性基板剥离方法
本专利技术涉及显示器
,尤其涉及一种柔性基板剥离方法。
技术介绍
所谓柔性显示,它是一种在柔性材料构成的基板表面制备器件的方法。随着科技的不断更新与发展,采用柔性基板制成的可弯曲的柔性器件有望成为下一代光电子器件的主流设备,如显示器、芯片、电路、电源、传感器等柔性器件可以实现传统光电子器件所不能实现的功能,成本或用户体验的优势。如柔性有源矩阵有机发光二极体面板(Active-matrixorganiclightemittingdiode,简称AMOLED),需要在硬质基板表面先制备或吸附柔性基板,继而进行器件制备后再将柔性基板从硬质基板上剥离。因此,如何将柔性基板与硬质基板的有效剥离是生产柔性器件的关键技术之一。目前主流的柔性AMOLED剥离方式是采用激光烧蚀的方式进行,即在聚合物柔性基板和硬质玻璃基板的界面施加高强度的激光,烧蚀界面层的聚合物,从而实现柔性和硬质基板的剥离。但是,激光的高能量,在剥离的过程中产生的大量的热量会对柔性显示膜造成较大的损坏,在应用过程对产品的良率造成较大的威胁。
技术实现思路
本专利技术提供一种柔性基板剥离方法,用以解决现有技术中使用激光剥离的过程中,产生的热量造成柔性基板损坏造成良率不高的技术问题。本专利技术提供一种柔性基板剥离方法,包括:对单晶硅片表面进行氧化,以获取第一氧化层;对单晶硅片进行第一次离子注入,以将离子注入单晶硅片中;利用第一氧化层,将注入离子的单晶硅片与玻璃基板进行低温键合,以获取键合片;对键合片进行退火处理,以使单晶硅片上的预设厚度的单晶硅层留在玻璃基板表面;对退火处理后的键合片进行第 ...
【技术保护点】
一种柔性基板剥离方法,其特征在于,包括:对单晶硅片表面进行氧化,以获取第一氧化层;对所述单晶硅片进行第一次离子注入,以将离子注入所述单晶硅片中;利用所述第一氧化层,将注入所述离子的所述单晶硅片与玻璃基板进行低温键合,以获取键合片;对所述键合片进行退火处理,以使所述单晶硅片上的预设厚度的单晶硅层留在所述玻璃基板表面;对退火处理后的所述键合片进行第二次离子注入,以获取原始基板;在所述原始基板表面完成AMOLED工艺,以获得柔性基板;对所述柔性基板利用激光进行加温,使所述柔性基板与所述玻璃基板剥离开。
【技术特征摘要】
1.一种柔性基板剥离方法,其特征在于,包括:对单晶硅片表面进行氧化,以获取第一氧化层;对所述单晶硅片进行第一次离子注入,以将离子注入所述单晶硅片中;利用所述第一氧化层,将注入所述离子的所述单晶硅片与玻璃基板进行低温键合,以获取键合片;对所述键合片进行退火处理,以使所述单晶硅片上的预设厚度的单晶硅层留在所述玻璃基板表面;对退火处理后的所述键合片进行第二次离子注入,以获取原始基板;在所述原始基板表面完成AMOLED工艺,以获得柔性基板;对所述柔性基板利用激光进行加温,使所述柔性基板与所述玻璃基板剥离开。2.根据权利要求1所述的柔性基板剥离方法,其特征在于,对退火处理后的所述键合片进行第二次离子注入,以获取原始基板,具体包括:在所述单晶硅层表面沉积第二氧化层;对所述单晶硅层进行第二次离子注入,以获取原始基板。3.根据权利要求1所述的柔性基板剥离方法,其特征在于,所述预设厚度为500nm-2μm。4.根据权利要求1所述的柔性基板...
【专利技术属性】
技术研发人员:王选芸,
申请(专利权)人:武汉华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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