本实用新型专利技术公开了一种用于制备两层四点发光OLED器件的掩膜板，包含由下至上分布的玻璃基板、ITO、第一有机物掩膜板、底层电极掩膜板、第二有机物掩膜板和顶层电极掩膜板。本实用新型专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术的不足提供了一种能够实现两层有机发光二极管器件的制备的OLED器件掩膜板，且能够在30mm*30mm基板上一次性制备4个发光器件，提高了生产效率。结构简单、易于实现。该装置能够实现两层有机发光二极管器件的制备，提高器件的发光亮度发光效率。能够在30mm*30mm基板上一次性制备4个发光器件，提高了生产效率，且机械结构简单。
【技术实现步骤摘要】
—种用于制备两层四点发光OLED器件的掩膜板
本技术涉及一种用于制备两层四点发光0LED器件的掩膜板。
技术介绍
目前，公知的0LED器件掩膜板都是基于0LED的基本结构而设计的。其基本结构一般由一薄而透明的铟锡氧化物(ΙΤ0)阳极，空穴传输层、发光层与电子传输层和金属阴极构成，包成如三明治的结构。因此公知的0LED掩膜板只包括一个阴极掩膜板和有机物掩膜板，用于制作单层发光的0LED器件，如单层红光器件、小分子绿光器件等。而且，目前的0LED器件掩膜板一般无法一次性制作多个器件，难以实现高效率的器件生产和制备，从而导致研究人员需要进行多次蒸镀等相对较复杂的操作步骤，造成生产滞后和科研效率降低的后果。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对现有技术的不足提供了一种能够实现两层有机发光二极管器件的制备的0LED器件掩膜板,且能够在30mm*30mm基板上一次性制备4个发光器件，提高了生产效率。 本技术为解决上述技术问题采用以下技术方案 一种用于制备两层四点发光0LED器件的掩膜板，包含由下至上分布的玻璃基板、ΙΤ0、第一有机物掩膜板、底层电极掩膜板、第二有机物掩膜板和顶层电极掩膜板。 优选的，所述第一、第二有机物掩膜板均采用可真空蒸镀的有机物小分子。 优选的，所述玻璃基板尺寸为30mm*30mm正方形,基板上设计了十条呈中心对称的矩型ΙΤ0，各矩形ΙΤ0之间彼此隔断。 优选的，所述底层电极掩膜板所蒸镀的电极在不同情况下分别作为底层发光器件的阴极或顶层发光器件的阳极，所述底层电极掩膜板为30mm*30mm正方形基板，基板采用左右对称的四个矩形镂空设计，镂空的矩形尺寸为4mm*8mm。 优选的，所述有机物掩膜板用于蒸镀ΙΤ0和底层电极掩膜板之间的各层有机功能材料，有机物掩膜板为30mm*30mm正方形基板，基板采用中心位置的一个矩形镂空设计，镂空的矩形尺寸为20mm*12mm。 优选的，所述顶层电极掩膜板用于蒸镀顶层0LED器件的阴极，顶层电极掩膜板为30mm*30mm正方形基板。 本技术采用以上技术方案与现有技术相比，具有以下技术效果: 1、结构简单、易于实现。 2、能够实现两层有机发光二极管器件的制备，提高器件的发光亮度发光效率。 3、能够在30mm*30mm基板上一次性制备4个发光器件，提高了生产效率，且机械结构简单。 【附图说明】 图1是使用本技术所制备器件平面结构示意图。 图2是本技术的ΙΤ0玻璃基板平面结构示意图。 图3是本技术的底层电极掩膜板平面结构示意图。 图4是本技术的有机物掩膜板平面结构示意图。 图5是本技术的顶层电极掩膜板平面结构示意图。 图中，1-玻璃基板2-铟锡氧化物(ΙΤ0) 3-0LED器件4_底层电极5_顶层电极 6-有机物层7-底层电极掩膜板矩形镂空8-有机物掩膜板矩形镂空9-顶层电极掩膜板矩形镂空。 【具体实施方式】 下面结合附图对本技术的技术方案做进一步的详细说明: 如图1所示，一种用于制备两层四点发光0LED器件的掩膜板，包含由下至上分布的玻璃基板、ΙΤ0、第一有机物掩膜板、底层电极掩膜板、第二有机物掩膜板和顶层电极掩膜板。 其中，所述第一、第二有机物掩膜板均采用可真空蒸镀的有机物小分子，所述玻璃基板尺寸为30mm*30mm正方形，基板上设计了十条呈中心对称的矩型ΙΤ0，各矩形ΙΤ0之间彼此隔断，所述底层电极掩膜板所蒸镀的电极在不同情况下分别作为底层发光器件的阴极或顶层发光器件的阳极，所述底层电极掩膜板为30mm*30mm正方形基板，基板采用左右对称的四个矩形镂空设计，镂空的矩形尺寸为4mm*8mm，所述有机物掩膜板用于蒸镀ΙΤ0和底层电极掩膜板之间的各层有机功能材料，有机物掩膜板为30mm*30mm正方形基板,基板采用中心位置的一个矩形镂空设计，镂空的矩形尺寸为20_*12_，所述顶层电极掩膜板用于蒸镀顶层0LED器件的阴极，顶层电极掩膜板为30mm*30mm正方形基板。 图1中，所述的0LED器件3为三明治结构，分为底层器件和顶层器件，底层器件由下至上分别为玻璃基板1、IT02、有机物层6、底层电极4。而顶层电极由下至上分别为底层电极、有机物层和顶层电极5。其中，ΙΤ0为底层器件的阳极，底层电极为底层器件的阴极，当电力供应至适当电压时，阳极ΙΤ0提供的空穴与阴极电荷就会在发光层中结合，底层器件发光。对于顶层器件，底层电极为阳极，顶层电极为阴极，当电力供应至适当电压时，顶层器件发光。 该装置包括ΙΤ0玻璃基板、有机物掩膜板、底层电极掩膜板和顶层电极掩膜板。其中，所述ΙΤ0玻璃基板作为底层发光器件的阳极，通过所述底层电极掩膜板所蒸镀的电极在不同情况下分别作为底层发光器件的阴极或顶层发光器件的阳极，ΙΤ0基板和底层电极掩膜板之间通过所述有机物掩膜板依次蒸镀各有机功能材料。所述顶层电极掩膜板用于蒸镀顶层0LED器件的阴极。 如图f 5所示，一种用于制备两层四点发光0LED器件的掩膜板，包括玻璃基板1、铟锡氧化物(Ι--) 2、0LED器件3、底层电极4、顶层电极5、有机物层6、底层电极掩膜板矩形镂空7、有机物掩膜板矩形镂空8、顶层电极掩膜板矩形镂空9。 图2中，玻璃基板上分别刻蚀了特定形状的ΙΤ0电极，玻璃基板尺寸为30mm*30mm，电极由10块矩形ΙΤ0构成，ΙΤ0按照尺寸不同可分为3类，此处以超大、大、中、小命名。其中，超大矩形位于玻璃基板左上角和右下角，尺寸为14mm*8mm;大矩形位于玻璃基板的右上角和左下角，尺寸为;中矩形位于玻璃基板中间位置,尺寸为10mm*4mm ;小矩形两块，位于玻璃基板上下底边，尺寸为3mm*8mm。 图3中，底层电极掩膜板上设置有四个相同的底层电极掩膜板矩形镂空7，尺寸为4_*8_，用于蒸镀底层电极，底层电极分别用作底层器件的阴极和顶层器件的阳极。 图4中，有机物掩膜板上设置有一个为于中心位置的有机物掩膜板矩形镂空8，尺寸为20mm*12mm,用于蒸镀所述两层0LED器件所用到的的有机功能材料。 图5中，顶层电极掩膜板上设置有两个呈镜面对称且形状相同的顶层电极掩膜板矩形镂空9，用于蒸镀顶层电极，顶层电极用作顶层器件的阴极。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于制备两层四点发光OLED器件的掩膜板，其特征在于：包含由下至上分布的玻璃基板、ITO、第一有机物掩膜板、底层电极掩膜板、第二有机物掩膜板和顶层电极掩膜板。
【技术特征摘要】
1.一种用于制备两层四点发光OLED器件的掩膜板，其特征在于:包含由下至上分布的玻璃基板、ΙΤ0、第一有机物掩膜板、底层电极掩膜板、第二有机物掩膜板和顶层电极掩膜板。2.根据权利要求1所述用于制备两层四点发光OLED器件的掩膜板，其特征在于:所述第一、第二有机物掩膜板均采用可真空蒸镀的有机物小分子。3.根据权利要求1所述用于制备两层四点发光OLED器件的掩膜板，其特征在于:所述玻璃基板尺寸为30mm*30mm正方形，基板上设计了十条呈中心对称的矩型ΙΤ0，各矩形ITO之间彼此隔断。4.根据权利要求1所述用于制备两层四点发光OLED器件的掩膜板，其特征在于:所述底层电极掩膜板所蒸镀的电极在不同情况下...
【专利技术属性】
技术研发人员：闵永刚，童宋照，王剑，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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