各种实施例包括具有至少两个电阻改变存储器RCM单元的设备。在一个实施例中，设备包含耦合到所述RCM单元中的每一者的至少两个电触点。存储器单元材料安置于耦合到所述RCM中的每一者的所述电触点中的每一者的对之间。所述存储器单元材料能够在所述电触点之间形成导电路径，其中所述存储器单元材料的至少一部分经布置以交叉耦合电耦合到所述至少两个RCM单元中的每一者的所述至少两个电触点的选定者之间的导电路径。本发明专利技术还描述额外设备及方法。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】排列式存储器单元 优先权申请 本申请案主张2012年5月11日申请的第13/469, 706号美国申请案的优先权益， 所述申请案的全文以引用的方式并入本文中。
技术介绍
计算机及其它电子系统（例如，数字电视、数码相机及蜂窝式电话）通常具有一或 多个存储器装置以存储信息。日益减小存储器装置的尺寸以实现更高密度的存储容量。即 使当实现增加的密度时，消费者仍常要求存储器装置还使用较少电力同时维持高速存取。 针对使用离散导电路径（CP)(例如形成于电阻改变存储器（RCM)单元的电触点之 间的细丝或丝状连接器）操作的RCM单元，多个电触点之间的多个路径原则上为可行的。 所揭示的标的物通过利用具有两个以上电触点（EC)的单元内的多个导电路径的各种组合 及排列而在RCM单元或其它类型的基于细丝存储器单元（例如，电阻性随机存取存储器 (RRAM)单元）中提供用于幂次定律增加的存储密度的机制。 【附图说明】 图1为根据实施例的具有存储器阵列（其具有存储器单元）的存储器装置的框 图； 图2为根据实施例的具有包含存储器单元（其具有存取组件及存储器元件）的存 储器阵列的存储器装置的部分框图； 图3为根据各种实施例的具有耦合到存储器元件的存取组件的存储器单元的示 意图； 图4为可配合图1及2的存储器装置使用或可用以形成图3的存储器单元的若干 类型的电阻改变存储器（RCM)单元中的一者的简化示意框图； 图5说明根据一实施例与具有两个电触点的存储器单元相关联的若干组合及排 列； 图6说明根据一实施例的具有四个电触点的存储器单元中的导电路径的若干组 合及排列； 图7说明根据一实施例的具有六个电触点的存储器单元中的导电路径的若干组 合及排列； 图8为指示根据一实施例具有六边形密集阵列中的七个电触点的存储器单元中 的导电路径的若干组合及排列的平面图； 图9为指示根据一实施例具有正方形阵列中的四个电触点的存储器单元中的导 电路径的若干组合及排列的平面图；及 图10为包含存储器装置的系统实施例的框图。 【具体实施方式】 以下描述包含体现标的物的说明性设备（电路、装置、结构、系统及类似物）及方 法（例如，工艺、协议、序列、技术及科技）。在以下描述中，出于解释的目的，阐述许多具体 细节以便提供对本专利技术标的物的各种实施例的理解。然而，在阅读本专利技术之后，所属领域的 一般技术人员将明白，可在无这些具体细节的情况下实践标的物的各种实施例。此外，未详 细展示众所周知的设备及方法以免混淆各种实施例的描述。 针对使用离散导电路径（CP)(例如形成于电阻改变存储器（RCM)单元的电触点之 间的细丝或丝状连接器）操作的RCM单元，多个电触点之间的多个路径原则上为可行的。 所揭示的标的物通过利用具有两个以上电触点（EC)的单元内的多个导电路径的各种组合 及排列而在RCM单元或其它类型的基于细丝的存储器单元（例如，电阻性随机存取存储器 (RRAM)单元）中提供用于幂次定律增加的存储密度的机制。 现参考图1，其展示呈存储器装置101的形式的设备的框图。存储器装置101包含 具有根据一实施例的若干（例如，一或多个）存储器单元100的一或多个存储器阵列102。 存储器单元100可连同存取线104 (例如，用以传导信号WLO到WLm的字线）及第一数据线 106 (例如，用以传导信号BLO到BLn的位线）一起布置成行及列。存储器装置101可使用 存取线104及第一数据线106传递信息到存储器单元100且可从存储器单元100传递数据。 行解码器107及列解码器108解码地址线109上的地址信号AO到AX以确定待存取哪些存 储器单元100。 感测电路（例如，读出放大器电路110)操作以依第一数据线106上的信号的形式 确定从存储器单元100读取的信息值。读出放大器电路110还可使用第一数据线106上的 信号以确定待写入到存储器单元100的信息值。 存储器装置101进一步经展示以包含电路112以在存储器阵列102与输入/输出 (I/O)线105之间传递信息值。I/O线105上的信号DQO到DQN可表示从存储器单元100 读取或待写入到存储器单元100中的信息值。I/O线105在存储器装置101所驻留的封装 上可包含存储器装置101的节点（例如，引脚、焊料球或其它互连科技，例如受控熔塌芯片 连接（C4)或覆晶接合（FCA))。存储器装置101外部的其它装置（例如，存储器控制器或处 理器（图1中未展示））可通过I/O线105、地址线109或控制线120与存储器101通信。 存储器装置101可执行存储器操作，例如用以从存储器单元100的选定者读取信 息值的读取操作及用以将信息编程（例如，写入）到存储器单元100的选定者中的编程操 作（也称作为写入操作）。存储器装置101还可执行存储器擦除操作以从一些或全部存储 器单元100清除信息。 存储器控制单元118使用控制线120上的信号控制存储器操作。控制线120上的 信号的实例可包含一或多个时钟信号及其它信号以指示存储器装置101可或应执行的操 作（例如，编程操作或读取操作）。存储器装置101外部的其它装置（例如，处理器或存储 器控制器）可控制控制线120上的控制信号的值。控制线120上的信号值的特定组合可产 生命令（例如，编程、读取或擦除命令），所述命令可致使存储器装置101执行对应存储器操 作（例如，编程、读取或擦除操作）。 尽管为易于理解，本文中所论述的各种实施例使用关于单一位存储器存储概念的 实例，但是本专利技术的标的物也可应用于许多多位方案。例如，存储器单元100中的每一者可 经编程到至少两个数据状态中的不同者以表示（例如）分率位值、单一位值或多个位（例 如，两个、三个、四个或更大数目个位）的值。 举例来说，存储器单元100中的每一者可经编程到两个数据状态的一者以表示单 一位中的二进制值〇或1。此单元有时称作单电平单元（SLC)。 在另一实例中，存储器单元100中的每一者可经编程到两个以上数据状态中的一 者以表示（例如）多个位的值，例如针对两个位的四个可能值00、01、10及11中的 一者；针对三个位的八个可能值〇〇〇、〇〇1、〇1〇、〇11、1〇〇、1〇1、11〇及111 中的一者；或针对更大数目的多个位的另一组值中的一者。可编程到两个以上数据状态中 的一者的单元有时被称作为多电平单元（MLC)。下文更详细论述对这些类型的单元的各种 操作。 存储器装置101可分别接收第一供应线130及第二供应线132上的供应电压（包 括供应电压信号V。。及V ss)。供应电压信号Vss可（例如）在接地电位（例如，具有约零伏 的值）。供应电压信号V。。可包含从外部电源（例如，电池或交流转直流（AC-DC)转换器电 路（图1中未展示））供应到存储器装置101的外部电压。 存储器装置101的电路112进一步经展示以包含选择电路115及输入/输出（1/ 0)电路116。选择电路115可响应于信号SELl到SELn以选择第一数据线106及第二数据 线113上可表示待从存储器单元100读取或待编程到存储器单元100中的信息值的信号。 列解码器1本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种设备，其包括：至少两个电阻改变存储器RCM单元；至少两个电触点，其电耦合到所述至少两个RCM单元中的每一者；及存储器单元材料，其安置于耦合到所述至少两个RCM单元中的每一者的所述至少两个电触点的对之间，所述存储器单元材料能够在所述至少两个电触点之间形成导电路径，所述存储器单元材料的至少一部分经布置以交叉耦合电耦合到所述至少两个RCM单元中的每一者的所述至少两个电触点的选定者之间的导电路径。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.05.11 US 13/469,7061. 一种设备，其包括： 至少两个电阻改变存储器RCM单元； 至少两个电触点，其电耦合到所述至少两个RCM单元中的每一者；及 存储器单元材料，其安置于耦合到所述至少两个RCM单元中的每一者的所述至少两个 电触点的对之间，所述存储器单元材料能够在所述至少两个电触点之间形成导电路径，所 述存储器单元材料的至少一部分经布置以交叉耦合电耦合到所述至少两个RCM单元中的 每一者的所述至少两个电触点的选定者之间的导电路径。2. 根据权利要求1所述的设备，其中所述至少两个RCM单元共享连续存储器单元材料。3. 根据权利要求1所述的设备，其中电耦合到所述至少两个RCM单元中的每一者的所 述至少两个电触点中的每一者的所述对经配置以针对编程、擦除或读取操作个别地存取。4. 根据权利要求1所述的设备，其中待形成于电耦合到所述至少两个RCM单元中的每 一者的所述至少两个电触点的所述对之间的导电路径的数目基于所述电触点的总数目近 似线性增加。5. 根据权利要求4所述的设备，其中用于编程、擦除或读取操作的排列的数目基于导 电路径的所述数目近似根据幂次定律关系而增加。6. 根据权利要求1所述的设备，其中所述RCM单元包括导电桥接随机存取存储器 CBRAM单元。7. 根据权利要求1所述的设备，其中所述RCM单元包括电阻性随机存取存储器RRAM单 J Li 〇8. 根据权利要求1所述的设备，其中至少一些所述RCM单元包括单电平单元存储器装 置。9. 根据权利要求1所述的设备，其中至少一些所述RCM单元包括多电平单元存储器装 置。10. 根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器单元材料包括硫族化物材料。11. 根据权利要求1所述的设备，其中所述电触点的至少一者为包括可氧化金属材料 的阳极。12. 根据权利要求1所述的设备，其中所述电触点中的至少一者为包括惰性材料的阴 极。13. -种设备，其包括： 至少一个电阻改变存储器RCM单元； 三个或三个以上电触点，其电耦合到所述至少一个RCM单元，所述三个或三个以上电 触点彼此横向布置；及 存储器单元材料，其安置于三个或三个以上电触点的对之间，所述存储器单元...
【专利技术属性】
技术研发人员：斯科特·E·西里斯，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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