像素结构及其制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种像素结构及其制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置，其中，所述像素结构包括：多条数据线和多条扫描线；多条数据线和多条扫描线交叉形成的多个像素单元，其中，像素单元与一条数据线和一条扫描线对应；位于像素单元中的像素电极和薄膜晶体管，其中，像素电极具有多条狭缝，狭缝端部具有至少一个拐角区域；其中，像素电极和与其位于同一行的且与其一侧相邻的像素单元中的薄膜晶体管电连接，且该像素电极的至少一个拐角区域向与该像素电极电连接的薄膜晶体管所在的位置处延伸。本发明专利技术的技术方案可以使得延伸后的拐角区域的长度增加，并使拐角区域的端部能够被彩膜基板中的黑色矩阵很好地覆盖，从而可以提高光的透过率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种像素结构及其制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置，其中，所述像素结构包括：多条数据线和多条扫描线；多条数据线和多条扫描线交叉形成的多个像素单元，其中，像素单元与一条数据线和一条扫描线对应；位于像素单元中的像素电极和薄膜晶体管，其中，像素电极具有多条狭缝，狭缝端部具有至少一个拐角区域；其中，像素电极和与其位于同一行的且与其一侧相邻的像素单元中的薄膜晶体管电连接，且该像素电极的至少一个拐角区域向与该像素电极电连接的薄膜晶体管所在的位置处延伸。本专利技术的技术方案可以使得延伸后的拐角区域的长度增加，并使拐角区域的端部能够被彩膜基板中的黑色矩阵很好地覆盖，从而可以提高光的透过率。【专利说明】像素结构及其制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种像素结构及其制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示装置的应用越来越广泛，且显示效果不断地得到改善。 在液晶显示装置中，位于TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶体管)阵列基板上的像素结构是其重要的组成部分，不同的像素结构可以使液晶显示装置产生不同的显示效果。图1是现有技术的像素结构的结构示意图。如图1所示，在现有技术中，液晶显示装置中的像素结构包括:多条数据线11和多条扫描线12，以及多条数据线11和多条扫描线12交叉形成的多个像素单元13 ;位于像素单元13中的薄膜晶体管14和像素电极15，其中，像素电极15包括多条狭缝151，且狭缝151的两端(在图1中为狭缝的上端和狭缝的下端)具有拐角区域A1。 从图1中可以看出，受限于像素单元13的尺寸，拐角区域A1的长度不能够太长，否则会使像素电极15断裂。由于拐角区域A1的长度不够，因此在彩膜基板和阵列基板贴合后拐角区域A1的端部不能被彩膜基板中的黑色矩阵很好地覆盖。由于在拐角区域A1的端部形成的电场与在狭缝151其余部分形成的电场对液晶分子的控制不同，因此，在液晶显示装置进行显示时，与狭缝151其余部分形成的电场相比，拐角区域A1的端部形成的电场，会造成光的透过率降低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种像素结构及其制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置，以解决现有技术中由于拐角区域的长度不够，拐角区域的端部造成光的透过率降低的技术问题。 第一方面，本专利技术实施例提供一种像素结构，包括: 多条数据线和多条扫描线； 所述多条数据线和所述多条扫描线交叉形成的多个像素单元，其中，所述像素单兀与一条数据线和一条扫描线对应； 位于所述像素单元中的像素电极和薄膜晶体管，其中，所述像素电极具有多条狭缝，所述狭缝端部具有至少一个拐角区域； 其中，所述像素电极和与其位于同一行的且与其一侧相邻的像素单元中的薄膜晶体管电连接，且所述像素电极的至少一个拐角区域向与所述像素电极电连接的薄膜晶体管所在的位置处延伸。 第二方面，本专利技术实施例还提供一种像素结构的制造方法，包括: 形成多个薄膜晶体管； 形成多条数据线和多条扫描线，其中，所述多条数据线和多条扫描线交叉形成多个像素单元，所述像素单元与一条数据线和一条扫描线对应，每个像素单元包括一个薄膜晶体管； 形成多个像素电极，每个像素电极位于一个像素单元中，所述像素电极具有多条狭缝，且所述狭缝端部具有至少一个拐角区域，其中，所述像素电极和与其位于同一行的且与其一侧相邻的像素单元中的薄膜晶体管电连接，且所述像素电极的至少一个拐角区域向与所述像素电极电连接的薄膜晶体管所在的位置处延伸。 第三方面，本专利技术实施例还提供一种阵列基板，包括上述第一方面所述的像素结构。 第四方面，本专利技术实施例还提供一种显示面板，包括上述第三方面所述的阵列基板。 第五方面，本专利技术实施例还提供一种显示装置，包括上述第四方面所述的显示面板。 本专利技术实施例提供的像素结构及其制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置，通过将像素电极和与其位于同一行的且与其一侧相邻的像素单元中的薄膜晶体管电连接，且像素电极的至少一个拐角区域向与该像素电极电连接的薄膜晶体管所在的位置处延伸，可以使得延伸后的拐角区域的长度增加，且相应的拐角区域的端部靠近与其所在的像素电极电连接的薄膜晶体管，这样相应的拐角区域的端部在彩膜基板和阵列基板贴合后能够被彩膜基板中的黑色矩阵很好地覆盖，从而可以提高光的透过率。 【专利附图】【附图说明】 通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显: 图1是现有技术的像素结构的结构示意图； 图2a是本专利技术实施例提供的一种像素结构的结构示意图； 图2b是本专利技术实施例提供的另一种像素结构的结构示意图 图3a是本专利技术实施例提供的又一种像素结构的结构示意图； 图3b是本专利技术实施例提供的再一种像素结构的结构示意图； 图4是本专利技术实施例提供的再一种像素结构的结构示意图； 图5是本专利技术实施例提供的一种像素结构的制造方法的流程示意图； 图6是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图； 图7是本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图； 图8是本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。 【具体实施方式】 下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部内容。 本专利技术实施例提供一种像素结构。图2a是本专利技术实施例提供的一种像素结构的结构示意图。如图2a所示，所述像素结构包括:多条数据线21和多条扫描线22 ;所述多条数据线21和所述多条扫描线22交叉形成的多个像素单元23，其中，所述像素单元23与一条数据线21和一条扫描线22对应；位于所述像素单元23中的像素电极25和薄膜晶体管24，其中，所述像素电极25具有多条狭缝251，所述狭缝251端部具有至少一个拐角区域A2;其中，所述像素电极25和与其位于同一行的且与其一侧(在图中为左侧)相邻的像素单元23中的薄膜晶体管24电连接，且所述像素电极25的至少一个拐角区域A2向与所述像素电极25电连接的薄膜晶体管24所在的位置处延伸。 需要说明的是，像素单元进行显示是由位于像素单元中的像素电极和与该像素电极电连接的且控制该像素电极的薄膜晶体管来实现的，在薄膜晶体管对像素电极进行控制的同时，也就实现了薄膜晶体管对所述像素电极所在的像素单元的控制。与薄膜晶体管的栅极电连接的扫描线可以控制薄膜晶体管的开启或者关闭，与薄膜晶体管的源极电连接的数据线可以在薄膜晶体管开启时，为与其电连接的像素电极提供数据信号。鉴于此，上述的像素单元23与一条数据线21和一条扫描线22对应，可以理解为:与像素单元23对应的一条数据线21为控制该像素单元23的薄膜晶体管24所电连接的数据线21，与像素单元23对应的一条扫描线22为控制该像素单元23的薄膜晶体管24所电连接的扫描线22。 具体地，参见图2a，将像素电极25和与其位于同一行的且与其一侧(在图中为左侦D相邻的像素单元23中的薄膜晶体管24通过跨线252电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，包括：多条数据线和多条扫描线；所述多条数据线和所述多条扫描线交叉形成的多个像素单元，其中，所述像素单元与一条数据线和一条扫描线对应；位于所述像素单元中的像素电极和薄膜晶体管，其中，所述像素电极具有多条狭缝，所述狭缝端部具有至少一个拐角区域；其中，所述像素电极和与其位于同一行的且与其一侧相邻的像素单元中的薄膜晶体管电连接，且所述像素电极的至少一个拐角区域向与所述像素电极电连接的薄膜晶体管所在的位置处延伸。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王听海，曹兆铿，林珧，秦丹丹，
申请(专利权)人：上海中航光电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31