研磨方法及研磨装置制造方法及图纸

一种研磨方法，对基板的周缘部是否有异常部位进行检查，在未检测出异常部位的场合对基板进行研磨，在检测出异常部位的场合不对基板进行研磨。作为基板的异常部位，如有附着在基板周缘部上的粘接剂等异物。在基板的研磨后，再次对基板的周缘部是否有异常部位进行检查。采用本发明专利技术的研磨方法，可将基板的破损防患于未然。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种对晶片等基板进行研磨的方法及装置。
技术介绍
半导体器件的制造处理包括：对SiO2等绝缘膜进行研磨的工序、和对铜、钨等金属膜进行研磨的工序等各种工序。在背面照射型CMOS传感器的制造工序中，除了绝缘膜或金属膜的研磨工序外，还包含对硅层(硅片)进行研磨的工序。背面照射型CMOS传感器是利用了背面照射(BSI：Back side illumination)技术的图像传感器，其受光面由硅层形成。硅贯通电极(TSV：Through-silicon via)的制造工序也包含对硅层进行研磨的工序。硅贯通电极是由形成于贯通硅层的孔中的铜等金属构成的电极。在BSI处理及TSV处理中，常常使用SOI(绝缘硅：Silicon on Insulator)基板。该SOI基板是将器件基板与硅基板贴合在一起而制成的。更具体地说，如图10(a)及图10(b)所示，利用粘接剂将器件基板W1与硅基板W2贴合在一起，通过用研磨机从器件基板W的背面对其磨削，从而获得图10(c)所示那样的层叠有硅层及器件层的SOI基板。此外，如图10(d)所示，有时通过研磨去除器件层的边缘部。如此做成的SOI基板，接着被输送到CMP装置，在此对SOI基板的硅层进行研磨。即，一边将浆料供给到研磨垫上，一边使SOI基板与研磨垫接触，由此研磨硅层。专利技术所要解决的课题在SOI基板的周缘部上，有时SOI基板制造工序中所使用的粘接剂会露出。还有在SOI基板上产生裂纹、存在硅层剥离的现象。当这种异常部位存在于SOI基板时，有可能会给SOI基板的研磨带来不良影响。例如，露出的粘接剂附着在研磨垫上、SOI基板产生开裂。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而做成的，其目的在于，提供一种能将基板的破损防患于未然的研磨方法及研磨装置。用于解决课题的手段为实现上述目的，本专利技术的第1形态是一种研磨方法的特点是，对基板的周缘部是否有异常部位进行检查，在未检测出所述异常部位的场合，对所述基板进行研磨，在检测出所述异常部位的场合，不对所述基板进行研磨。且特点是，在所述基板的研磨后，再次对所述基板的周缘部是否有异常部位进行检查。且特点是，当在研磨后的所述基板的周缘部检测出异常部位的场合，不开始后续的基板的研磨。且特点是，当在研磨后的所述基板的周缘部检测出异常部位的场合，变更后续的基板的研磨的研磨条件。且特点是，对所述基板的周缘部是否有异常部位的检查，是取得基板的周缘部的图像，并基于该图像而对所述基板的周缘部是否有异常部位进行检查的工序。且特点是，基于所述图像而对所述基板的周缘部是否有异常部位进行检查的工序，是通过对指标值与规定阈值进行比较，而对所述基板的周缘部是否有异常部位进行检查的工序，所述指标值表示出现在所述图像上的所述异常部位的特征。且特点是，所述指标值表示所述异常部位的大小、长度、形状和颜色浓淡中的某一个。且特点是，当由多个基板构成的每一组中，存在异常部位的基板的枚数达到设定值时，不开始后续的基板的研磨。且特点是，所述基板是通过将器件基板与硅基板贴合在一起而制成的SOI基板。且特点是，所述异常部位是附着在所述SOI基板的露出面上的异物或所述SOI基板的硅层剥离的部位。本专利技术的第2形态是一种研磨方法的特点是，对基板进行研磨，暂时中断所述基板的研磨，对所述基板的周缘部是否有异常部位进行检查，在未检测出所述异常部位的场合，再次开始所述基板的研磨，在检测出所述异常部位的场合，结束所述基板的研磨。本专利技术的第3形态是一种研磨装置，其特点是，具有：对基板的周缘部是否有异常部位进行检查的检查单元；对所述基板进行研磨的研磨单元；基板输送单元，所述基板输送单元在所述检查单元与所述研磨单元之间对所述基板进行输送；以及动作控制部，所述动作控制部对所述检查单元、所述研磨单元及所述基板输送单元的动作进行控制，在未检测出所述异常部位的场合，所述基板输送单元将所述基板输送到所述研磨单元，在检测出所述异常部位的场合，所述基板输送单元不将所述基板输送到所述研磨单元。本专利技术的第4形态是一种研磨装置，其特点是，具有：对基板的周缘部是否有异常部位进行检查的检查单元；对所述基板进行研磨的研磨单元；基板输送单元，所述基板输送单元在所述检查单元与所述研磨单元之间对所述基板进行输送；以及动作控制部，所述动作控制部对所述检查单元、所述研磨单元及所述基板输送单元的动作进行控制，所述研磨单元在开始研磨所述基板后暂时将研磨中断，然后，所述基板输送单元将所述基板输送到所述检查单元，所述检查单元对所述基板的周缘部是否有异常部位进行检查，在未检测出所述异常部位的场合，所述基板输送单元将所述基板输送到所述研磨单元，在检测出所述异常部位的场合，所述基板输送单元不将所述基板输送到所述研磨单元。专利技术的效果采用本专利技术的第1、第3形态，在研磨前检查有无附着在基板周缘部上的粘接剂等异常部位。因此，能将异常部位的存在所引起的研磨时的基板的破损防患于未然。采用本专利技术的第2、第4形态，在结束研磨基板前检查基板是否有异常部位。因此，能将异常部位的存在所引起的研磨时的基板的破损防患于未然。附图说明图1是表示能实施本专利技术的研磨方法的一实施方式的研磨装置的模式图。图2是图1所示的CMP单元的立体图。图3是表示检查单元的模式图。图4是表示步进重复式的晶片的摄像位置的例子的示图。图5是表示步进重复式的动作顺序的流程图。图6是说明晶片处理的流程的一实施方式的流程图。图7是说明晶片处理的流程的另一实施方式的流程图。图8是表示将基板检查部装入基板输送单元的例子的研磨装置的俯视图。图9是图8的研磨装置的立体图。图10(a)至图10(d)是对SOI基板的制造工序进行说明的示图。具体实施方式下面，参照说明书附图来对本专利技术的实施方式进行说明。图1是表示能实行本专利技术的研磨方法的一实施方式的研磨装置的模式图。本专利技术的研磨方法，可较佳地适用于如图10(a)至图10(d)所示那样的SOI基板的研磨，该SOI基板是通过将器件基板与硅基板贴合在一起而制成的。如图1所示，研磨装置具有：对作为基板的一例的晶片进行研磨的CMP单元(研磨单元)5；对晶片的周缘部是否有异常部位进行检查的检查单元6；在CMP单元5与检查单元6之间输送晶片的基板输送单元7；以及对CMP单元5、检查单元6及基板输送单元7的动作进行控制的动作控制部8。图2是图1所示的CMP单元5的立体图。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种研磨方法，其特征在于，对基板的周缘部是否有异常部位进行检查，在未检测出所述异常部位的场合，对所述基板进行研磨，在检测出所述异常部位的场合，不对所述基板进行研磨。

【技术特征摘要】
2013.07.08 JP 2013-1428551.一种研磨方法，其特征在于，
对基板的周缘部是否有异常部位进行检查，
在未检测出所述异常部位的场合，对所述基板进行研磨，
在检测出所述异常部位的场合，不对所述基板进行研磨。
2.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，在所述基板的研磨后，再次对所
述基板的周缘部是否有异常部位进行检查。
3.如权利要求2所述的研磨方法，其特征在于，当在研磨后的所述基板的周缘部
检测出异常部位的场合，不开始后续的基板的研磨。
4.如权利要求2所述的研磨方法，其特征在于，当在研磨后的所述基板的周缘部
检测出异常部位的场合，变更后续的基板的研磨的研磨条件。
5.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，对所述基板的周缘部是否有异常
部位的检查，是取得基板的周缘部的图像，并基于该图像而对所述基板的周缘部是否
有异常部位进行检查的工序。
6.如权利要求5所述的研磨方法，其特征在于，基于所述图像而对所述基板的周
缘部是否有异常部位进行检查的工序，是通过对指标值与规定阈值进行比较，而对所
述基板的周缘部是否有异常部位进行检查的工序，所述指标值表示出现在所述图像上
的所述异常部位的特征。
7.如权利要求6所述的研磨方法，其特征在于，所述指标值表示所述异常部位的
大小、长度、形状和颜色浓淡中的某一个。
8.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，当由多个基板构成的每一组中，
存在异常部位的基板的枚数达到设定值时，不开始后续的基板的研磨。
9.如权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述基板是通过将器件基板与硅

\t基板贴合在一起而制成的SOI基板。
10.如权利要求9所述的研磨方法，其特征在于，所述异常部位是附着在所述SOI
基板的露出面上的异物或所述SOI基板的硅层剥离的部位。
11.一种研磨方法，其特征在于，
对基板进行研磨，
暂时中断所述基板的研磨，对所述基板的周缘部是否有异常部位进行检查，
在未检测出所述异常部位的场合，再次开始所述基板的研磨，
在检测出所述异常部位的场合，结束所述基板的研磨。
12.如权利要求11所述的研磨方法，其特征在于，在所述基板的研磨后，再次对所
述基板的周缘部是否有异常部位进行检查。
13.如权利要求12所述的研磨方法，其特征在于，当在研磨后的所述基板的周缘
部检测出异常部位的场合，不开始后续的基板的研磨。
14.如权利要求12所述的研磨方法，其特征在于，当在研磨后的所述基板的周缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：金马利文，八木圭太，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP