半导体发光元件制造技术

本发明专利技术涉及半导体发光元件。根据一个实施例，一种半导体发光元件包括第一电极、第一和第二发光单元、第一和第二导电层、第一连接电极、第一电介质层、第一和第二衬垫、以及第一发光单元间电介质层。第一发光单元包括第一和第二半导体层以及第一发光层。第一半导体层包括第一半导体部分和第二半导体部分。第二发光单元包括第三半导体层、第四半导体层以及第二发光层。第四半导体层电连接到第一电极。第一导电层电连接到第三半导体层。第二导电层电连接到第二半导体层。第一连接电极电连接第一导电层和第一半导体部分。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请基于2013年7月1日提交的日本专利申请No.2013-138301并且要求其优先权；该在先申请的全部内容通过引用的方式结合在本申请中。
此处描述的实施例总体上涉及半导体发光器件。
技术介绍
已经提出了其中多个LED(发光二极管)层叠的半导体发光元件。在这种层叠的半导体发光元件中设有很多遮光的互连。因此，光提取效率低。
技术实现思路
根据一个实施例，一种半导体发光元件包括第一电极、第一发光单元、第二发光单元、第一导电层、第二导电层、第一连接电极、第一电介质层、第一衬垫、第二衬垫、以及第一发光单元间电介质层。所述第一发光单元包括第一半导体层、第二半导体层以及第一发光层。所述第一半导体层在第一方向上与所述第一电极分开并且包括第一半导体部分和第二半导体部分。所述第二半导体部分与所述第一半导体部分设于与所述第一方向交叉的方向上。所述第二半导体层设于所述第二半导体部分与所述第一电极之间。所述第一发光层设于所述第二半导体部分和所述第二半导体层之间。所述第二发光单元包括第三半导体层、第四半导体层以及第二发光层。所述第三半导体层设于所述第一电极与所述第一发光单元之间。所述第四半导体层设于所述第三半导体层与所述第一电极之间。所述第四半导体层电连接到所述第一电极。所述第二发光层设于所述第三半导体层和所述第四半导体层之间。所述第一导电层包括第一衬垫设置部分和第一层间部分。所述第一层间部分设于所述第一发光单元与所述第二发光单元之间。所述第一衬垫设置部分和所述第一层间部分设于与所述第一方向交叉的方向上。所述第一导电层电连接到所述第三半导体层。所述第二导电层包括第二衬垫设置部分和第二层间部分。所述第二层间部分设于所述第一发光单元与所述第二发光单元之间。所述第二衬垫设置部分和所述第二层间部分设于与所述第一方向交叉的方向上。所述第二导电层电连接到所述第二半导体层。所述第一连接电极在所述第一方向上延伸并电连接所述第一层间部分和所述第一半导体部分。所述第一电介质层设于所述第一连接电极与所述第二半导体层之间、所述第一连接电极与所述第一发光层之间、以及所述第一连接电极与所述第二导电层之间。所述第一衬垫电连接到所述第一衬垫设置部分。所述第二衬垫电连接到所述第二衬垫设置部分。所述第一发光单元间电介质层设于所述第一发光单元与所述第二发光单元之间、所述第一发光单元与所述第一导电层之间、所述第二导电层与所述第二发光单元之间、以及所述第一导电层与所述第二导电层之间。所述第一发光单元间电介质层是透光的。附图说明图1A-图1C是示出了根据第一实施例的半导体发光元件的示意图；图2A-图2D是示出了根据第一实施例的半导体发光元件的示意图；图3A-图3C是示出了制造根据第一实施例的半导体发光元件的方法的示意图；图4是示出根据第一实施例的另一个半导体发光元件的示意性横截面视图；图5A-图5B是示出了根据第一实施例的其它半导体发光元件的示意性横截面；图6是示出根据第一实施例的另一个半导体发光元件的示意性横截面视图；图7A-图7D是示出了根据第一实施例的另一半导体发光元件的示意图；图8A-图8F是示出了根据第一实施例的另一半导体发光元件的示意图；图9是示出根据第一实施例的另一个半导体发光元件的示意性横截面视图；图10A-图10B是示出了根据第一实施例的其它半导体发光元件的示意性横截面；图11是示出根据第一实施例的另一个半导体发光元件的示意性横截面视图；并且图12是示出根据第二实施例的半导体发光元件的示意性横截面视图。具体实施方式在下文中将参考附图描述各种实施例。附图是示意性或概念性的；并且各部分的厚度和宽度之间的关系、各部分之间的尺寸比例等不一定与其实际值相同。此外，该尺寸和/或比例在图之间可能被不同地示出，甚至对于相同的部分也是如此。在本申请的附图及说明书中，与上文的附图相关地描述的部件相似的部件用相似的附图标记标示，并且适当地省略具体描述。第一实施例图1A-图1C是示出了根据第一实施例的半导体发光元件的示意图。图1A是俯视图。图1B是图1A的线A1-A2横截面视图。图1B是图1A的线B1-B2横截面视图。如图1B和图1C所示，根据该实施例的半导体发光元件110包括第一电极61、第一发光单元10u、第二发光单元20u、第一连接电极51、第一电介质层51i、第一衬垫41p、第二衬垫42p、以及第一发光单元间电介质层71。在该实例中，还提供第一导电层41和第二导电层42。第一电极61是反射光的。第一电极61包括例如选自Ag、Al、Rh和Au中的至少一种。包括选自Ag、Al、Rh和Au中的至少一种的合金可以用作第一电极61。该第一发光单元10u包括第一半导体层11、第二半导体层12以及第一发光层10L。第一半导体层11在第一方向D1上与第一电极61分开。例如，以与第一电极61的主表面61a垂直的方向为Z轴方向。以垂直于Z轴方向的一个方向为X轴方向。以垂直于Z轴方向和X轴方向的方向为Y轴方向。第一方向D1平行于例如Z轴方向。第一半导体层11包括第一半导体部分11a和第二半导体部分11b。第二半导体部分11b与第一半导体部分11a布置在与第一方向D1(例如，Z轴方向)交叉的方向上。例如，第二半导体部分11b与第一半导体部分11a设置在X-Y平面内。第一半导体层11具有第一导电类型。第二半导体层12设于第二半导体部分11b与第一电极61之间。第二半导体层12具有第二导电类型。第二导电类型不同于第一导电类型。该第一发光层10L设于该第二半导体部分11b和该第二半导体层12之间。第一发光层10L发射具有第一峰值波长的光(第一光)。第一发光单元10u是例如LED芯片。该第二发光单元20u包括第三半导体层23、第四半导体层24以及第二发光层20L。该第三半导体层23设于该第一电极61与该第一发光单元10u之间。第三半导体层23具有第三导电类型。第四半导体层24设于第三半导体层23与第一电极61之间。第四半导体层24电连接到第一电极61。第四半导体层24具有第四导电类型。第四导电类型不同于第三导电类型。该第二发光层20L设于该第三半导体层23和该第四半导体层24之间。第二发光层20L发射具有第二峰值波长的光(第二光)。第二发光单元20u是例如LED芯片。例如，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件，包括：第一电极；第一发光单元，其包括第一半导体层，第二半导体层，以及第一发光层，所述第一半导体层在第一方向上与所述第一电极分开并且包括第一半导体部分和第二半导体部分，所述第二半导体部分与所述第一半导体部分设于与所述第一方向交叉的方向上，所述第二半导体层设于所述第二半导体部分与所述第一电极之间，所述第一发光层设于所述第二半导体部分与所述第二半导体层之间；第二发光单元，其包括第三半导体层，第四半导体层，以及第二发光层，所述第三半导体层设于所述第一电极与所述第一发光单元之间，所述第四半导体层设于所述第三半导体层与所述第一电极之间，所述第四半导体层电连接到所述第一电极，所述第二发光层设于所述第三半导体层与所述第四半导体层之间；第一导电层，其包括第一衬垫设置部分，和第一层间部分，所述第一层间部分设于所述第一发光单元与所述第二发光单元之间，所述第一衬垫设置部分和所述第一层间部分设于与所述第一方向交叉的方向上，所述第一导电层电连接到所述第三半导体层；第二导电层，其包括第二衬垫设置部分，和第二层间部分，所述第二层间部分设于所述第一发光单元与所述第二发光单元之间，所述第二衬垫设置部分和所述第二层间部分设于与所述第一方向交叉的方向上，所述第二导电层电连接到所述第二半导体层；第一连接电极，其在所述第一方向上延伸并电连接所述第一层间部分和所述第一半导体部分；第一电介质层，其设于所述第一连接电极与所述第二半导体层之间、所述第一连接电极与所述第一发光层之间、以及所述第一连接电极与所述第二导电层之间；第一衬垫，其电连接到所述第一衬垫设置部分；第二衬垫，其电连接到所述第二衬垫设置部分；以及第一发光单元间电介质层，其设于所述第一发光单元与所述第二发光单元之间、所述第一发光单元与所述第一导电层之间、所述第二导电层与所述第二发光单元之间、以及所述第一导电层与所述第二导电层之间，所述第一发光单元间电介质层是透光的。...

【技术特征摘要】
2013.07.01 JP 2013-1383011.一种半导体发光元件，包括：
第一电极；
第一发光单元，其包括
第一半导体层，
第二半导体层，以及
第一发光层，
所述第一半导体层在第一方向上与所述第一电极分开并且包括第
一半导体部分和第二半导体部分，所述第二半导体部分与所述第一半导体
部分设于与所述第一方向交叉的方向上，所述第二半导体层设于所述第二
半导体部分与所述第一电极之间，所述第一发光层设于所述第二半导体部
分与所述第二半导体层之间；
第二发光单元，其包括
第三半导体层，
第四半导体层，以及
第二发光层，
所述第三半导体层设于所述第一电极与所述第一发光单元之间，
所述第四半导体层设于所述第三半导体层与所述第一电极之间，
所述第四半导体层电连接到所述第一电极，所述第二发光层设于所述第三
半导体层与所述第四半导体层之间；
第一导电层，其包括
第一衬垫设置部分，和
第一层间部分，
所述第一层间部分设于所述第一发光单元与所述第二发光单元之
间，
所述第一衬垫设置部分和所述第一层间部分设于与所述第一方向
交叉的方向上，
所述第一导电层电连接到所述第三半导体层；
第二导电层，其包括
第二衬垫设置部分，和
第二层间部分，
所述第二层间部分设于所述第一发光单元与所述第二发光单元之
间，
所述第二衬垫设置部分和所述第二层间部分设于与所述第一方向
交叉的方向上，
所述第二导电层电连接到所述第二半导体层；
第一连接电极，其在所述第一方向上延伸并电连接所述第一层间部分
和所述第一半导体部分；
第一电介质层，其设于所述第一连接电极与所述第二半导体层之间、
所述第一连接电极与所述第一发光层之间、以及所述第一连接电极与所述
第二导电层之间；
第一衬垫，其电连接到所述第一衬垫设置部分；
第二衬垫，其电连接到所述第二衬垫设置部分；以及
第一发光单元间电介质层，其设于所述第一发光单元与所述第二发光
单元之间、所述第一发光单元与所述第一导电层之间、所述第二导电层与
所述第二发光单元之间、以及所述第一导电层与所述第二导电层之间，所
述第一发光单元间电介质层是透光的。
2.根据权利要求1所述的元件，其中
所述第一导电层布置在所述第一衬垫与所述第二发光单元之间，并且
所述第二导电层布置在所述第二衬垫与所述第二发光单元之间。
3.根据权利要求1所述的元件，其中所述第二导电层包括：
设于所述第一发光单元与所述第一发光单元间电介质层之间的第一透
光导电单元，所述第一透光导电单元电连接到所述第二半导体层，以及
第一互连单元，其设于所述第一透光导电单元与所述第一发光单元间
电介质层之间，所述第一互连单元电连接到所述第一透光导电单元，所述

\t第一互连单元的光学透射率低于所述第一透光导电单元的光学透射率。
4.根据权利要求3所述的元件，其中当投影到与所述第一方向垂直的
面上时，所述第一导电层的至少一部分与所述第一互连单元的至少一部分
彼此交叠。
5.根据权利要求3所述的元件，其中
所述第一导电层还包括在所述第一层间部分与所述第一衬垫设置部分
之间延伸的第一延伸部分，并且
当投影到与所述第一方向垂直的面上时，所述第一延伸部分的至少一
部分与所述第一互连单元的至少一部分彼此交叠。
6.根据权利要求3所述的元件，其中所述第一透光导电单元的至少一
部分布置在所述第二衬垫与所述第二发光单元之间。
7.根据权利要求3所述的元件，其中所述第一互连单元的至少一部分
布置在所述第二衬垫与所述第二发光单元之间。
8.根据权利要求1所述的元件，其中在投影到与所述第一方向垂直的
面上时，所述第一衬垫不与所述第二衬垫交叠。
9.根据权利要求1所述的元件，还包括：支撑层；以及第二电极，所
述第二电极电连接到所述第一电极，
所述第一电极布置在所述第二发光单元与所述第二电极之间，并且
所述支撑层布置在所述第一电极与所述第二电极之间。
10.根据权利要求9所述的元件，还包括：支撑层侧电介质层，其在
所述支撑层与所述第二发光单元之间沿着所述第二发光单元的外边缘设
置。
11.根据权利要求1所述的元件，其中所述第一半导体层具有n型，
所述第三半导体层具有n型的，所述第二半导体层具有p型，并且所述第
四半导体层具有p型。
12.根据权利要求1所述的元件，其中
所述第一发光单元间电介质层包括第一光学层，
所述第一发光层被构造成发射具有第一峰值波长的第一光，
所述第二发光层被构造成发射具有第二峰值波长的第二光，所述第二
峰值波长不同于所述第一峰值波长，
所述第一光学层对所述第二光的透射率高于所述第一光学层对所述第
一光的透射率，并且
所述第一光学层对所述第一光的反射率高于所述第一光学层对所述第
二光的反射率。
13.根据权利要求1所述的元件，还包括：
第三发光单元，其包括
第五半导体层，
第六半导体层，以及
第三发光层，
所述第五半导体层在所述第一方向上与所述第一发光单元分开，
所述第一发光单元布置在所述第五半导体层与所述第二发光单元之间，所
述第五半导体层包括第三半导体部分和第四半导体部分，所述第四半导体

【专利技术属性】
技术研发人员：胜野弘，斎藤真司，桥本玲，黄钟日，布上真也，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP