制备多晶硅层的方法技术

技术编号:10857426 阅读:90 留言:0更新日期:2015-01-01 08:46
本发明专利技术公开了一种制备多晶硅层的方法,通过分批多次沉积非晶硅薄膜,并在每次沉积工艺后均进行准分子镭射工艺,不仅能够将非晶硅薄膜完全转化为多晶硅薄膜,并且能够控制多晶硅薄膜的均匀性,若干多晶硅薄膜依次层叠形成一多晶硅层,从而获得均匀性较好的多晶硅层,在提高产品性能的同时,还有效避免了显示器件中色差问题的发生,进而大幅提高了产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种,通过分批多次沉积非晶硅薄膜,并在每次沉积工艺后均进行准分子镭射工艺,不仅能够将非晶硅薄膜完全转化为多晶硅薄膜,并且能够控制多晶硅薄膜的均匀性,若干多晶硅薄膜依次层叠形成一多晶硅层,从而获得均匀性较好的多晶硅层,在提高产品性能的同时,还有效避免了显示器件中色差问题的发生,进而大幅提高了产品的良率。【专利说明】
本专利技术涉及半导体制造
,尤其涉及一种。
技术介绍
现代生活的快速发展,视频产品,特别是数字化的视频或者影像装置,这些高科技产品愈易常见的走进人们的生活。在这些数字化的视频或者影像装置中,显示器是必不可少的部件,用以显示相关信息。使用者可由显示器读取信息,或进而控制装置的运作。 而薄膜晶体管可应用于液晶显示器的驱动组件,使得液晶显示器成为桌上直式型平面显示器的主流,于个人笔记本、游戏机、监视器等市场成为未来的主导性产品。目前,因非晶硅薄膜可于200?300°C的低温环境下生长,因此非晶硅薄膜晶体管被广泛使用。但是非晶硅的电子迁移率低,使得非晶硅薄膜晶体管已跟不上目前高速组件的应用需求,而多晶硅薄膜晶体管相较于非晶硅薄膜晶体管具有较高的迁移率和低温敏感性,使其更适用于闻速组件。 图1是传统制备多晶硅薄膜的流程示意图,如图所示,首先在非晶硅薄膜上表面淀积一金属材料层,金属材料层部分覆盖非晶硅薄膜;而后对金属材料层进行准分子镭射工艺,以使金属材料层中的金属原子扩散至非晶硅薄膜中,同时金属材料层传递准分子镭射能量至金属材料层下方的非晶硅薄膜上,使金属材料层下方的非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜,从而形成具有高载流子迁移率的多晶硅,以提高多晶硅层的导电性;最后对未被金属材料层覆盖的非晶硅薄膜区域进行准分子镭射工艺,使未被金属材料层覆盖的非晶硅薄膜亦转化为多晶硅薄膜。 然而,在进行第二次准分子镭射工艺过程中,将位于金属材料层与非晶硅层接口处的非晶硅转化为多晶硅时,由于邻近接口处的非晶硅薄膜中存在金属原子,吸收激光能量较强,导致该位置处形成的多晶硅薄膜的均匀性难以控制,进而造成制备的多晶硅薄膜均匀性较差,影响产品的性能,尤其在均匀性需求较高的产品中,如制备AMOLED (有源矩阵有机发光二极体面板),采用均匀性较差的多晶硅薄膜制备显示器件时,其会与正常的显示器之间在工作过程中形成严重的色差现象,从而降低了产品的良率,影响产品的性能。 中国专利(【专利技术者】叶昱均, 许民庆 申请人:上海和辉光电有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备多晶硅层的方法,其特征在于,包括:于一衬底上循环利用多晶硅沉积转化工艺制备若干多晶硅薄膜,以形成覆盖该衬底上表面的多晶硅层;其中,该多晶硅层由所述若干多晶硅薄膜依次层叠形成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:叶昱均许民庆
申请(专利权)人:上海和辉光电有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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