【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】选择性外延生长装置及集群设备
本专利技术涉及一种在基板上使外延薄膜(Epitaxial film)选择性生长的选择性外延生长(Selctive Epitaxial Growth:SEG)装置及集群设备。
技术介绍
外延(Epitaxial)生长是指,在半导体基板上使具有与半导体基板相同的晶体结构的薄膜生长的工艺。 另外,所谓选择性外延生长(Selctive Epitaxial Growth:SEG)是指,在半导体基板的规定区域形成氧化膜、氮化膜等绝缘膜以暴露半导体基板的规定区域,并仅在暴露的半导体基板上使具有与其相同的晶体结构的同种或异种半导体膜生长的工艺。如果利用选择性外延生长,则具有如下优点,即:使得通过现有的平板技术难以制作的具有三维结构的半导体元件的制作变得简单。在包括这种选择性外延生长(Selective Epitaxial Growth:SEG)的工艺中,基板上的气体供应及气体分布非常重要。 然而,在现有的配置类型的选择性单晶生长装置中,从侧面喷嘴喷出的反应气体向内管的上侧、下侧等形成有排气流路之处流动,从而使基板上部的反应 ...
【技术保护点】
一种选择性外延生长装置,其特征在于,包括:工艺管,包括内管和包围所述内管的外管,所述内管收容用于收纳多个基板的基板搭载单元,加热组件,包围所述工艺管,侧部喷嘴部,铅垂设置于所述工艺管的内侧;所述侧部喷嘴部包括第一侧部喷嘴及第二侧部喷嘴,所述第一侧部喷嘴喷射用于选择性外延生长的蚀刻气体,所述第二侧部喷嘴喷射用于选择性外延生长的沉积气体。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.03.28 KR 10-2012-0031623;2013.03.19 KR 10-2011.一种选择性外延生长装置,其特征在于,包括: 工艺管,包括内管和包围所述内管的外管,所述内管收容用于收纳多个基板的基板搭载单元, 加热组件,包围所述工艺管, 侧部喷嘴部,铅垂设置于所述工艺管的内侧; 所述侧部喷嘴部包括第一侧部喷嘴及第二侧部喷嘴,所述第一侧部喷嘴喷射用于选择性外延生长的蚀刻气体,所述第二侧部喷嘴喷射用于选择性外延生长的沉积气体。2.如权利要求1所述的选择性外延生长装置,其特征在于,所述侧部喷嘴部还包括多个侧帘喷嘴,所述多个侧帘喷嘴隔着所述第一侧部喷嘴并排配置在该第一侧部喷嘴的两侦牝并且,所述多个侧帘喷嘴为了提高从所述第一侧部喷嘴喷射出的第一工艺气体的直线前进特性而喷射非活性气体。3.如权利要求1或2所述的选择性外延生长装置,其特征在于,还包括载板旋转部,该载板旋转部用于使所述基板搭载单元旋转。4.如权利要求1或2所述的选择性外延生长装置,其特征在于,所述侧部喷嘴部还包括预沉积喷嘴,该预沉积喷嘴用于对所述内管内部进行预涂覆。5.如权利要求1或2所述的选择性外延生长装置,其特征在于,所述侧部喷嘴部还包括下部清洗喷嘴,在清洗所述内管内部时,所述下部清洗喷嘴清洗所述内管的下端部。6.如权利要求5所述的选择性外延生长装置,其特征在于,所述下部清洗喷嘴的长度比其他侧部喷嘴的长度短。7.如权利要求1所述的选择性外延生长装置,其特征在于,所述第一侧部喷嘴和第二侧部喷嘴中的至少一个包括多个区间喷嘴,所述多个区间喷嘴分别对所述基板搭载单元的长度方向上的至少两个区间喷射气体。8.如权利要求7所述的选择性外延生长装置,其特征在于,就所述多个区间喷嘴而言,为了使喷嘴内部中的气体停滞时间相同,所述多个区间喷嘴中的负责所述基板搭载单元的下侧区间的区间喷嘴具有双重管结构。9.如权利要求7所述的选择性外延生长装置,其特征在于,就所述多个区间喷嘴而言,为了使喷嘴内部中的气体停滞时间相同,在所述多个区间喷嘴中的负责所述基板搭载单元的下侧区间的区间喷嘴设置有用于抑制气体流动的限制结构体。10.如权利要求1或2所述的选择性外延生长装置,其特征在于,所述内管形成为上部封闭的圆顶形状,在所述内管的一侧面还包括切开部,该切开部与所述第一侧部喷嘴设置于同一直线上。11.如权利要求10所述的选择性外延生长装置,其特征在于,所述切开部形成为随着从下端靠近上端而宽度逐渐变宽的倒三角形、随着从下端靠近上端而宽度逐渐变窄的三角形、上下不对称的形状或者分别与所述第一侧部喷嘴的多个喷射孔相向的独立孔形状。12.如权利要求3所述的选择性外延生长装置,其特征在于, 包括控制部,该控制部用于控制所述载板旋转部的动作, 所述控制部根据所述侧部喷嘴部的各个气体供应阶段的时间,对所述载板旋转部的旋转速度进行控制。13.一种集群设备,用于处理基板,其特征在于,包括: 设备前端模块,具有多个装载端口,搭载有多个基板的卡匣放置于该多个装载端口 ; 第一负荷固定舱,通过闸阀与所述设备前端模块相连接,并且,该第一负荷固定舱的内部空间能够在大气压和真空压之间进行选择性转...
【专利技术属性】
技术研发人员:朴用城,李成光,金东烈,金基勋,
申请(专利权)人:国际电气高丽株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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