【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种装置，包括：高压侧半导体，低压侧半导体，与所述高压侧半导体相邻布置的第一感测元件，其中所述第一感测元件与所述高压侧半导体隔离；其中所述第一感测元件可直接连接至处理装置。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·威尔科费尔，A·基普，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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