一种磁记录介质包括基体、晶种层、底层以及具有粒状结构的垂直记录层。(Ms·α·δ1.5(1-Rs)0.33)、Ms以及α满足(Ms·α·δ1.5(1-Rs)0.33)≤0.1[μ·emu·(mm)-1.5]、Ms≥450[emu/cc]以及α≥1.2。在上述公式中，Ms表示饱和磁化量，α表示抗磁力Hc周围的M-H环的梯度，δ表示垂直记录层的厚度，并且Rs表示矩形比。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种磁记录介质包括基体、晶种层、底层以及具有粒状结构的垂直记录层。(Ms·α·δ1.5(1-Rs)0.33)、Ms以及α满足(Ms·α·δ1.5(1-Rs)0.33)≤0.1、Ms≥450以及α≥1.2。在上述公式中，Ms表示饱和磁化量，α表示抗磁力Hc周围的M-H环的梯度，δ表示垂直记录层的厚度，并且Rs表示矩形比。【专利说明】磁记录介质 相关申请的交叉引用 本申请要求于2013年6月5日提交的日本优先权专利申请JP2013-119187的权 益，通过引用将其全部内容结合在此。
本技术涉及一种磁记录介质。更具体地，本技术涉及一种包括晶种层的磁记录介 质。
技术介绍
近年来，其中将磁粉末施加在非磁性支撑件上的涂覆型磁记录介质已经成为用于 数据存储的磁记录介质的主流。为了增加每一个磁盒（catridge)的记录容量，需要使用精 细粉状磁粉末来提高记录密度；然而，根据目前使用的涂敷方法，使用具有IOnm以下直径 的精细粒子难以形成薄膜。 因此，例如，通过溅射方法，提出了其中在挠性基体上形成具有高磁各向异性的 CoCrPt类金属材料膜的磁记录介质，此外，该材料是晶状并且定位在垂直于基体表面的方 向上。对于磁记录介质，希望通过改善磁记录层的方位来改善磁特征，因此，近年来，已经对 满足该目的的各种技术进行了研究。例如，根据日本未经审查专利申请公开第2005-196885 号，作为上述技术之一，已经公开了一种磁记录介质，其中，非晶态层、晶种层、底层、磁性层 以及保护层至少顺次层压在基体上。此外，上述技术还公开了由Ti、Cr、Mo、W、Zr、Ti合金、 Cr合金以及Zr合金中的一种形成晶种层；由Ru形成底层；并且磁性层形成为具有粒状结 构。
技术实现思路
希望提供一种具有卓越信噪比（SNR)的磁记录介质。 为实现上述目的，根据本技术的实施方式，提供一种磁记录介质，该磁 记录介质包括基体、晶种层、底层、以及具有粒状结构的垂直记录层，并且其中， (Ms · α · S15(I-Rs)tl 33KMs以及α满足下列关系： (Ms · α · δ L5(I-Rs)°'33) ^ 0. I Ms ^ 450 α 彡 I. 2 (在上述公式中，Ms表示饱和磁化量，a表示抗磁力He周围的M-H环（loop)的 梯度，S表示垂直记录层的厚度，并且Rs表示矩形比。） 如上所述，根据本技术的实施方式，能够提供一种具有卓越SNR的磁记录介质。 【专利附图】【附图说明】 图1是示出了根据本技术的实施方式的磁记录介质的结构的一种实施例的示意 性截面图。 图2是示出了用于制造根据本技术的实施方式的磁记录介质所使用的溅射装置 的结构的一种实施例的示意图。 图3是示出了根据本技术的实施方式的磁记录介质的结构的一种变形例的示意 性截面图。 图4A是示出了 SNR与公式F( = (Ms · α · S15(I-Rs)0 33))之间的关系的图表。 图4Β是示出了输出衰减与公式f( = Ku · V/kB · Τ)之间的关系的图表。 【具体实施方式】 根据本技术的实施方式，晶种（seed)层、底层以及记录层可具有单层结构或者多 层结构。为了进一步改善磁记录介质的磁特征和/或记录/再生特征，优选采用具有多层 结构的一层。考虑到制造效率，在多层结构中，优选采用双层结构。 此外，在本技术中，术语"包括"包含更多的限定性术语"基本由...构成"和 "由...构成"。 将按照下列顺序描述本技术的实施方式。 1.磁记录介质的结构 2.溅射装置的结构 3.用于制造磁记录介质的方法 4.效果 5.变形例 【1.磁记录介质的结构】 图1是示意性示出了根据本技术的实施方式的磁记录介质的结构的一种实施例 的截面图。根据本实施方式的磁记录介质是所谓的单层垂直磁记录介质，并且如图1所示， 磁记录介质包括基体11、设置在基体11的表面上的晶种层12、设置在晶种层12的表面上 的底层13、设置在底层13的表面上的磁记录层14、设置在磁记录层14的表面上的保护层 15、以及设置在保护层15的表面上的顶部涂层16。本实施方式中的磁记录介质是能够通过 环形头等记录信息信号的磁记录介质。此外，在本说明书中，不具有软磁衬里层的磁记录介 质被称为"单层垂直磁记录介质"并且具有软磁衬里层的磁记录介质被称为"双层垂直磁记 录介质"。 磁记录介质适合用作数据存档用途的存储介质，从现在开始这种需求逐渐增加。 磁记录介质能够实现目前存储用途涂料型磁记录介质10倍以上的表面记录密度，即，实现 50Gb/in 2的表面记录密度。当使用具有如上所述的表面记录密度的磁记录介质形成通用线 性记录型数据磁盒时，能够实现每一个数据磁盒50TB以上的大容量记录。 根据本技术的实施方式，定义下列公式F(Ms，α，δ，Rs)(参考文献：N. Honda et. al. , J. Magn. Soc. Japan, vol. 21 (S2), pp. 505to508,1997) 〇 F(Ms, a，δ，Rs) = (Ms · α · δ h5(I-Rs)?.33) (在上述公式中，Ms表示饱和磁化量，a表示抗磁力He周围的M-H环的梯度，δ 表示垂直记录层14的厚度，并且Rs表示矩形比。） 而且，根据本技术的实施方式，还定义了下列公式f(Ku、V、T)。 f (Ku, V, T) = (Ku · V/kB · Τ) (在上述公式中，Ku表示磁各向异性能量，V表示活化体积，kB表示波尔兹曼常数， 并且T表示绝对温度。） 在本实施方式的磁记录介质中，公式F (Ms，α，δ，Rs)、饱和磁化量Ms、以及抗磁 力Hc周围的M_H环的梯度α满足下列关系。当满足这些关系时，能够实现具有卓越SNR 的磁记录介质。 F (Ms, α , δ , Rs) ^ 0. I Ms ^ 450 a ^ I. 2 在下文中，将详细描述将公式F(Ms, a，δ，Rs)设置为满足F(Ms, a，δ， Rs)彡0. 1的原因。公式F的值主要涉及噪音输出。在本实施方式设 想的记录密度区域（诸如，50Gb/in 2以上），信号输出主要取决于低间距和再生头敏感度， 作为介质特征，低噪音特征较理想。因此，在本实施方式中，将公式F(Ms，a，δ，R S)设置为 满足F(Ms，a，5，RS) ；^0·1，使得实现了磁记录介质的低噪音特征。 在下文中，将详细描述将饱和磁化量Ms设置为满足Ms彡450的原因。尽 管作为磁记录介质的特征，公式F的值如上所述地优选下降，从而实现低噪音特征，但当饱 和磁化量Ms的值过度下降时，信号输出下降变得大于噪音输出下降，因此，SNR也下降。因 此，在本实施方式中，首先将公式F设置为满足F彡0. 1 ，并且进一步将 饱和磁化量Ms设置为满足Ms彡450 。 在下文中，将详细描述将梯度α设置为满足a > 1. 2的原因。抗磁力Hc周围的 M-H环的梯度α是与磁粒子之间交换相互作用相关联的参数。因此，当α下降时，因为交 换本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种磁记录介质，包括：基体；晶种层；底层；以及垂直记录层，所述垂直记录层具有粒状结构；其中，(Ms·α·δ1.5(1‑Rs)0.33)、Ms以及α满足下列关系：(Ms·α·δ1.5(1‑Rs)0.33)≤0.1[μ·emu·(mm)‑1.5]；Ms≥450[emu/cc]；并且α≥1.2；并且其中，在上述公式中，Ms表示饱和磁化量，α表示抗磁力Hc周围的M‑H环的梯度，δ表示所述垂直记录层的厚度，并且Rs表示矩形比。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：立花淳一，关口昇，尾崎知惠，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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