【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有双连续层的记录叠层相关申请交叉引用本申请要求2011年8月25日提交的题为“Recording Stack with a DualContinuous Layer (具有双连续层的记录叠层)”的美国非临时专利申请N0.13/217,531的优先权,该非临时专利申请特别就其全部公开和教导的内容援引包含于此。
本专利技术涉及具有增加的存储容量和平衡的机械强健性和记录性能的垂直磁性记录叠层。
技术介绍
信息可被存储在垂直磁性记录叠层上。可使用读/写头将信息写至垂直磁性记录叠层和/或从垂直磁性记录叠层读取信息。
技术实现思路
本文描述和要求保护的实现方式提供具有双连续层的垂直磁性记录叠层。在一种实现中,垂直磁性记录叠层包括衬底、一个或多个磁性颗粒记录层以及具有第一和第二连续层的双连续层。设置在第二连续层和磁性颗粒记录层之间的第一连续层具有适中横向交换耦合,这种适中横向交换耦合高于磁性颗粒层的横向交换耦合。第二连续层具有比第一连续层更高的横向交换I禹合。通过阅读下面的详细描述,这些以及各种其它的特征将会变得显而易见。附图简沭图1示出一示例性垂直磁性记录系统。图2示出具有双连续层的示例性垂直磁性记录叠层。图3示出用于制造具有双连续层的垂直磁性记录叠层的示例性操作。【具体实施方式】垂直磁性记录系统一一例如包括垂直记录头和具有双连续层的耦合颗粒/连续(CGC)结构的垂直磁性记录叠层的系统——可表现出超高密度记录能力,由此导致增加的存储容量。垂直磁性记录叠层的存储容量可通过增加磁性颗粒记录层的面密度来提高。然而,随着磁性颗粒记录层的面密度增加,其它性能因素可变得 ...
【技术保护点】
一种磁性记录叠层,包括:衬底;设置在所述衬底上的一个或多个磁性颗粒记录层,所述一个或多个磁性颗粒记录层中的每一个具有横向交换耦合;具有适中横向交换耦合的第一连续层,所述适中横向交换耦合比所述一个或多个磁性颗粒记录层的横向交换耦合更高;以及具有比所述第一连续层的横向交换耦合更高的横向交换耦合的第二连续层,其中所述第一连续层被设置在所述一个或多个磁性颗粒记录层与所述第二连续层之间。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.08.25 US 13/217,5311.一种磁性记录叠层,包括: 衬底; 设置在所述衬底上的一个或多个磁性颗粒记录层,所述一个或多个磁性颗粒记录层中的每一个具有横向交换耦合; 具有适中横向交换耦合的第一连续层,所述适中横向交换耦合比所述一个或多个磁性颗粒记录层的横向交换耦合更高;以及 具有比所述第一连续层的横向交换耦合更高的横向交换耦合的第二连续层,其中所述第一连续层被设置在所述一个或多个磁性颗粒记录层与所述第二连续层之间。2.如权利要求1所述的磁性记录叠层,其特征在于,还包括: 设置在所述衬底与所述一个或多个磁性颗粒记录层之间的一个或多个下层。3.如权利要求1所述的磁性记录叠层,其特征在于,还包括: 设置在所述第二连续层之上的覆层。4.如权利要求1所述的磁性记录叠层,其特征在于,所述一个或多个下层包括软磁下层、粘合层以及一个或多个中间层。5.如权利要求1所 述的磁性记录叠层,其特征在于,所述第一连续层的厚度大于所述第二连续层的厚度。6.如权利要求1所述的磁性记录叠层,其特征在于,所述第二连续层的饱和磁化大于所述第一连续层的饱和磁化。7.如权利要求1所述的磁性记录叠层,其特征在于,所述第一连续层和所述第二连续层的材料成分包括具有从下组中选取的一种或多种元素的Co合金:Cr、Pt、N1、Ta、B、Nb、O、T1、Mo、Cu、Ag、Ge 和 Fe。8.一种磁性记录叠层,包括: 衬底; 设置在所述衬底上的一个或多个磁性颗粒记录层,所述一个或多个磁性颗粒记录层中的每一个具有横向交换耦合; 具有适中横向交换耦合的第一连续层,所述适中横向交换耦合比所述一个或多个磁性颗粒记录层的横向交换耦合更高;以及 具有比所述第一连续层的横向交换耦合更高的横向交换耦合的第二连续层,其中所述第一连续层的厚度大于所述第二连续层的厚度并且所述第二连续层的饱和磁化高于所述第一连续层的饱和磁化。9.如权利要求8所述的磁性记录叠层,其特征在于,所述第一连续层的厚度在10-80A之间,而所述第二连续层的厚度在2-20A之间。10.如权利要求8所述的磁性记录叠层,其特征在于,所述第一连续层的厚度在20-60A之间,而所述第二连...
【专利技术属性】
技术研发人员:Z·吴,L·唐,S·王,A·海卢,
申请(专利权)人:希捷科技有限公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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