液晶化合物及包含该液晶化合物的液晶介质制造技术

本发明专利技术涉及包含结构式Ⅰ的负介电液晶化合物，和涉及包括结构式Ⅰ的至少一种化合物的液晶介质，和涉及含有这一类型的液晶介质的电光学显示器。此类化合物具有高的负介电、较大的K值，较低的旋转粘度，适用于快速响应VA液晶，尤其适用于VA-TFT，VA-IPS液晶显示。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
式Ⅰ所示液晶化合物其中表示如下基团中的任意一个：各自独立地表示如下基团中的任意一个或多个：R1表示碳原子数为1‑10的直链烷基或碳原子数为2‑10的直链烯基，其中另外的，所述碳原子数为1‑10的直链烷基或碳原子数为2‑10的直链烯基中含有‑CH2‑的基团中任意的‑CH2‑可被‑CH2O‑、‑OCH2‑、‑C＝C‑代替，所述碳原子数为1‑10的直链烷基或碳原子数为2‑10的直链烯基中任意的H可被F代替；Z1、Z2各自独立地表示单键、‑C2H4‑、‑CH＝CH‑、‑COO‑、‑OOC‑、‑CH2O‑、‑OCH2‑、‑CF2O‑、和/或‑OCF2‑中的任意一个或多个，其中另外的，所述‑C2H4‑、‑CH＝CH‑、‑CH2O‑、‑OCH2‑中的任意的H可被F代替；m、n表示0、1或2。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孟劲松，员国良，丰景义，温刚，高红茹，
申请(专利权)人：石家庄诚志永华显示材料有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13