【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种制备自封闭纳米通道的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A：对衬底进行清洗并烘干，在清洗好的衬底表面依次生长支撑层、牺牲层和自封闭层；步骤B：在所述自封闭层上采用光刻的方法制备相应的光刻胶图形；步骤C：采用干法刻蚀的方法将光刻胶图形转移到所述自封闭层上，并去除残胶；步骤D：对所述牺牲层进行湿法腐蚀处理；步骤E：在去离子水中浸泡；步骤F：用氦气枪吹干，自封闭层自封闭得到纳米通道。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：顾长志，尹红星，李俊杰，田士兵，全保刚，夏晓翔，杨海方，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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