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本发明公开了一种制备自封闭纳米通道的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A：对衬底进行清洗并烘干，在清洗好的衬底表面依次生长支撑层、牺牲层和自封闭层；步骤B：在所述自封闭层上采用光刻的方法制备相应的光刻胶图形；步骤C：采用干法刻蚀的方法将光...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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