一种掩模板制造技术

本发明专利技术涉及光刻技术领域，公开一种掩模板，包括不透光区域，还包括：第一半透光区域；第二半透光区域；所述第二半透光区域的透光率小于第一半透光区域的透光率。该掩模板可以解决因为光刻胶厚度差异导致的过刻不良的工艺问题。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及光刻
，公开一种掩模板，包括不透光区域，还包括：第一半透光区域；第二半透光区域；所述第二半透光区域的透光率小于第一半透光区域的透光率。该掩模板可以解决因为光刻胶厚度差异导致的过刻不良的工艺问题。【专利说明】一种掩模板
本专利技术涉及光刻
，具体涉及一种掩模板。
技术介绍
图1所示为现有大面积半透过掩模板曝光过程示意图，如图1所示，由于金属线2 的存在使得基板1朝向掩模板4的表面产生高度差，光刻胶3涂覆后的表面为一个平面，且 光刻胶3涂覆后的表面与掩模板4的衬底基板5之间的距离相同；由于基板1朝向掩模板 4的表面存在高度差，因此，基板1朝向掩模板4的表面上各区域涂覆的光刻胶3的厚度存 在厚度差；如图1中所示，氏为半曝光区域的光刻胶3的厚度，H 2为半曝光区域的光刻胶3 的厚度，H3为不曝光区域的光刻胶3的厚度，其中H2小于氏。 图2所示为图1中所示的基板1显影后的光刻胶分布示意图，如图2所示，现有技 术中的掩模板4中，与基板1上需要半曝光区域相对的部分透光率相同，导致基板1涂覆的 光刻胶3在曝光显影之后，与氏对应部位剩余的光刻胶3的厚度为H n，与H2对应部位剩余 的光刻胶3的厚度为H21，H31为不曝光区域的光刻胶3的厚度，H 21依然小于Hn。 后续工艺中需要采用灰化工艺将Hn区域以及H21区域的光刻胶3灰化，以对这两 个区域进行刻蚀等工艺。 在基板1的加工过程中，在对基板1上涂覆的光刻胶3进行曝光显影后，必须保证 氏区域剩余的光刻胶3的厚度H n不为零，同时保证H2区域剩余的光刻胶3的厚度H21不为 零；但是，在对基板1上涂覆的光刻胶3进行曝光显影的工艺后，氏区域剩余的光刻胶3的 厚度H n较难控制，导致： 当氏区域剩余的光刻胶3的厚度Hn偏薄时，H2区域剩余的光刻胶3的厚度H 21可 能为零，进而导致此区域基板1的上表面失去光刻胶3的保护，在后续的刻蚀过程可能产生 过刻导致不良。 当氏区域剩余的光刻胶3的厚度Hn偏厚时，在后续过程中需要将氏区域剩余的 光刻胶3的厚度H n全部灰化掉时，可能将H3区域的光刻胶3全部灰化，导致基板1上与H3 的区域对应的上表面失去光刻胶3的保护，在后续的刻蚀过程导致此区域产生过刻不良。
技术实现思路
本专利技术提供了一种掩模板，该掩模板可以解决因为光刻胶厚度差异导致的过刻不 良的工艺问题。 为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案： 一种掩模板，包括不透光区域，还包括： 第一半透光区域； 第二半透光区域； 所述第二半透光区域的透光率小于第一半透光区域的透光率。 基板在未涂覆光刻胶之前，其设有金属线的区域的表面要高出没有设置金属线的 区域的表面，因此在基板上涂覆光刻胶之后，基板设有金属线的区域中光刻胶的厚度要小 于没有金属线区域中光刻胶的厚度；上述掩模板与基板正对时，第一半透光区域用于覆盖 基板中不存在金属线、且需要进行半曝光的区域，第二半透光区域用于覆盖基板中存在金 属线、且需要进行半曝光的区域；因此，在曝光过程中，紫外线透过第一半透光区域对基板 中不存在金属线、且需要进行半曝光的区域内的光刻胶进行半曝光，紫外线透过第二半透 光区域对基板中存在金属线、且需要进行半曝光的区域的光刻胶进行半曝光；由于掩模板 中第二半透光区域的透光率小于第一半透光区域的透光率，曝光后，第二半透光区域对应 的区域中的光刻胶的曝光量小于第一半透光区域对应的区域中光刻胶的曝光量，因此，在 对曝光后的光刻胶进行显影工艺后，第二半透光区域对应去除的光刻胶的厚度比第一半透 光区域对应去除的光刻胶的厚度小，进而减小第二半透光区域对应剩余的光刻胶的厚度和 第一半透光区域对应剩余的光刻胶的厚度之间的差异。此时，即使第一半透光区域覆盖的 区域内的光刻胶显影后剩余的厚度很薄，第二半透光区域覆盖的基板区域显影后也会有光 刻胶的保护，因此可以减少在后续的刻蚀过程中第二半透光区域覆盖的基板区域过刻不良 现象的发生。 因此，上述掩模板可以解决因为光刻胶厚度差异导致的过刻不良的工艺问题。 优选地，所述第二半透光区域的透光率小于第一半透光区域的透光率，包括： 所述衬底基板中与所述第一半透光区域和第二半透光区域对应位置设有半透光 膜层，且所述半透光膜层覆盖所述第一半透光区域和所述第二半透光区域部位的透光率相 同，所述半透光膜层覆盖所述第二半透光区域的部位设有宽度尺寸小于曝光机分辨率尺寸 的遮光层。 优选地，所述遮光层为金属材料制备的遮光层。 优选地，所述遮光层为黑矩阵材料制备的遮光层。 优选地，所述遮光层的宽度尺寸为1?2um。 优选地，所述第二半透光区域的透光率小于第一半透光区域的透光率，包括： 在所述衬底基板与所述第一半透光区域相对的区域设有第一半透光膜，在所述衬 底基板与所述第二半透光区域相对的区域设有第二半透光膜，所述第一半透光膜的透光率 大于所述第二半透光膜的透光率。 【专利附图】【附图说明】 图1为现有大面积半透过掩模板曝光过程示意图； 图2为图1中所示的基板显影后的光刻胶分布示意图； 图3为本专利技术实施例提供的掩模板曝光过程示意图； 图4为图3中所示的基板显影后的光刻胶分布示意图。 【具体实施方式】 下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本专利技术保护的范围。 请参考图3和图4,图3为本专利技术实施例提供的掩模板曝光过程示意图；图4为图 3中所示的基板显影后的光刻胶分布示意图。 如图3所示，本专利技术提供的一种掩模板4,包括不透光区域C，还包括： 第一半透光区域A ; 第二半透光区域B; 所述第二半透光区域B的透光率小于第一半透光区域A的透光率。 基板1在未涂覆光刻胶3之前，其设有金属线2的区域的表面要高出没有设置金 属线2的区域的表面，因此在基板1上涂覆光刻胶3之后，基板1设有金属线2的区域中光 刻胶3的厚度d 2要小于没有金属线2区域中光刻胶3的厚度屯；上述掩模板4与基板1正 对时，第一半透光区域A用于覆盖基板1中不存在金属线2、且需要进行半曝光的区域，第二 半透光区域B用于覆盖基板1中存在金属线2、且需要进行半曝光的区域；因此，在曝光过 程中，紫外线8透过第一半透光区域A对基板1中不存在金属线2、且需要进行半曝光的区 域内的光刻胶3进行半曝光，紫外线8透过第二半透光区域B对基板1中存在金属线2、且 需要进行半曝光的区域的光刻胶3进行半曝光；由于掩模板4中第二半透光区域B的透光 率小于第一半透光区域A的透光率，曝光后，第二半透光区域B对应的区域中的光刻胶3的 曝光量小于第一半透光区域A对应的区域中光刻胶3的曝光量，因此，在对曝光后的光刻胶 3进行显影工艺后，第二半透光区域B对应去除的光刻胶3的厚度比第一半透光区域A对应 去除的光刻胶3的厚度小，进而减小第二半透光区域B对应剩余的光刻胶3的厚度h 2和第 一半透光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩模板，包括不透光区域，其特征在于，还包括：第一半透光区域；第二半透光区域；所述第二半透光区域的透光率小于第一半透光区域的透光率。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王德帅，曲连杰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11