一种掩膜板、阵列基板制作方法及阵列基板技术

本发明专利技术公开了一种掩膜板及对应的阵列基板制作方法和阵列基板，应用于液晶显示技术领域，该掩膜板包括不透光区域和透光区域，不透光区域包括中间竖直主干、中间水平主干及从中间竖直主干和中间水平主干延伸出的分支，中间竖直主干与中间水平主干分别与其分支形成一定夹角；透光区域包括设在分支之间的第一透光部分，在第一透光部分上设置有光干涉单元，该光干涉单元用以将具有第一光强的光处理为具有第二光强的光，其中第一光强大于第二光强，第二透光部分用于将第一光强的光引入以形成对应阵列基板上的接触孔，本发明专利技术还包括采用该掩膜板制作阵列基板的方法和制成的阵列基板。本发明专利技术提高了像素单元的开口率，提高了液晶面板的穿透率。

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜板、阵列基板制作方法及阵列基板
本专利技术涉及液晶显示
，具体地说，涉及一种掩膜板及采用该掩膜板制作 阵列基板的方法和对应的阵列基板。
技术介绍
传统的HVA (High Vertical Alignment,高垂直排列）像素电极为Fine Slit (改 进的狭缝）结构形式。其中，狭缝部分不设置像素电极，这就使得该部分对电场的控制力较 差，进而对液晶分子的控制力较差。因此，该部分就会出现暗纹，从而损失液晶效率，进而损 失液晶面板的穿透率。为改善液晶面板的穿透率，出现了一种新的具有立体结构的像素电 极。该立体结构的像素电极覆盖于像素单元的开口区上。 制作具有以上所述立体结构的像素电极的阵列基板，通常同时完成接触孔和立体 结构像素电极中绝缘层的蚀刻。也就是说，采用一道掩膜板同时实现接触孔和像素电极的 立体结构。此种做法可以有效节约掩膜板成本和制程时间，但会使立体结构像素电极中的 部分绝缘层被全部蚀刻掉。如果此时为了提高液晶面板的开口率而添加屏蔽电极，可能会 导致屏蔽电极与像素电极相接触。因此，在这种情况下无法添加屏蔽电极，就会降低液晶面 板的开口率。 基于上述情况，亟需一种能形成立体结构像素电极且能提高液晶面板开口率的掩 膜板及其对应的阵列基板制作方法和阵列基板。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种能形成立体结构像素电极且能提高液晶面板 开口率的掩膜板及其对应的阵列基板制作方法和阵列基板。 根据本专利技术的一个方面，提供了一种掩模板，所述掩膜板包括： 不透光区域，所述不透光区域包括中间坚直主干、中间水平主干及从所述中间坚 直主干和所述中间水平主干延伸出的分支，所述中间坚直主干与中间水平主干分别与所述 分支形成一定夹角； 透光区域，所述透光区域包括设在所述分支之间的第一透光部分， 其中，在所述第一透光部分上设置有光干涉单元，所述光干涉单元用以将具有第 一光强的光处理为具有第二光强的光，其中所述第一光强大于第二光强。 根据本专利技术的一个实施例，所述透光区域还包括第二透光部分，所述第二透光部 分用于直接将所述第一光强的光引入以形成对应于阵列基板上的接触孔。 根据本专利技术的一个实施例，所述光干涉单元的形状为网格状、条栅状或片状。 根据本专利技术的一个实施例，所述光干涉单元贯穿设在所述第一透光部分的中间位 置。 根据本专利技术的一个实施例，所述光干涉单元用不透光材料或者半透光材料制成。 根据本专利技术的另一个方面，还提供了一种制作阵列基板的方法，采用以上任一项 所述的掩膜板形成绝缘结构体。 根据本专利技术的一个实施例，在形成第一金属导电层时还包括形成屏蔽电极。 根据本专利技术的再一个方面，还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括： 基底； 在基底上形成的多个像素单元，所述像素单元包括， 设置在开口区域的像素电极，在所述像素电极与所述基底之间设有绝缘结构体， 所述绝缘结构体由采用以上任一项所述的掩膜板蚀刻形成。 根据本专利技术的一个实施例，所述绝缘结构体包括中间坚直主干、中间水平主干及 从所述中间坚直主干和所述中间水平主干延伸出的分支，所述中间坚直主干与所述中间水 平主干分别与其分支形成一定夹角，其中，在相邻的两个分支之间包括具有绝缘材料的底 面的凹槽。 根据本专利技术的一个实施例，在数据线与所述像素电极之间还设有与栅线同层的屏 蔽电极，用以屏蔽所述数据线与所述像素电极之间的电信号。 本专利技术带来了以下有益效果： 本专利技术通过在掩膜板上透光区域的第一透光部分设置光干涉单元，使得对应该部 位的阵列基板上的绝缘材料不能被蚀刻到底，该部位未被蚀刻的绝缘材料和掩膜板上不透 光区域对应的阵列基板上的绝缘材料形成绝缘结构体。由于绝缘结构体的存在能在像素电 极与数据线之间设置屏蔽电极，缩短了像素电极与数据线之间的距离。该种设计提高了像 素单元的开口率，提高了液晶面板的穿透率。 本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变 得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利 要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。 【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要的附图做简单的介绍： 图1为现有的具有立体结构像素电极的阵列基板的平面结构图； 图2为对应形成图1中像素电极的掩膜板的局部图案示意图； 图3为图1沿A-A方向的剖面结构图； 图4为本专利技术所述的掩膜板的一个实施例的局部图案示意图； 图5为本专利技术所述的掩膜板的另一个实施例的局部图案示意图； 图6为本专利技术所述的掩膜板的再一个实施例的局部图案不意图； 图7为采用本专利技术所述的图4-图5中的任一掩膜板制成的阵列基板的一个实施 例的平面结构图； 图8为图7沿B-B方向的剖面结构图； 其中，1、基底，2、栅线，3、数据线，4、TFT (薄膜晶体管），5、像素电极，5a、凸条，5b、 凹槽，5c、不透光区域，5d、第一透光部分，6、公共电极线，7、接触孔，7a、第二透光部分，8、栅 极绝缘层，9、沉积钝化层，10、屏蔽电极。 【具体实施方式】 以下将结合附图及实施例来详细说明本专利技术的实施方式，借此对本专利技术如何应用 技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明 的是，只要不构成冲突，本专利技术中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合， 所形成的技术方案均在本专利技术的保护范围之内。 另外，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系 统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处 的顺序执行所示出或描述的步骤。 如图1所示为现有的一种具有立体结构像素电极的阵列基板平面结构图。如图所 示，该阵列基板包括基底1和像素单元。像素单元包括设置于基底1上的栅线2、数据线3、 TFT4、像素电极5和公共电极线6。其中，栅线2与公共电极线6平行设置。栅线2和公共 电极线6均与数据线3垂直设置。TFT4设置于栅线2上，其栅极、源极、漏极分别与栅线2、 数据线3和像素电极5电连接。在一种设置中，TFT4的漏极通过接触孔7与像素电极5连 接。像素电极5设置在由栅线2、数据线3和公共电极线6包围形成的开口区域中。 图中的像素电极层由一米字形的绝缘结构体来支撑。该绝缘结构体包括中间 坚直主干、中间水平主干和分别从中延伸而形成的分支。中间坚直主干、中间水平主干和分 支为凸起的绝缘部分，其与所涂敷的像素电极层合起来称为凸条5a。各个凸条之间的部分 为凹槽5b。在现有的像素电极结构中，凹槽5b底部只包括像素电极层。在这种情况下，所 涂敷的像素电极层与基底1直接接触。 如图2所示为对应形成图1中像素电极的掩膜板图案。在采用正性光刻胶的条件 下，图中不透光区域5c对应形成凸条5a，图中5d为第一透光部分对应形成凹槽5b。图中 标注7a为第二透光部分对应形成阵列基板上的接触孔7。 如图3所示为图1沿A-A方向的剖面结构图。如图所示，整个绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩模板，其特征在于，所述掩膜板包括：不透光区域，所述不透光区域包括中间竖直主干、中间水平主干及从所述中间竖直主干和所述中间水平主干延伸出的分支，所述中间竖直主干与中间水平主干分别与所述分支形成一定夹角；透光区域，所述透光区域包括设在所述分支之间的第一透光部分，其中，在所述第一透光部分上设置有光干涉单元，所述光干涉单元用以将具有第一光强的光处理为具有第二光强的光，其中所述第一光强大于第二光强。

【技术特征摘要】
1. 一种掩模板，其特征在于，所述掩膜板包括： 不透光区域，所述不透光区域包括中间坚直主干、中间水平主干及从所述中间坚直主 干和所述中间水平主干延伸出的分支，所述中间坚直主干与中间水平主干分别与所述分支 形成一定夹角； 透光区域，所述透光区域包括设在所述分支之间的第一透光部分， 其中，在所述第一透光部分上设置有光干涉单元，所述光干涉单元用以将具有第一光 强的光处理为具有第二光强的光，其中所述第一光强大于第二光强。2. 如权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述透光区域还包括第二透光部分，所述 第二透光部分用于直接将所述第一光强的光引入以形成对应于阵列基板上的接触孔。3. 如权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述光干涉单元的形状为网格状、条栅状 或片状。4. 如权利要求3所述的掩膜板，其特征在于，所述光干涉单元贯穿设在所述第一透光 部分的中间位置。5. 如权利要求1-4中任一项所述的掩膜板，其特征在于，所述光干涉单元用不透光材 料或者半透光...

【专利技术属性】
技术研发人员：施明宏，姜佳丽，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44