等离子处理装置以及等离子处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子处理装置以及等离子处理方法，使得即使在实施等离子处理的情况下保持片也不会受到不良影响。具备：在室(11)内产生等离子的等离子源(13)；设置于室(11)内且载置输送载体(5)的台(16)；配置于台(16)的上方且覆盖保持片(6)和框(7)，具有在厚度方向上贯通地形成的窗部(33)的盖子(31)；和将盖子(31)相对于台(16)的相对位置变更为第1位置和第2位置的驱动机构(38)。第2位置是盖子(31)与保持片(6)、框(7)、以及基板(2)不接触的位置。盖子(31)至少具备向框(7)的上表面延伸的顶面(36b)、和相对于在框(7)的内径侧露出的保持片(6)的上表面逐渐接近地倾斜的倾斜面(36c)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子处理装置以及等离子处理方法，尤其涉及对由环状框和保持片构成的输送载体所保持的晶片的等离子处理有效的技术。
技术介绍
作为等离子处理装置，已知专利文献1公开的等离子处理装置。该等离子处理装置，将由环状框和保持片构成的输送载体所保持的晶片作为处理对象。而且，在用等离子对晶片进行切割时，通过用遮盖物覆盖环状框，使得环状框不暴露在等离子中。在先技术文献专利文献专利文献1：JP特开2012-248741号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题近年来，出于生产率提高的要求，存在为了提高处理速度而提高等离子密度等的倾向。在专利文献1记载的装置中，若要提高处理速度，则遮盖物被等离子加热而成为设想以上的高温。于是，产生了如下问题：受到来自遮盖物的热影响的输送载体的保持片发生变形、收缩、熔融等而难以通过机械手来输送。因此，本专利技术的课题在于，提供一种即使在对由环状框和保持片构成的输送载体所保持的晶片实施等离子处理的情况下，保持片也不会受到不良影响的等离子处理装置以及等离子处理方法。解决课题的手段本专利技术的一个方式，是一种等离子处理装置，其对由环状的框和保持片构成的输送载体所保持的基板实施等离子处理，所述等离子处理装置的特征在于，具备：室，其具有能够减压的内部空间；等离子源，其在所述室内产生等离子；台，其设置于所述室内并载置所述输送载体；盖子，其配置于所述台的上方并覆盖所述保持片和所述框，具有在厚度方向上贯通地形成的窗部；和驱动机构，其将所述盖子相对于所述台的相对位置，变更为第1位置和第2位置，其中所述第1位置是离开所述台并容许所述输送载体相对于所述台的装卸的位置，所述第2位置是所述盖子覆盖在所述台上载置的所述输送载体的所述保持片和所述框、且所述窗部使保持于所述保持片的所述基板露出的位置，所述第2位置是所述盖子与所述保持片、所述框、以及所述基板不接触的位置，所述盖子至少具备：顶面，其向所述框的上表面延伸；和倾斜面，其相对于在所述框的内径侧露出的保持片的上表面逐渐接近地倾斜。根据该构成，能够充分获得盖子与输送载体的距离，能够抑制等离子对保持片的热影响。优选的是，所述盖子的所述顶面与所述框的上表面之间的间隔，比构成所述窗部的内周缘下部与所述保护片之间的间隔更大。根据该构成，能够充分获得盖子与输送载体的距离，并且防止等离子从窗部进入到在盖子与输送载体之间形成的空间，能够有效地阻止保持片的变形等。优选的是，所述盖子，在比所述顶面更靠近内径侧的区域，具备向着所述窗部逐渐接近所述输送载体的上表面。根据该构成，能够使提供给窗部的等离子，沿着盖子的上表面流畅地向外径侧流动，能够更加有效地阻止进入到在盖子与输送载体之间形成的空间内。优选的是，所述盖子具备与所述倾斜面连续，且与所述输送载体最接近地平行延伸的对置面。根据该构成，能够确保能阻止等离子进入到对置面和输送载体的对置部分的区域。优选的是，所述盖子的窗部，使所述基板的比外缘区域更靠内侧的区域露出。根据该构成，盖子的窗部对基板的露出区域进行限制，由此保持片不易暴露于在室内产生的等离子中。因此，保持片不会受到因等离子而变形等的损坏。本专利技术的其他方式，是一种等离子处理方法，是对由环状的框和保持片构成的输送载体所保持的基板实施等离子处理的等离子处理方法，所述等离子处理方法的特征在于，在具有能够减压的内部空间的室内的台上载置输送载体，通过具有在厚度方向上贯通地形成的窗部的盖子来覆盖在所述台上载置的所述输送载体的所述保持片和所述框的上方，并且使所述保持片上的基板从所述窗部露出，在所述盖子覆盖所述保持片和所述框的状态下，在所述内部空间产生等离子，并对从所述窗部露出的基板进行等离子处理，所述盖子至少具备：顶面，其向所述框的上表面延伸；和倾斜面，其相对于在所述框的内径侧露出的保持片的上表面逐渐接近地倾斜，至少在进行等离子处理的过程中，所述盖子与所述保持片、所述框、以及所述基板不接触。专利技术效果根据本专利技术，盖子至少具备向框的上表面延伸的顶面、和相对于在框的内径侧露出的保持片的上表面逐渐接近地倾斜的倾斜面，因此能够充分获得盖子与输送载体的距离，能够抑制等离子对保持片的热影响。附图说明图1是本实施方式所涉及的干蚀装置的简要正面剖面图。图2是图1所示的干蚀装置的盖子的俯视图。图3A是图2的A-A线剖面图(上升位置)。图3B是图2的A-A线剖面图(下降位置)。图4A是图3A的部分放大图。图4B是图3B的部分放大图。具体实施方式以下，按照附图对本专利技术所涉及的实施方式进行说明。另外，在以下的说明中，根据需要使用表示特定的方向、位置的用语(例如，包含“上”、“下”、“侧”、“端”的用语)，但这些用语的使用是为了容易参照附图理解专利技术，并不是通过这些用语的意思来限定本专利技术的技术范围。此外，以下的说明本质上不过是例示，并不是意图限制本专利技术、其应用物、或者其用途。图1至图4B表示作为本专利技术的实施方式所涉及的等离子处理装置的一例的干蚀装置1。在本实施方式中，通过该干蚀装置1，对晶片(基板)2实施等离子切割及其后续的灰化(ashing)。等离子切割是指，对形成了多个IC部(半导体装置)的晶片，在边界线(切割道)利用干蚀进行切断，分割为各个IC部的工艺。参照图4A以及图4B，在本实施方式中为圆形的晶片2具备形成了未图示的IC部等的表面2a、和与该表面2a相反侧的背面2b(未形成IC部等)。此外，在晶片2的表面2a以用于等离子切割的图案形成了掩膜3。干蚀装置1具备具有能减压的内部空间的室11。在该室11中，能够经由未图示的出入口将输送载体5收纳于内部空间。输送载体5具备可拆装地保持晶片2的保持片6。作为保持片6，例如，可以使用能够弹性地伸展、且虽然通过粘着力来保持晶片2但由于紫外线的照射而化学特性发生变化从而粘着力大幅减少的所谓UV胶带。如图4A所示，一个面是具有粘着性的面(粘着面6a)而另一面是不具有粘着性的面(非粘着面6b)。保持片6柔软且仅其自身而言容易弯曲而无法维持一定形状。因此，在保持片6的外周缘附近的粘着面6a，贴着大致环状且厚度薄的框(环状框)7。框7例如由金属构成，具有能够与保持片6一起保持形状的刚性。在输送载体5的保持片6上，通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子处理装置，其对由环状的框和保持片构成的输送载体所保持的基板实施等离子处理，所述等离子处理装置的特征在于，具备：室，其具有能够减压的内部空间；等离子源，其在所述室内产生等离子；台，其设置于所述室内并载置所述输送载体；盖子，其配置于所述台的上方并覆盖所述保持片和所述框，具有在厚度方向上贯通地形成的窗部；和驱动机构，其将所述盖子相对于所述台的相对位置，变更为第1位置和第2位置，其中所述第1位置是离开所述台并容许所述输送载体相对于所述台的装卸的位置，所述第2位置是所述盖子覆盖在所述台上载置的所述输送载体的所述保持片和所述框、且所述窗部使保持于所述保持片的所述基板露出的位置，所述第2位置是所述盖子与所述保持片、所述框、以及所述基板不接触的位置，所述盖子至少具备：顶面，其向所述框的上表面延伸；和倾斜面，其相对于在所述框的内径侧露出的保持片的上表面逐渐接近地倾斜。

【技术特征摘要】
2013.05.09 JP 2013-0992901.一种等离子处理装置，其对由环状的框和保持片构成的输送载体
所保持的基板实施等离子处理，所述等离子处理装置的特征在于，
具备：
室，其具有能够减压的内部空间；
等离子源，其在所述室内产生等离子；
台，其设置于所述室内并载置所述输送载体；
盖子，其配置于所述台的上方并覆盖所述保持片和所述框，具有在厚
度方向上贯通地形成的窗部；和
驱动机构，其将所述盖子相对于所述台的相对位置，变更为第1位置
和第2位置，其中所述第1位置是离开所述台并容许所述输送载体相对于
所述台的装卸的位置，所述第2位置是所述盖子覆盖在所述台上载置的所
述输送载体的所述保持片和所述框、且所述窗部使保持于所述保持片的所
述基板露出的位置，
所述第2位置是所述盖子与所述保持片、所述框、以及所述基板不接
触的位置，
所述盖子至少具备：顶面，其向所述框的上表面延伸；和倾斜面，其
相对于在所述框的内径侧露出的保持片的上表面逐渐接近地倾斜。
2.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述盖子的所述顶面与所述框的上表面之间的间隔，比构成所述窗部
的内周缘下部与所述保护片之间的间隔更大。
3.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：西崎展弘，针贝笃史，岩井哲博，广岛满，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP