本发明专利技术提供一种等离子处理装置以及等离子处理方法，使得即使在实施等离子处理的情况下保持片也不会受到不良影响。具备：室(11)；在室(11)内产生等离子的等离子源(13)；设置于室(11)内且载置输送载体(5)的台(16)；配置于台(16)的上方并覆盖保持片(6)和框(7)，在中央部具有在厚度方向上贯通地形成的窗部(33)的盖体(31)；和驱动机构(38)，其将盖体(31)相对于台(16)的相对位置变更为第1位置和第2位置，所述第1位置是离开台(16)且容许输送载体(5)相对于台(16)的装卸的位置，所述第2位置是盖体(31)覆盖在台(16)上载置的输送载体(5)的保持片(6)和框(7)、且所述窗部(33)使保持片(6)所保持的基板(2)露出的位置。盖体(31)的窗部(33)使与基板(2)的外缘区域相比更靠内侧的区域露出。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种，使得即使在实施等离子处理的情况下保持片也不会受到不良影响。具备：室(11)；在室(11)内产生等离子的等离子源(13)；设置于室(11)内且载置输送载体(5)的台(16)；配置于台(16)的上方并覆盖保持片(6)和框(7)，在中央部具有在厚度方向上贯通地形成的窗部(33)的盖体(31)；和驱动机构(38)，其将盖体(31)相对于台(16)的相对位置变更为第1位置和第2位置，所述第1位置是离开台(16)且容许输送载体(5)相对于台(16)的装卸的位置，所述第2位置是盖体(31)覆盖在台(16)上载置的输送载体(5)的保持片(6)和框(7)、且所述窗部(33)使保持片(6)所保持的基板(2)露出的位置。盖体(31)的窗部(33)使与基板(2)的外缘区域相比更靠内侧的区域露出。【专利说明】
本专利技术涉及，尤其涉及对由环状框和保持片 构成的输送载体所保持的晶片的等离子处理有效的技术。
技术介绍
作为等离子处理装置，已知专利文献1公开的等离子处理装置。该等离子处理装 置，将由环状框和保持片构成的输送载体所保持的晶片作为处理对象。而且，在用等离子对 晶片进行切割时，通过用遮盖物覆盖环状框，使得环状框不暴露在等离子中。 在先技术文献 专利文献 专利文献1 :JP特开2012-248741号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题 但是，遮盖物的内径尺寸比晶片的外径尺寸更大。因此，有时保持片的一部分暴露 于等离子中，会受到损坏。此外，在处理过程中遮盖物变为高温，在受到其热影响的情况下 有时保持片也会受到损坏。 因此，本专利技术的课题在于，提供一种即使在实施等离子处理的情况下也使保持片 不会受到不良影响的。 解决课题的手段 本专利技术的第1方式在于， 提供一种等离子处理装置，其对由环状的框和保持片构成的输送载体所保持的基 板实施等离子处理，所述等离子处理装置的特征在于， 具备： 室，其具有能够减压的内部空间； 等离子源，其在所述室内产生等离子； 台，其被设置于所述室内并载置所述输送载体； 盖体，其配置于所述台的上方并覆盖所述保持片和所述框，在中央部具有在厚度 方向上贯通地形成的窗部；和 驱动机构，其将所述盖体相对于所述台的相对位置变更为第1位置和第2位置，所 述第1位置是离开所述台并容许所述输送载体相对于所述台的装卸的位置，所述第2位置 是所述盖体覆盖在所述台上载置的所述输送载体的所述保持片和所述框、且所述窗部使所 述保持片所保持的所述基板露出的位置， 所述盖体的窗部，使所述基板的比外缘区域更靠内侧的区域露出。 根据该构成，盖体的窗部对基板的露出区域进行限制，由此保持片不易暴露于在 室内产生的等离子中。因此，保持片不会受到因等离子而变形等的损坏。 优选的是，所述盖体，在构成窗部的内缘部下表面，具有与所述基板对置的对置 面。 根据该构成，能够更加适当地防止保持片暴露于等离子中。 优选的是，所述盖体所覆盖的基板的外缘区域，是从基板的外缘起向内侧5mm以 下的范围。 本专利技术的第2方式在于， 提供一种等离子处理方法，其特征在于， 准备具有保持片和安装所述保持片的框的输送载体， 使基板保持在所述输送载体的保持片上， 将所述输送载体运入等离子处理装置的室内并载置于台上， 用所述盖体覆盖输送载体的保持片和框，通过形成于所述盖体的窗部，使所述基 板的外缘区域的内侧露出， 在所述室内产生等离子，并对从所述窗部露出的基板实施等离子处理。 专利技术效果 根据本专利技术，通过形成于盖体的窗部，来限制基板的露出区域，因此保持片不易暴 露于等离子中，能够防止其损伤。 【专利附图】【附图说明】 图1是本实施方式所涉及的干蚀装置的简要正面剖面图。 图2是图1所示的干蚀装置的盖体的俯视图。 图3A是图2的A-A线剖面图（上升位置）。 图3B是图2的A-A线剖面图（下降位置）。 图4A是图3A的部分放大图。 图4B是图3B的部分放大图。 【具体实施方式】 以下，按照附图对本专利技术所涉及的实施方式进行说明。另外，在以下的说明中，根 据需要使用表示特定的方向、位置的用语（例如，包含"上"、"下"、"侧"、"端"的用语），但这 些用语的使用是为了容易参照附图理解专利技术，并不是通过这些用语的意思来限定本专利技术的 技术范围。此外，以下的说明本质上不过是例示，并不是意图限制本专利技术、其应用物、或者其 用途。 图1至图4B表示作为本专利技术的实施方式所涉及的等离子处理装置的一例的干蚀 装置1。在本实施方式中，通过该干蚀装置1，对晶片（基板）2实施等离子切割及其后续 的灰化（ashing)。等离子切割是指，对形成了多个1C部（半导体装置）的晶片，在边界线 (切割道）利用干蚀进行切断，分割为各个1C部的工艺。参照图4A以及图4B，在本实施方 式中为圆形的晶片2具备形成了未图示的1C部等的表面2a、和与该表面2a相反侧的背面 2b (未形成1C部等）。此外，在晶片2的表面2a以用于等离子切割的图案形成了掩膜3。 干蚀装置1具备具有能减压的内部空间的室11。在该室11中，能够经由未图示的 出入口将输送载体5收纳于内部空间。输送载体5具备可拆装地保持晶片2的保持片6。 作为保持片6,例如，可以使用能够弹性地伸展、且虽然通过粘着力来保持晶片2但由于紫 外线的照射而化学特性发生变化从而粘着力大幅减少的所谓UV胶带。如图4A所示，一个 面是具有粘着性的面（粘着面6a)而另一面是不具有粘着性的面（非粘着面6b)。保持片 6柔软且仅其自身而言容易弯曲而无法维持一定形状。因此，在保持片6的外周缘附近的粘 着面6a，贴着大致环状且厚度薄的框（环状框）7。框7例如由金属构成，具有能够与保持 片6 -起保持形状的刚性。 在输送载体5的保持片6上，通过在粘着面6a上贴着背面2b而保持有晶片2。如 图2所示，在保持片6的粘着面6a中被框7包围的圆形区域6c的中央配置有晶片2。具体 来说，将晶片2相对于保持片6的位置设定为使得圆形区域6c的中心Cs与晶片2的中心 Cw(从表面2a或背面2b观察晶片2时的中心）大体一致。通过将晶片2配置在圆形区域 6c的中央，在保持片6的晶片2与框7之间以一定宽度形成宽幅的环状区域6d。 参照图1至图4B，在对干蚀装置1的室（真空容器）11的顶部进行封闭的电介质 壁12的上方，配置有作为上部电极的天线（等离子源）13。天线13与第1高频电源部14A 电连接。另一方面，在室11内的底部侧，配置有载置如前述那样保持了晶片2的输送载体 5的台部16。在室11的气体导入口 11a连接有工艺气体源17和灰化气体源18,在排气口 lib连接有包含用于对室11内进行真空排气的真空泵的减压机构19。 台部16具备：与第2高频电源部14B电连接的电极部（第2电极部）21 ;包围电 极部21的外周的第1封装部22A ;以及包围第1封装部22A的外周的第2封装部22B。电 极部21如后述那样，内置静电吸附用电极26的上端面21a附近、即最上部由电介质构成， 而其他部分为金属制。电极部21本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种等离子处理装置，其对由环状的框和保持片构成的输送载体所保持的基板实施等离子处理，所述等离子处理装置的特征在于，具备：室，其具有能够减压的内部空间；等离子源，其使所述室内产生等离子；台，其被设置于所述室内并载置所述输送载体；盖体，其配置于所述台的上方并覆盖所述保持片和所述框，在中央部具有在厚度方向上贯通地形成的窗部；和驱动机构，其将所述盖体相对于所述台的相对位置变更为第1位置和第2位置，所述第1位置是离开所述台并容许所述输送载体相对于所述台的装卸的位置，所述第2位置是所述盖体覆盖在所述台上载置的所述输送载体的所述保持片和所述框、且所述窗部使所述保持片所保持的所述基板露出的位置，所述盖体的窗部，使所述基板的比外缘区域更靠内侧的区域露出。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：西崎展弘，针贝笃史，岩井哲博，广岛满，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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