感光性树脂组合物，感光性元件，光致抗蚀图形的形成方法及印刷电路板的制造方法技术

本发明专利技术涉及感光性树脂组合物，感光性元件，光致抗蚀图形的形成方法及印刷电路板的制造方法。本发明专利技术提供一种感光性树脂组合物，其含有(A)重均分子量40000～80000的粘合剂聚合物、(B)具有乙烯性不饱和键的光聚合性化合物、及(C1)下述通式(1)所表示的化合物：[化1]式(1)中，R至少1个表示碳数1～10的烷氧基、或碳数1～12的烷基，a、b及c的总和为1～6，a、b及c的总和为2～6时，而同一分子中的复数的各个R可相同或不同。

【技术实现步骤摘要】
感光性树脂组合物，感光性元件，光致抗蚀图形的形成方法及印刷电路板的制造方法本专利技术是申请号为200680017652X(国际申请号为PCT/JP2006/310134)、申请日为2006年5月22日、专利技术名称为“感光性树脂组合物，感光性元件，光致抗蚀图形的形成方法及印刷电路板的制造方法”的专利技术申请的分案申请。
本专利技术是关于感光性树脂组合物、感光性元件、光致抗蚀图形的形成方法及印刷电路板的制造方法。
技术介绍
在印刷电路板、等离子显示器用电路板、液晶显示器用电路板、大规模集成电路、薄型晶体管、半导体封装等的微细电子回路，一般而言是经由所谓的光学蚀刻法(光微影术)形成光致抗蚀图形的工序而制造。光学蚀刻法为例如依下述作法于基板上形成导体图形，首先在设置于基板上的感光层上，通过具有规定图形的光掩模膜照射紫外线等光进行曝光，然后通过曝光部与非曝光部的溶解度不同的显影液进行显影后形成光致抗蚀图形，接着通过以该光致抗蚀图形作为光掩模对基板进行镀覆加工、蚀刻加工等，在基板上形成导体图形。特别是于印刷电路板、半导体封装等表面封装
，正积极进行使电子回路的配线更高密度化的技术开发，所以要求以10μm以下尺寸形成构成配线的导体图形，因此，对于光学蚀刻法所使用的感光性树脂组合物，要求10μm以下尺寸的分辨率。此外，对于感光性组合物则要求更高的感光度化。伴随着配线的高密度化，由于电源线的电阻而引起电压降低的问题会有显著化的倾向。对于此问题，通过使光致抗蚀图形的膜厚变厚，使构成电路的导体层厚至10μm左右以上是有效的。为了以高生产性形成膜厚呈厚的光致抗蚀图形，要求感光性树脂更高感光度化。另一方面，作为光致抗蚀图形的形成方法，不使用光掩模图形而直接绘图光致抗蚀图形的所谓的直接绘图曝光法受到注目，认为依据该直接绘图曝光法，可形成高生产性且高分辨率的光致抗蚀图形。于是，近年渐渐可实际使用振荡出波长405nm的激光器，寿命长且高输出率的氮化镓系蓝色激光源作为光源，期望通过在直接绘图曝光法中使用这样的短波长的激光，可形成对于以往技术而言制造困难的高密度的光致抗蚀图形。作为这样的直接绘图曝光法，由BallSemiconductor公司提案使用TexasInstruments公司所提倡的DLP(DigitalLightProcessing，数字光学处理)系统的方法，而适用于此方法的曝光装置己开始实用化。而且，意图通过使用如上述的蓝色激光等激光作为活性光线的直接绘图曝光法来形成光致抗蚀图形的感光性树脂组合物，目前为止已有几个提案(参考例如专利文献1、2)。专利文献1：日本特开2002-296764号公报专利文献2：日本特开2004-45596号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，以往技术的感光性树脂组合物，通过直接绘图曝光法形成高密度的光致抗蚀图形时，从感光度与分辨率的观点来说并不够充足。因此，本专利技术的目的是提供能以充足的感光度及分辨率进行通过直接绘图曝光法形成光致抗蚀图形的感光性树脂组合物、使用该感光性树脂组合物的感光性元件、光致抗蚀图形的形成法及印刷电路板的制造方法。解决课题的手段本专利技术为解决上述的课题，提供含有(A)粘合剂聚合物、(B)具有乙烯性不饱和键的光聚合性化合物及(C1)下述通式(1)所表示的化合物的感光性树脂组合物。[化1]这里，式(1)中，R系至少1个表示碳数1～10的烷氧基或碳数1～12的烷基，a、b及c的总和为1～6，而a、b及c的总和为2～6时，同一分子中的复数的各个R可相同或不同。本专利技术的感光性树脂组合物，通过组合如上述的特定成分而构成，故能以充足的感光度及分辨率进行通过直接绘图曝光法形成光致抗蚀图形。本专利技术人认为，通过使用含有如上述(C1)成分这样的具有特定的取代基的吡唑啉衍生物的光聚合引发剂，能够得到如上述的感光度和分辨率提高的效果。此外，本专利技术的感光性树脂组合物的上述(C1)成分中，优选a、b及c各自地表示0～2的整数。本专利技术的感光性树脂组合物，其(A)成分优选含有以来自丙烯酸和/或甲基丙烯酸的单体单元与来自丙烯酸的烷基酯和/或甲基丙烯酸的烷基酯的单体单元作为构成单元的丙烯酸系聚合物，藉此，可以更进一步提高碱显影性及光照射后的抗蚀剂剥离性。本专利技术的感光性树脂组合物，除了上述成分，优选还含有作为(C2)成分的2,4,5－三芳基咪唑二聚物或其衍生物，此(C2)成分与(C1)成分同样具有作为光聚合引发剂的功能。通过并用(C1)成分与(C2)成分作为光聚合引发剂，产生更进一步提高感光度及分辨率的相乘效果，同时也可提高对于基板的密合性。本专利技术的感光性树脂组合物，相对于(A)成分及(B)成分的总量100质量份，优选(B)成分的配合量为20～80质量份、(C1)成分的配合量为0.001～5.0质量份。此外，在上述通式(1)所表示的化合物中，R表示碳数1～10的烷氧基或碳数1～3的烷基时，该R为甲氧基和/或异丙基较佳，而a、b及c的总和为1～2较佳。再者，在上述通式(1)所表示的化合物中，R表示碳数4～12的烷基时，该R可为1种以上选自由正丁基、叔丁基、叔辛基及十二烷基所组成的组中的烷基。吡唑啉衍生物具有这样的取代基时，可以使感光性树脂组合物的感光度及分辨率非常充足。本专利技术的感光性树脂组合物，优选被使用于以在350nm以上且未满440nm的波长范围内具有波峰的光进行曝光来形成光致抗蚀图形，特别优选被使用于以在390nm以上且未满410nm的波长范围内具有波峰的光进行曝光来形成光致抗蚀图形。通过使用在350nm以上且未满440nm的波长范围内具有波峰的光作为活性光线的直接绘图曝光法等，可轻易形成高密度的光致抗蚀图形。本专利技术的感光性树脂组合物，对于通过这种特定波长的光形成光致抗蚀图形而言特别有用。此处，「具有波峰」意味着在规定的波长范围内光强度显示出极大值。该本专利技术的感光性树脂组合物，优选(C1)成分的最大吸收波长为370nm以上且未满420nm，「最大吸收波长」意味着吸光度达到最高的波长。作为使用以往的感光性树脂组合物中所含有的成分，而得到适用于上述直接绘图曝光法等的感光性树脂组合物的手段，有单纯地增加光聚合引发剂的添加量，以增大全波长的吸光度，对于在390nm以上且未满440nm的波长范围内具有波峰的光也增大其吸光度而确保感光度的方法。但以往的含有4,4’-双(二乙氨基)二苯甲酮作为引发剂的感光性树脂组合物，其最大吸收波长为365nm附近。因此，在390nm以上且未满440nm的波长范围内具有波峰的光，位于感光性树脂组合物的吸光度的波峰(最大吸收波长：365nm)的波脚部。故如果照射的光的波长偏差几纳米左右，则其感光度变动极大。另一方面，直接绘图曝光法等所使用的激光，具有某程度的波长分布，照射时的波长具有几纳米左右的振动幅度。由上述可知，仅单纯的增加光聚合引发剂的添加量，会有降低感光度稳定性的倾向。另一方面，上述本专利技术的感光性树脂组合物，以在350nm以上且未满440nm的波长范围内具有波峰的光进行曝光时，通过使(C1)成分的最大吸收波长为370nm以上且未满420nm，即使所吸收的光的波长偏差几纳米左右，其感光度的变动也会充分地被抑制，因此，对于照射光的波长的几纳米左右的偏差，也可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种感光性树脂组合物，其特征为，含有(A)重均分子量40000～80000的粘合剂聚合物、(B)具有乙烯性不饱和键的光聚合性化合物、(C1)下述通式(1)所表示的化合物，式(1)中，至少1个R表示碳数1～10的烷氧基，a、b及c的总和为1～6；a、b及c的总和为2～6时，同一分子中的复数的各个R相同或相异。

【技术特征摘要】
2005.05.23 JP 2005-150133;2006.04.06 JP 2006-105411.一种感光性树脂组合物在用于通过直接绘图曝光法形成光致抗蚀图形中的应用，其特征为，所述感光性树脂组合物含有(A)重均分子量40000～80000的粘合剂聚合物、(B)具有乙烯性不饱和键的光聚合性化合物、(C1)下述通式(1)所表示的化合物，式(1)中，至少1个R表示碳数1～10的烷氧基，a、b及c的总和为1～6；a、b及c的总和为2～6时，各个R相同或相异，所述(B)成分含有含双酚A骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物。2.根据权利要求1所述的应用，其中，相对于所述(A)成分与所述(B)成分的总量100质量份，所述(C1)成分的配合量为0.05～0.8质量份。3.根据权利要求1所述的应用，其中，所述(A)成分为含有丙烯酸系聚合物的成分，所述丙烯酸系聚合物具有以来自丙烯酸和/或甲基丙烯酸的单体单元与来自丙烯酸的烷基酯和/或甲基丙烯酸的烷基酯的单体单元作为构成单元。4.根据权利要求3所述的应用，其中，所述(A)成分进一步含有来自苯乙烯的单体单元作为构成单元。5.根据权利要求1所述的应用，其中，进一步含有(C2)2,4,5-三芳基咪唑二聚物或其衍生物。6.根据权利要求5所述的应用，其中，相对于所述(A)成分与所述(B)成分的总量100质量份，(C2)成分的配合量为3～5质量份。7.根据权利要求1所述的应用，其中，所述R为甲氧基。8.根据权利要求1所述的应用，其中，所述a、b和c的总和为1或2。9.根据权利要求1所述的应用，其被使用于曝光于在350nm以上且未满440nm的波长范围内具有波峰的光下形成光致抗蚀图形。10.根据权利要求1所述的应用，其中，所述(C1)成分的最大吸收波长为370nm以上且未满420nm。11.一种感光性元件在用于通过直接绘图曝光法形成光致抗蚀图形中的应用，其特征为，所述感光性元件具备支撑...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫坂昌宏，熊木尚，
申请(专利权)人：日立化成工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP