电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和酞菁晶体制造技术

本发明专利技术涉及电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和酞菁晶体。电子照相感光构件包含支承体以及形成于该支承体上的电荷产生层和电荷输送层。所述电荷产生层包含特定胺化合物。

Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, electrophotographic apparatus, and phthalocyanine crystal

The invention relates to an electrophotographic photosensitive element, a processing cartridge, an electrophotographic device, and a phthalocyanine crystal. An electrophotographic photosensitive member includes a support body and a charge generating layer formed on the support body and a charge transport layer. The charge generating layer contains a specific amine compound.

【技术实现步骤摘要】
电子照相感光构件、处理盒、电子照相设备和酞菁晶体
本专利技术涉及电子照相感光构件、各自具有电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备，并且涉及酞菁晶体。
技术介绍
由于通常用于电子照相感光构件的图像曝光装置的半导体激光器具有650至820nm范围的长振荡波长，对长波长范围的光具有高感光度的电子照相感光构件目前处在开发阶段。最近，对短振荡波长的半导体激光器的光具有高感光度的电子照相感光构件也处于开发阶段以实现高分辨率图像。已知偶氮颜料和酞菁颜料作为对长波长区至短波长区范围的光具有高感光度的电荷产生物质。尽管使用偶氮颜料或酞菁颜料的电子照相感光构件具有优良的感光性，问题是产生的光载流子趋于残留在感光层充当存储器，在某些情况下容易导致电位变动如重影。为了解决酞菁颜料的问题，将酞菁颜料与特定的偶氮颜料组合使用。在日本专利申请特开第S59-30541号公报、日本专利申请特开第2007-138153号公报和日本专利申请特开第2009-301016号公报中描述了用于电子照相感光构件的苯乙酮化合物。日本专利申请特开第S59-30541号公报中描述了用作酞菁气相沉积膜的吸收波长偏移化剂的乙酰化苯衍生物。日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子照相感光构件，其包含：支承体；和形成于所述支承体上的电荷产生层和电荷输送层；其特征在于，所述电荷产生层包含：电荷产生物质；和下式(1)表示的胺化合物；

【技术特征摘要】
2012.12.14 JP 2012-273727;2013.11.22 JP 2013-242101.一种电子照相感光构件，其包含：支承体；和形成于所述支承体上的电荷产生层和电荷输送层；其特征在于，所述电荷产生层包含：电荷产生物质；和下式(1)表示的胺化合物；其中，R1至R5各自独立表示氢原子、卤原子、羟基、羧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、具有取代基的氨基、或者取代或未取代的环氨基；和R1至R5的至少之一为用取代或未取代的芳基取代的氨基、用取代或未取代的烷基取代的氨基，或者取代或未取代的环氨基。2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中R1至R5的至少之一为用取代或未取代的烷基取代的氨基。3.根据权利要求2所述的电子照相感光构件，其中所述用取代或未取代的烷基取代的氨基为二烷基氨基。4.根据权利要求3所述的电子照相感光构件，其中所述二烷基氨基为二甲基氨基或二乙基氨基。5.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述胺化合物为下式(2)表示的胺化合物：其中R6和R7各自独立地表示甲基或乙基。6.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中R1至R5的至少之一为取代或未取代的环氨基。7.根据权利要求6所述的电子照相感光构件，其中所述取代或未取代的环氨基为吗啉代基或哌啶子基。8.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述胺化合物为下式(3)表示的胺化合物：9.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述电荷产生层中的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中正人，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP