一种射频横向扩散金属氧化物半导体版图结构制造技术

本实用新型专利技术属于半导体器件技术领域，公开了一种射频横向扩散金属氧化物半导体版图结构，包括：栅指单元、漏指单元以及横向扩散金属氧化物半导体LDMOS；LDMOS的栅极端与栅指单元相连，漏极端与漏指单元相连；漏指单元包括：漏指基底以及用于管脚连接的漏端延伸结构；栅指单元包括：多个栅指基底以及其延伸结构，用于管脚连接的管脚连接件；管脚连接件呈梳齿形；呈梳齿形的管脚连接件顶端与栅指基底相连，且连接点位于呈梳齿形的管脚连接件的顶部中心位置；管脚连接件的梳齿状延伸结构与LDMOS的栅极端相连；漏端延伸结构与LDMOS的漏极端相连。本实用新型专利技术通过对称设置的栅指单元降低寄生电感电阻的影响，改善电压分布；同时优化信号相位同步率，提高芯片效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术属于半导体器件
，公开了一种射频横向扩散金属氧化物半导体版图结构，包括：栅指单元、漏指单元以及横向扩散金属氧化物半导体LDMOS；LDMOS的栅极端与栅指单元相连，漏极端与漏指单元相连；漏指单元包括：漏指基底以及用于管脚连接的漏端延伸结构；栅指单元包括：多个栅指基底以及其延伸结构，用于管脚连接的管脚连接件；管脚连接件呈梳齿形；呈梳齿形的管脚连接件顶端与栅指基底相连，且连接点位于呈梳齿形的管脚连接件的顶部中心位置；管脚连接件的梳齿状延伸结构与LDMOS的栅极端相连；漏端延伸结构与LDMOS的漏极端相连。本技术通过对称设置的栅指单元降低寄生电感电阻的影响，改善电压分布；同时优化信号相位同步率，提高芯片效率。【专利说明】
本技术涉及半导体器件
，特别涉及一种射频横向扩散金属氧化物半 导体版图结构。 一种射频横向扩散金属氧化物半导体版图结构
技术介绍
射频横向扩散金属氧化物半导体RF-LDMOS(Radio Frequency Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,射频横向扩散金属氧化物半导体）为现代雷达和无线通信基 站等的核心部件；阵列使用时，通过金属连接结构统一连接，即通过栅指和漏指结构统一连 接。 参见图1，传统的RF-LDM0S版图，由于栅指结构7长度较长，其寄生电阻电感较大， 不能忽略，导致从版图中心位置到两侧的器件栅端呈电压分布效应；即从栅指结构中心到 栅指结构两端电压不一致，一般呈现递减分布，因而越靠近中心位置的器件功耗越大，这样 使得中心位置的器件极容易因为功耗过大过热烧毁；另一方面，栅端的引出金属线，无论如 何设置引线密度，任一引线传输的信号到中心位置的器件列和两端的器件列的电长度不一 致， 因而导致信号的相位不一致，这样会使得芯片不能有效实现功率放大作用。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种降低电压分布效应，以及信号相位差 的射频横向扩散金属氧化物半导体版图结构。 为解决上述技术问题，本技术提供了一种射频横向扩散金属氧化物半导体版 图结构，包括：栅指单元、漏指单元以及横向扩散金属氧化物半导体LDM0S ;所述LDM0S的栅 极端与所述栅指单元相连，漏极端与所述漏指单元相连；其特征在于，所述漏指单元包括： 漏指基底以及用于管脚连接的漏端延伸结构；所述栅指单元包括：多个栅指基底以及其延 伸结构，用于管脚连接的管脚连接件；所述管脚连接件呈梳齿形；所述呈梳齿形的管脚连 接件顶端与所述栅指基底相连，且连接点位于所述梳齿形管脚连接件的顶部中心位置；所 述梳齿形管脚连接件的梳齿状延伸结构与所述LDM0S的栅极端相连；所述漏端延伸结构与 所述LDM0S的漏极端相连。 进一步地，所述漏端延伸结构位于所述梳齿形管脚连接件的任意两个相邻梳齿状 延伸结构间或者位于相邻栅指单元的两个相邻梳齿状延伸结构间。 进一步地，任意一个梳齿状延伸结构与其相邻的一个漏端延伸结构间均连接多个 LDM0S构成一个器件列。 进一步地，同一栅指单元连接的多个器件列中，相邻的两个器件列中，靠近中心的 器件列包含的LDM0S数量小于等于远离中心的器件列所包含的LDM0S的数量。 进一步地，同一栅指单元连接的多个栅指基底中，靠近芯片中心的栅指基底连接 的LDM0S的数量小于等于远离中心的栅指基底连接的LDM0S的数量。 进一步地，当一个芯片中存在多个栅指单元时，靠近芯片中心的栅指单元连接的 LDM0S的数量小于等于远离中心的栅指单元连接的LDM0S的数量。 进一步地，当同一栅指基底存在η个所述管脚连接件时，所述栅指基底上设置η个 用于连接η个所述管脚连接件的连接点；所述η个连接点包括所述栅指基底的两端点；所 述η个连接点等间距分布在所述栅指基底上；η为大于等于2的自然数。 进一步地，所述漏指基底均分成多段漏指基底单元；其中，漏指基底单元的数量与 栅指基底的数量相等。 进一步地，任一所述栅指基底中的管脚连接件的数量为2个；对称分布在所述栅 指基底的两端。 进一步地,所述管脚连接件的梳齿状延伸结构数量为2个。 本技术提供的射频横向扩散金属氧化物半导体版图结构革新传统的版图结 构，将栅指结构分为多个独立的栅指基底，每个栅指基底设置用于管脚连接的管脚连接件， 为关于栅指基底中心对称的梳齿形的延伸结构，这种结构形成的寄生电阻和电感关于栅指 基底中心对称，从而使得栅指基底两端的电压分布一致，大大降低了电压分布效应，避免器 件过热烧毁；同时信号到两端的器件列的距离相同，从而大大减小信号相位差，改善信号通 路的相位均匀性，改善器件效率；此外多个分离的栅指基底，使得每部分栅指单元的整体阻 抗增加，降低内匹配难度。 【专利附图】【附图说明】 图1为传统射频横向扩散金属氧化物半导体版图结构； 图2为本技术实施例一提供的射频横向扩散金属氧化物半导体版图结构； 图3为本技术实施例二提供的射频横向扩散金属氧化物半导体版图单元结 构。 【具体实施方式】 实施例一 参见图2,本技术实施例提供的一种射频横向扩散金属氧化物半导体版图结 构，包括：栅指单元、漏指单元以及横向扩散金属氧化物半导体LDM0S ;横向扩散金属氧化 物半导体LDM0S的栅极端与栅指单元相连，漏极端与漏指单元相连；漏指单元包括：漏指基 底5以及用于管脚连接的漏端延伸结构；栅指单元包括：栅指基底1以及其延伸结构，用于 管脚连接的管脚连接件2 ;管脚连接件2呈梳齿形；管脚连接件2顶端与栅指基底1相连， 且连接点位于梳齿形管脚连接件2的顶部中心位置；梳齿形管脚连接件2的梳齿状延伸结 构与LDM0S4的栅极端相连；漏端延伸结构与LDM0S4的漏极端相连。 将传统版图中的栅指结构划分成多个独立的栅指单元，解决的栅指结构过长的问 题，其电压分布效应降低，避免了靠近栅指结构中部的器件因为过热烧毁；同时采用栅指单 元两端对称设置延伸结构，即管脚连接件2,使得寄生电感电阻关于栅指基底1的中心对 称，因而在栅指单元内部电压分布是一致的，进一步降低了器件过热烧毁的风险；采用独立 的多个栅指单元，使得器件到栅指基底中部信号接入点的距离相同，因而大大降低了信号 相位差，改善信号通路的相位均匀性，改善器件效率。 漏端延伸结构位于梳齿形管脚连接件2的任意两个相邻梳齿状延伸结构间或者 位于相邻栅指单元的两个相邻梳齿状延伸结构间。任意一个梳齿状延伸结构与其相邻的一 个漏端延伸结构间均连接多个LDM0S构成一个器件列。尽可能多的容纳器件，从而保证单 位封装面积内产生更多的输出功率。 为了避免相邻的栅指基底间出现局部过热的情况，避免热效应的影响；优选的，漏 端延伸结构位于同一梳齿形管脚连接件的任意相邻两梳齿状延伸结构间；去除两栅指单元 间的器件列，避免出现局部热效应。 为了避免局部热量过大，优选的，同一栅指基底连接的多个器件列中，相邻的两 个器件列中，靠近中心的器件列包含的LDM0S数量小于等于远离中心的器件列所包含的 LDM0S的数量；使得栅指单元结构内部的不至于产本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频横向扩散金属氧化物半导体版图结构，包括：栅指单元、漏指单元以及横向扩散金属氧化物半导体LDMOS；所述LDMOS的栅极端与所述栅指单元相连，漏极端与所述漏指单元相连；其特征在于，所述漏指单元包括：漏指基底以及用于管脚连接的漏端延伸结构；所述漏端延伸结构为漏指基底的梳齿状延伸结构；所述栅指单元包括：多个栅指基底及各栅指基底的延伸结构；所述栅指基底的延伸结构为用于管脚连接的管脚连接件；所述管脚连接件呈梳齿形；所述呈梳齿形的管脚连接件顶端与所述栅指基底相连，且连接点位于所述呈梳齿形的管脚连接件的顶部中心位置；所述管脚连接件的梳齿状延伸结构与所述LDMOS的栅极端相连；所述漏端延伸结构与所述LDMOS的漏极端相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李赛，李科，丛密芳，杜寰，
申请(专利权)人：上海联星电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31