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本实用新型属于半导体器件技术领域，公开了一种射频横向扩散金属氧化物半导体版图结构，包括：栅指单元、漏指单元以及横向扩散金属氧化物半导体LDMOS；LDMOS的栅极端与栅指单元相连，漏极端与漏指单元相连；漏指单元包括：漏指基底以及用于管脚连接...
该专利属于上海联星电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海联星电子有限公司授权不得商用。

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