【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种沟槽型肖特基二极管的结构及其制作工艺方法。
技术介绍
在半导体集成电路中,目前比较典型的是三层光罩的沟槽型肖特基二极管,第一层光罩定义器件单元尺寸,第二层光罩遮蔽终端区域,定义器件接触区域,第三层光罩定义器件金属阳极,其具体结构如图1所示。 这种沟槽型肖特基二极管是利用多数载流子导电的器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复的问题,因此开关速度特别快。同时由于肖特基势垒高度的优势,更适用于低导通压降、高频整流的应用。 要实现这种肖特基二极管,需要通过光刻工艺对肖特基区域进行曝光、显影步骤,同时遮蔽终端区域;再通过选择性干法刻蚀的方法,将肖特基区域的介质层移除。由于现有的干法刻蚀二氧化硅的工艺会因为过刻蚀,导致沟槽内热氧界面低于多晶硅及硅表面,并进而容易导致尖端放电,影响器件的反向漏电性能。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题之一是提供一种沟槽型肖特基二极管的制作方法,它可以优化肖特基接触区域硅表面的平整度,并可以少用一层光罩。 为解决上述技术问题,本专利技术的沟槽型肖特基二极管的制作方法,在完成外延层的生长后,溅射粘附层及淀积金属层前,包括有以下步骤: 1)在外延层上刻蚀出沟槽和外围终端区域; 2)生长一层二氧化硅; 3)淀积多晶硅,完全填充沟槽内部; 4)回刻多晶硅,仅保留沟槽内部和外围终端区域侧壁的多晶硅; 5)淀积二氧化硅介质层; 6)除去沟槽上方多余的二氧化硅,仅在外围终端区域保留一层二氧化硅介质层。 本专利技术要解决的技术问题之二是提供用上 ...
【技术保护点】
沟槽型肖特基二极管的制作方法,其特征在于,在完成外延层的生长后,溅射粘附层及淀积金属层前,包括有以下步骤:1)在外延层上刻蚀出沟槽和外围终端区域;2)生长一层二氧化硅;3)淀积多晶硅,完全填充沟槽内部;4)回刻多晶硅,仅保留沟槽内部和外围终端区域侧壁的多晶硅;5)淀积二氧化硅介质层;6)除去沟槽上方多余的二氧化硅,仅在外围终端区域保留一层二氧化硅介质层。
【技术特征摘要】
1.沟槽型肖特基二极管的制作方法,其特征在于,在完成外延层的生长后,溅射粘附层及淀积金属层前,包括有以下步骤: 1)在外延层上刻蚀出沟槽和外围终端区域; 2)生长一层二氧化娃; 3)淀积多晶硅,完全填充沟槽内部; 4)回刻多晶娃,仅保留沟槽内部和外围终端区域侧壁的多晶娃; 5)淀积二氧化娃介质层; 6)除去沟槽上方多余的二氧化硅,仅在外围终端区域保留一层二氧化硅介质层。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤1),所述外围终端区域呈长沟槽形。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤2),采用热氧化工艺生长二氧化硅。4.根据权利要求3所述的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员:邵向荣,韩健,李宏伟,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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