一种多晶硅层及显示基板的制备方法、显示基板技术

本发明专利技术实施例提供了一种多晶硅层及显示基板的制备方法、显示基板，涉及显示技术领域，可以同时综合不同薄膜晶体管对迁移率的要求，从而保证产品性能。该多晶硅层应用于每个子像素单元均包括至少2个薄膜晶体管的显示基板，至少2个薄膜晶体管中包含有至少1个第一薄膜晶体管和至少1个第二薄膜晶体管；多晶硅层的制备方法包括：在基板上通过构图工艺形成非晶硅层，非晶硅层包括非晶硅底和位于非晶硅底上的多个第一凸起结构和多个第二凸起结构；其中，第一凸起结构位于第一薄膜晶体管区域，第二凸起结构位于第二薄膜晶体管区域，且第一凸起结构的间距小于第二凸起结构的间距；对非晶硅层进行准分子激光晶化，得到多晶硅层。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术实施例提供了一种多晶硅层及显示基板的制备方法、显示基板，涉及显示
，可以同时综合不同薄膜晶体管对迁移率的要求，从而保证产品性能。该多晶硅层应用于每个子像素单元均包括至少2个薄膜晶体管的显示基板，至少2个薄膜晶体管中包含有至少1个第一薄膜晶体管和至少1个第二薄膜晶体管；多晶硅层的制备方法包括：在基板上通过构图工艺形成非晶硅层，非晶硅层包括非晶硅底和位于非晶硅底上的多个第一凸起结构和多个第二凸起结构；其中，第一凸起结构位于第一薄膜晶体管区域，第二凸起结构位于第二薄膜晶体管区域，且第一凸起结构的间距小于第二凸起结构的间距；对非晶硅层进行准分子激光晶化，得到多晶硅层。【专利说明】一种多晶硅层及显示基板的制备方法、显示基板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种多晶硅层的制备方法、显示基板的制备方法及显示基板。
技术介绍
薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)按照娃薄膜性质通常可以分为非晶硅(a-si)与多晶硅(poly-si)两种，与非晶硅薄膜晶体管相比，多晶硅薄膜晶体管具有更高的电子迁移率、较低的关态漏电流，因此，利用多晶硅薄膜晶体管制作的显示器会有较高的分辨率以及较快的反应速度。目前，非晶娃晶化技术主要有固相晶化(Solid Phase Crystallizat1n,简称SPC)、金属诱导横向晶化(Metal-1nduced Lateral Crystallizat1n,简称MILC)、准分子激光晶化(Excimer Laser Crystallizat1n,简称ELC)等技术。其中，ELC技术以其产品较高的迁移率及产率，被普遍用于非晶硅的晶化。对于显示器的显示基板而言，迁移率是薄膜晶体管的一个非常重要的参数，然而，即使采用ELC制备多晶硅薄膜也有相应的缺点存在，这是因为当该多晶硅薄膜应用于显示基板的薄膜晶体管时，对于某些薄膜晶体管例如开关薄膜晶体管而言，其希望迁移率相对较小以降低关态漏电流，对于其他薄膜晶体管例如驱动薄膜晶体管，则希望迁移率相对较大，这就使得在实际应用过程中很难综合上述两方面的原因，从而可能影响该产品的性能。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种多晶硅层的制备方法及显示基板的制备方法、及显示基板，可以同时综合不同薄膜晶体管对迁移率的要求，从而保证产品性能。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案:一方面，提供一种多晶硅层的制备方法，所述多晶硅层应用于每个子像素单元均包括至少2个薄膜晶体管的显示基板，所述至少2个薄膜晶体管中包含有至少I个第一薄膜晶体管和至少I个第二薄膜晶体管；所述方法包括:在基板上通过构图工艺形成非晶硅层，所述非晶硅层包括非晶硅底和位于所述非晶硅底上的多个第一凸起结构和多个第二凸起结构；其中，所述第一凸起结构位于第一薄膜晶体管区域，所述第二凸起结构位于第二薄膜晶体管区域，且所述第一凸起结构的间距小于所述第二凸起结构的间距；对所述非晶硅层进行准分子激光晶化，得到所述多晶硅层。优选的，所述第一薄膜晶体管包括开关薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括驱动薄膜晶体管。进一步优选的，所述第一凸起结构的间距为1000_2000nm，所述第二凸起结构的间距为 1500-2500nm。优选的，位于所述第一薄膜晶体管区域的第一凸起结构等间距分布，位于第二薄膜晶体管区域的所述第二凸起结构等间距分布。基于上述，优选的，所述在基板上通过构图工艺形成非晶硅层，具体包括:在基板上形成非晶硅薄膜，并在所述非晶硅薄膜上形成光刻胶；采用半阶掩模板或灰阶掩膜板对形成有所述光刻胶的基板进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分和光刻胶半保留部分；其中，所述光刻胶完全保留部分至少对应待形成的所述第一凸起结构和所述第二凸起结构的区域，所述光刻胶半保留部分对应其余区域；采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶，并刻蚀露出的所述非晶硅薄膜，形成所述第一凸起结构、所述第二凸起结构、以及所述非晶硅底；采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶。另一方面，提供一种显不基板的制备方法，所述方法包括:在衬底基板的第一薄膜晶体管区域和第二薄膜晶体管区域均形成有源层、位于所述有源层上方的栅绝缘层、栅电极、源电极和漏电极，并形成电极结构；所述有源层包括源极区、漏极区、位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；其中，位于第一薄膜晶体管区域和第二薄膜晶体管区域的所述有源层是通过对上述任一项所述的多晶硅层的与所述源极区和所述漏极区相对应的区域进行掺杂工艺得到的。可选的，所述电极结构包括阳极和阴极；所述方法还包括:形成位于所述阳极和所述阴极之间的有机材料功能层。进一步的，所述第一薄膜晶体管包括开关薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括驱动薄膜晶体管；所述在衬底基板的第一薄膜晶体管区域和第二薄膜晶体管区域形成有源层，包括:在每个子像素单元的开关薄膜晶体管区域和驱动薄膜晶体管区域形成所述有源层。基于上述，优选的，所述方法还包括:在所述衬底基板表面形成缓冲层。再一方面，提供一种显示基板，所述显示基板由上述任一项所述的方法制备而成本专利技术实施例提供了一种多晶硅层及显示基板的制备方法、显示基板，所述多晶硅层应用于每个子像素单元均包括至少2个薄膜晶体管的显示基板，所述至少2个薄膜晶体管中包含有至少I个第一薄膜晶体管和至少I个第二薄膜晶体管；所述方法包括:在基板上通过构图工艺形成非晶硅层，所述非晶硅层包括非晶硅底和位于所述非晶硅底上的多个第一凸起结构和多个第二凸起结构；其中，所述第一凸起结构位于第一薄膜晶体管区域，所述第二凸起结构位于第二薄膜晶体管区域，且所述第一凸起结构的间距小于所述第二凸起结构的间距；对所述非晶硅层进行准分子激光晶化，得到所述多晶硅层。一方面，通过将所述非晶硅层刻蚀成非晶硅底和位于非晶硅底上所述第一凸起结构和第二凸起结构，可以在所述非晶硅层晶化过程中均匀形核，从而保证了各薄膜晶体管区域的多晶硅晶粒的均匀分布，从而制备得到均匀性较好的多晶硅层；另一方面，由于多晶硅层的晶粒尺寸与迁移率成正比，当位于第一薄膜晶体管区域的第一凸起结构的间距小于位于第二薄膜晶体管区域的第二凸起结构的间距时，可以使形成于第一薄膜晶体管区域的多晶硅层的晶粒尺寸相对较小，使形成于第二薄膜晶体管区域的多晶硅层的晶粒尺寸相对较大，这样可以同时综合不同薄膜晶体管对迁移率的要求，从而保证产品性能。【专利附图】【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种非晶硅层的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种多晶硅层的晶粒尺寸示意图；图3、图4a、图5为本专利技术实施例提供的一种制备非晶硅层的过程示意图；图4b、图6a、图6b、图6c为本专利技术实施例提供的一种制备图案化的非晶硅层的过程不意图；图7为本专利技术实施例提供的一种OLED的背板的结构示意图一；图8为本专利技术实施例提供的一种OLED的背板的结构示意图二 ；图9为本专利技术实施例提供的一种OLED的子像素单元中开关薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅层的制备方法，所述多晶硅层应用于每个子像素单元均包括至少2个薄膜晶体管的显示基板，所述至少2个薄膜晶体管中包含有至少1个第一薄膜晶体管和至少1个第二薄膜晶体管；其特征在于，所述方法包括：在基板上通过构图工艺形成非晶硅层，所述非晶硅层包括非晶硅底和位于所述非晶硅底上的多个第一凸起结构和多个第二凸起结构；其中，所述第一凸起结构位于第一薄膜晶体管区域，所述第二凸起结构位于第二薄膜晶体管区域，且所述第一凸起结构的间距小于所述第二凸起结构的间距；对所述非晶硅层进行准分子激光晶化，得到所述多晶硅层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张慧娟，亢澎涛，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11