一种识别装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种识别装置，安装在基片架和传送机构上，包括：至少2n个识别孔和一识别器，识别孔设置在基片架上，识别器安装在传送机构上，识别器进一步包括一红外线发射单元、一红外线接收单元和一转换单元，转换单元与红外线接收单元连接，红外线发射单元与识别孔的高度一致。与现有技术相比，该基片识别装置的识别孔和识别器分别安装在基片架和传送机构上，识别器上的红外线发射单元发射红外线穿过识别孔，通过红外线接收单元接收红外线量确定识别孔中开放识别孔和封闭识别孔的数量和位置关系，从而确定基片型号；该基片识别装置结构简单，不受电磁影响，连续快速识别基片，不影响镀膜生产工艺，因此其应用前景十分广阔。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
一种识别装置
本技术涉及一种真空镀膜生产线领域，具体说，是涉及一种识别装置。
技术介绍
真空镀膜技术初现于20世纪30年代，四五十年代开始出现工业应用，工业化大规模生产开始于20世纪80年代，在电子、宇航、包装、装潢、烫金印刷等工业中取得广泛的应用。真空镀膜技术是一种新颖的材料合成与加工的新技术，是表面工程
的重要组成部分。真空镀膜技术是利用物理、化学手段将固体表面涂覆一层特殊性能的镀膜，从而使固体表面具有耐磨损、耐高温、耐腐蚀、抗氧化、防辐射、导电、导磁、绝缘和装饰灯许多优于固体材料本身的优越性能，达到提高产品质量、延长产品寿命、节约能源和获得显著技术经济效益的作用。需要镀膜的材料被称为基片，镀的材料被称为靶材。在真空镀膜生产线中，会有大量的基片通过基片架运送到真空镀膜腔内镀膜，然后从镀膜腔内移出，结束镀膜。但是在镀膜的生产工艺过程中，为了使基片完整镀膜，基片上不能有任何标识，这样在基片镀膜中不能很快的识别基片，特别是有的基片大小相近，需要借助工具测量才能知道，而且基片在在镀膜的生产工艺过程中进行到哪一步也是不能确定的，因此这个工作人员，特别是在出现故障时，不能准确检修，而是需要将整个生产工艺检查一次，这样耗费大量的人力物力，降低生产效率。专利号为200610062223的申请文件，提供了一种能自动识别的基片架、识别方法及自动识别装置，该装置是在基片架上设有一组与基片架的编号相对应的能使光信号穿过的条形光栅孔编码，所述条形光栅孔编码由宽条形光栅孔和/或窄条形 光栅孔组合而成，对应与基片架的编号的二进制表示。该编码采用的是宽条形光栅孔或窄条形光栅孔组合形成，这样形状不一的识别方式不仅导致基片架加工时，尤其是成条形光栅孔时的要求较高，使基片架的生产工艺更加复杂；此外，可识别的基片架数量受到限制，仅能通过增加更多的条形光栅孔实现，具体使用时较为受限。红外线是波长介乎微波与可见光之间的电磁波，其波长在760纳米至I毫米之间，是波长比红光长的非可见光。所有高于绝对零度(-273.15°C )的物质都可以产生红外线。红外线发射管也称红外线发射二极管，属于二极管类，它是可以将电能直接转换成近红外光(不可见光)并能辐射出去的发光器件，主要应用于各种光电开关、触摸屏及遥控发射电路中。红外线接收管是在LED行业中命名的，是专门用来接收和感应红外线发射管发出的红外光线，一般情况是与红外线发射管成套运用在产品设备当中。现在市场上的红外线接收管有两种，一种是光电二极管，另一种是光电三极管。光电二极管就是将光信号转化为电信号，光电三极管在将光信号转化为电信号的同时，也把电流放大了。因此，光电三极管也分为两种，分别是NPN型和PNP型。红外线接收管是将红外线光信号转换为电信号的半导体器件，它的核心部件是一个特殊材料的PN结，和普通二极管相比，在结构上采取了大的改变，红外线接收管为了更多更大面积的接受入射光射线，PN结面积尽量做的比较大，电极面积尽量减小，而且PN结的结深很浅，一般小于I微米。没有光照时，反向电流很小，称为暗电流。当红外线光照时，携带的能量红外线光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子-空穴对。它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流明显变大，光的强度越大，方向电流也越大，这种特性称为“光电导”。红外线接收管在一般照度的光线照射下产生的电流叫光电流。如果在光电路上接上负载，负载上就获得了信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。
技术实现思路
针对现有技术存在的上述问题，本技术的目的是提供一种识别装置，该识别装置设置在基片架上，该识别装置结构简单，快速识别基片，不影响镀膜生产工艺。为实现上述专利技术目的，本技术采用的技术方案如下:一种识别装置，安装在基片架和传送机构上，基片识别装置包括:至少2η个识别孔和一识别器，识别孔设置在基片架上，识别器安装在传送机构上，识别器进一步包括一红外线发射单元、一红外线接收单元和一转换单元，转换单元与红外线接收单元连接，红外线发射单元与识别孔的高度一致。优选地，基片架通过传送机构在镀膜生产线中传送，基片架进一步包括第一支撑杆、第二支撑杆、第一挡板和第二挡板，所述第一支撑杆、第一挡板、第二支撑杆和第二挡板两两连接形成一长方形框架，识别孔设置在第二挡板上；传送机构进一步包括一传送架和传送座，传送座安装在传送架内，基片架通过传送座传送，识别器设置在传送架上。更优选地，红外线发射单元和红外线接收单元整合安装。优选地，红外线发射单元和红外线接收单元设置在传送机构的两侧，红外线发射单元和红外线接收单元对应；红外线发射单元进一步包括至少一个红外线发射元件，红外线接收单元进一步包括一红外线接收元件，红外线发射元件和红外线接收元件对应，红外线发射元件和红外线接收元件组合在一起与识别孔对应。优选地，识别孔进一步分为开放识别孔和封闭识别孔，封闭识别孔与开放识别孔的直径一致，封闭识别孔是通过将开放识别孔封闭形成。更优选地，该封闭识别孔是人工自动封闭，换句话说，在加工该识别孔时，都是加工成开放识别孔，然后人为封闭开放识别孔，这样更加灵活调节开放识别孔与封闭识别孔的位置，更加方便跟踪基片。更优选地，开放识别孔和封闭识别孔的数量和位置关系依据生产线中基片架数量和类型确定调整。更优选地，红外线发射元件和红外线接收元件对应一开放识别孔或一封闭识别孔，当红外线发射元件对应开放识别孔时，红外线发射元件发射的红外线通过开放识别孔，并通过红外线接收元件接收红外线，接收元件传递一种信号给转换单元；当红外线发射元件对应封闭识别孔时，红外线发射元件发射的红外线不能通过封闭识别孔，红外线接收不到红外线发射元件发射的红外线，红外线接收元件传递另一种类型信号给转换单元。优选地，转换单元将红外线接收元件接收到红外线发射元件发出的红外线发出的信号转换为“ I ”，转换单元将红外线接收元件未接收到红外线发射元件发出的信号转换为“ O ”，对应二进制。优选地，识别装置的识别基片类型的数量依据识别孔的数量确定。更优选地，识别装置识别基片类型的数量为2η，η≥1。更优选地，识别装置识别基片类型的数量为2η，5≥η≥1。优选地，识别装置进一步包括一控制器，控制器与识别器的转换单元无线连接，控制器接收转换单元的信号汇总。优选地，基识别装置进一步包括一显示器和一输入键盘，显示器与控制器连接，输入键盘与控制器连接，通过输入键盘将各种基片型号输入控制器内，便于通过显示器显示。与现有技术相比，本技术提供的一种识别装置，其识别孔和识别器分别安装在基片架和传送机构上，识别器上的红外线发射单元发射红外线穿过识别孔，通过红外线接收单元接收的红外线量确定识别孔中开放识别孔和封闭识别孔的数量和位置关系，从而确定安装在基片架上基片的型号；该识别装置结构简单，不受电磁影响，连续快速识别基片型号，不影响镀膜生产工艺，因此其应用前景十分广阔。【附图说明】图1为本技术提供的识别装置一种优选实施方式示意图；图2为本 技术提供的识别装置一种优选实施方式的连接示意图；图3Α为本技术提供的识别装置一种优选实施方式中基片架上安装第一种类型基片时基片架上识别孔排布示意图；图3Β为本技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种识别装置，安装在基片架和传送机构上，其特征在于，所述识别装置包括至少2n个识别孔和一识别器，所述识别孔设置在所述基片架上，所述识别器安装在传送机构上，所述识别器进一步包括一红外线发射单元、一红外线接收单元和一转换单元，所述转换单元与所述红外线接收单元连接，所述红外线发射单元与所述识别孔的高度一致。

【技术特征摘要】
1.一种识别装置，安装在基片架和传送机构上，其特征在于，所述识别装置包括至少2n个识别孔和一识别器，所述识别孔设置在所述基片架上，所述识别器安装在传送机构上，所述识别器进一步包括一红外线发射单元、一红外线接收单元和一转换单元，所述转换单元与所述红外线接收单元连接，所述红外线发射单元与所述识别孔的高度一致。2.根据权利要求1所述的识别装置，其特征在于:所述识别孔进一步分为开放识别孔和封闭识别孔，所述封闭识别孔与所述开放识别孔的直径一致，所述封闭识别孔通过将所述开放识别孔封闭形成。3.根据权利要求2所述的识别装置，其特征在于:所述封闭识别孔是人工自动封闭。4.根据权利要求2所述的识别装置，其特征在于:所述开放识别孔和所述封闭识别孔的数量和位置关系依据生产线中基片架数量和类型确定调整。5.根据权利要求2所述的识别装置，其特征在于:所述红外线发射单元和所述红外线接收单元整合安装。6.根据权利要求5所述的识别装置，其特征在于:所述红外线发射单元和所述红外线接收单元设置在传送机构的两侧，所述红外线发射单元和所述红...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄国兴，孙桂红，祝海生，黄乐，梁红，吴永光，
申请(专利权)人：湘潭宏大真空技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：湖南;43