【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于镀膜，具体为一种具有刻蚀和石墨轰击工艺的ar+af膜制备方法。
技术介绍
1、由于节能和减反射的各种需求，在以玻璃、pc、pet、pmma等有机基片，金属，陶瓷等各种基片上，也有了镀制各种ar的不同需求，ar减反射膜需求量越来越大，如为了降低能耗和减少手机盖板玻璃在户外时的反射，许多手机前盖视窗玻璃上要求镀ar膜。还有汽车中控盖板玻璃上镀制ar的需求量也越来越大。目前在手机盖板和车载中控屏幕上ar基本都与af搭配使用，形成ar+af膜，以达到产品同时减反增透，又具备防指纹防污易清洁的功能。
2、为了实现各种减反射和光学需求，ar的膜厚和层数也在随着相应的需求会有变化，会变得更厚、层数更多。随着ar膜层的厚度变化，ar表面的粗糙度和表面形貌会变得更加复杂，一般来说当膜厚越厚、层数越多时，ar表面的粗糙度也会呈现变大的趋势，ar表面的形貌会呈现出各种不可控，比如呈现出各种异常尖端等。ar表面形貌和粗糙度的不可控，在ar工序后续的af工艺上会变得更加复杂，ar+af的表面相关性能，如耐摩擦、寿命等会受到极大的影响。所以需要在ar表面进行ar后处理。
3、常规的ar后处理包括plasma、线性离子源处理、rf离子源处理、霍尔离子源处理、icp处理等，但是上述处理基本浮于表面，仅能对表面进行轻微的轰击，处理效果不佳。目前行业内ar+af整体耐摩擦水平为：在一个常规条件(耐磨条件为1kg 0000#钢丝绒，频率60次/min行程50mm)的情况下，2000次耐磨后，水滴角一般都小于100度，大部分维持在
技术实现思路
1、针对现有技术存在的上述问题，本专利技术的目的是提供一种具有刻蚀和石墨轰击工艺的ar+af膜制备方法，在ar膜表面通过微刻蚀叠加石墨轰击处理，得到了高耐磨性、高寿命、ar和af之间附着力强的ar+af膜，并且产品的光学性能不会受到影响，通过微刻蚀处理使ar膜表面的粗糙度由不一致变得规则一致，通过石墨轰击处理一方面增加了微刻蚀处理后的羟基，另一方面反应掉了微刻蚀处理后的遗留的残余大分子团等残留物，实现清洁作用，所述方法适用于不同基材的最外层为sio2的各种材质各种厚度的ar。
2、为了实现上述目的，本专利技术所采用的技术方案是：
3、一种具有刻蚀和石墨轰击工艺的ar+af膜制备方法，首先在ar膜上进行刻蚀，在离子源区通入惰性气体、刻蚀气体和o2，将镀有ar膜的基片送入所述离子源区，离化后的气体对ar表面进行刻蚀处理，然后进行石墨轰击，同时通入惰性气体和o2，最后在ar膜表面镀af膜。
4、作为上述技术方案的进一步改进：
5、所述惰性气体为ar，所述离子源为icp离子源，所述icp的电源为rf电源。
6、所述刻蚀气体为cf4、sf6、chf3、nf3、c2f6、bcl3中的一种。
7、刻蚀时通过控制气体流量、rf功率和刻蚀时间实现对所述ar膜层表面的不同厚度的刻蚀处理，当刻蚀后的ar膜的光谱反射率和水滴角达到设定范围即完成刻蚀；石墨轰击时通过控制气体流量、电源功率和处理时间实现对ar膜层表面的不同程度的处理，当水滴角达到设定值即完成石墨轰击。
8、石墨轰击时通过控制ar和o2的流量比例、电源功率和处理时间实现对ar膜层表面的不同程度的处理，当水滴角达到10°以下即完成石墨轰击。
9、当刻蚀后的ar膜水滴角大于100度即完成刻蚀。
10、ar膜的刻蚀前的厚度等于目标厚度和被刻蚀厚度之和。
11、刻蚀时，rf功率为1～10千瓦，ar气体流量为20～1000sccm，刻蚀气体流量范围50～5000sccm，o2流量为10～2000sccm，刻蚀处理时间为30～300s。
12、石墨轰击时，电源功率为1～20kw，ar流量为20～2000sccm，o2流量为10～2000sccm，处理时间为1～30min。
13、基片上所述ar膜层的最外层为sio2。
14、本专利技术的有益效果是：在ar膜表面通过微刻蚀叠加石墨轰击处理，得到了高耐磨性、高寿命、ar和af之间附着力强的ar+af膜，并且产品的光学性能不会受到影响，通过微刻蚀处理使ar膜表面的粗糙度由不一致变得规则一致，通过石墨轰击处理一方面增加了微刻蚀处理后的羟基，另一方面反应掉了微刻蚀处理后的遗留的残余大分子团等残留物，实现清洁作用，所述方法适用于不同基材的最外层为sio2的各种材质各种厚度的ar。
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1.一种具有刻蚀和石墨轰击工艺的AR+AF膜制备方法，其特征在于，首先在AR膜上进行刻蚀，在离子源区通入惰性气体、刻蚀气体和O2，将镀有AR膜的基片送入所述离子源区，离化后的气体对AR表面进行刻蚀处理，然后进行石墨轰击，同时通入惰性气体和O2，最后在AR膜表面镀AF膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述惰性气体为Ar，所述离子源为ICP离子源，所述ICP的电源为RF电源。
3.根据权利要求2所述的工艺方法，其特征在于：所述刻蚀气体为CF4、SF6、CHF3、NF3、C2F6、BCl3中的一种。
4.根据权利要求3所述的工艺方法，其特征在于：刻蚀时通过控制气体流量、RF功率和刻蚀时间实现对所述AR膜层表面的不同厚度的刻蚀处理，当刻蚀后的AR膜的光谱反射率和水滴角达到设定范围即完成刻蚀；石墨轰击时通过控制气体流量、电源功率和处理时间实现对AR膜层表面的不同程度的处理，当水滴角达到设定值即完成石墨轰击。
5.根据权利要求4所述的工艺方法，其特征在于：石墨轰击时通过控制Ar和O2的流量比例、电源功率和处理时间实现对AR膜层
6.根据权利要求4所述的工艺方法，其特征在于：当刻蚀后的AR膜水滴角大于100度即完成刻蚀。
7.根据权利要求4所述的工艺方法，其特征在于：AR膜的刻蚀前的厚度等于目标厚度和被刻蚀厚度之和。
8.根据权利要求3所述的工艺方法，其特征在于：刻蚀时，RF功率为1～10千瓦，Ar气体流量为20～1000sccm，刻蚀气体流量范围50～5000sccm，O2流量为10～2000sccm，刻蚀处理时间为30～300s。
9.根据权利要求3所述的工艺方法，其特征在于：石墨轰击时，电源功率为1～20kw，Ar流量为20～2000sccm，O2流量为10～2000sccm，处理时间为1～30min。
10.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于：基片上所述AR膜层的最外层为SiO2。
...【技术特征摘要】
1.一种具有刻蚀和石墨轰击工艺的ar+af膜制备方法，其特征在于，首先在ar膜上进行刻蚀，在离子源区通入惰性气体、刻蚀气体和o2，将镀有ar膜的基片送入所述离子源区，离化后的气体对ar表面进行刻蚀处理，然后进行石墨轰击，同时通入惰性气体和o2，最后在ar膜表面镀af膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述惰性气体为ar，所述离子源为icp离子源，所述icp的电源为rf电源。
3.根据权利要求2所述的工艺方法，其特征在于：所述刻蚀气体为cf4、sf6、chf3、nf3、c2f6、bcl3中的一种。
4.根据权利要求3所述的工艺方法，其特征在于：刻蚀时通过控制气体流量、rf功率和刻蚀时间实现对所述ar膜层表面的不同厚度的刻蚀处理，当刻蚀后的ar膜的光谱反射率和水滴角达到设定范围即完成刻蚀；石墨轰击时通过控制气体流量、电源功率和处理时间实现对ar膜层表面的不同程度的处理，当水滴角达到设定值即完成石墨轰击。
5.根据权利要求4所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈立，郑学军，李新栓，李俊杰，寇立，贺楚才，孙桂红，黄乐，薛闯，
申请(专利权)人：湘潭宏大真空技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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