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本发明公开了一种具有刻蚀和石墨轰击工艺的AR+AF膜制备方法，首先在AR膜上进行刻蚀，在离子源区通入惰性气体、刻蚀气体和O2，将镀有AR膜的基片送入所述离子源区，离化后的气体对AR表面进行刻蚀处理，然后进行石墨轰击，同时通入惰性气体和O&l...
该专利属于湘潭宏大真空技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭宏大真空技术股份有限公司授权不得商用。

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