【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于镀膜，具体为一种ar膜层表面处理方法。
技术介绍
1、由于节能和减反射的各种需求，在以玻璃，pc、pet、pmma等有机基片，金属，陶瓷等各种基片上，也有了镀制各种ar的不同需求，ar减反射膜需求量越来越大，如为了降低能耗和减少手机盖板玻璃在户外时的反射，许多手机前盖视窗玻璃上要求镀ar膜。还有汽车中控盖板玻璃上镀制ar的需求量也越来越大。为了实现各种减反射和光学需求，ar的膜厚和层数也在随着相应的需求会有变化，会变得更厚、层数更多。随着ar膜层的厚度变化，ar表面的粗糙度和表面形貌会变得更加复杂，一般来说当膜厚越厚、层数越多时，ar表面的粗糙度也会呈现变大的趋势，ar表面的形貌会呈现出各种不可控，比如呈现出各种异常尖端等。ar表面形貌和粗糙度的不可控，在ar工序的后续工艺上会变得更加复杂，比如ar后镀af膜和其他的功能膜层。所以需要在ar表面进行ar后处理。常规的ar后处理包括plasma、线性离子源处理、rf离子源处理、霍尔离子源处理、icp处理等，但是上述处理基本浮于表面，仅能对表面进行轻微的轰击，处理效果不佳。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的上述问题，本专利技术的目的是提供一种ar膜层表面处理方法，通过对ar膜层表面的微刻蚀对ar膜层表面进行处理，使ar表面由许多不规则的凸起和尖峰被处理为规则一致的表面，便于ar膜层后续工艺的高效和高质量进行，提高了ar膜的性能和质量，处理后的ar膜层的光学性能不受影响，处理工艺简单可靠。
2、为了实现上述目
3、一种ar膜层表面处理方法，在离子源区通入惰性气体、o2和刻蚀气体，将镀有ar膜的基片送入所述离子源区，通过控制惰性气体流量、o2流量、刻蚀气体流量、rf功率和刻蚀时间实现对所述ar膜层表面的不同厚度的刻蚀处理。
4、作为上述技术方案的进一步改进：
5、所述刻蚀气体为cf4、sf6、chf3、nf3、c2f6、bcl3中的一种。
6、所述刻蚀气体为cf4，所述惰性气体为ar，通入ar、cf4、o2三种气体，rf功率设定1～10千瓦，ar的流量设定为20～1000sccm，cf4的流量设定为50～5000sccm，o2的流量设定为10-2000sccm，将镀有ar膜的基片送入所述离子源区，时间为30～300s，完成所述ar膜层表面的处理。
7、基片上所述ar膜层的最外层为sio2。
8、所述处理方法在镀膜设备中进行，所述镀膜设备中设有镀膜腔室，所述镀膜腔室中设有基片架，为一个圆桶式的鼓，基片固定在圆桶式的鼓的侧面，鼓围绕圆桶中心轴转动，基片围绕所述中心轴公转。
9、所述镀膜腔室中设有靶区和离子源区，所述靶区设有多个靶材，当所述基片经过所述靶区时，多个靶材依次溅射沉积在基片上，形成需要的ar膜层，基片转动时依次经过所述靶区和所述离子源区。
10、通过控制所述基片的转动圈数得到要求的膜层和膜厚。
11、沿着基片的转动方向，多个靶材依次为第一靶材、第二靶材和第三靶材，所述第三靶材为si靶。
12、所述第一靶材为si靶，在基片上沉积的粒子为sio2。
13、所述第二靶材为nb、si、和ti中的一种，在基片上沉积的粒子分别为nb2o5、si3n4、和tio2中的一种。
14、本专利技术的有益效果是：通过对ar膜层表面的微刻蚀对ar膜层表面进行处理，使ar表面由许多不规则的凸起和尖峰被处理为规则一致的表面，便于ar膜层后续工艺的高效和高质量进行，提高了ar膜的性能和质量，处理后的ar膜层的光学性能不受影响，处理工艺简单可靠。
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1.一种AR膜层表面处理方法，其特征在于，在离子源区通入惰性气体、O2和刻蚀气体，将镀有AR膜的基片送入所述离子源区，通过控制气体流量、RF功率和刻蚀时间实现对所述AR膜层表面的不同厚度的刻蚀处理。
2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于：所述刻蚀气体为CF4、SF6、CHF3、NF3、C2F6、BCl3中的一种。
3.根据权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于：所述刻蚀气体为CF4，所述惰性气体为Ar，通入Ar、CF4、O2三种气体，RF功率设定1～10千瓦，Ar的流量设定为20～1000sccm，CF4的流量设定为50～5000sccm，O2的流量设定为10-2000sccm，将镀有AR膜的基片送入所述离子源区，时间为30～300s，完成所述AR膜层表面的处理。
4.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于：基片上所述AR膜层的最外层为SiO2。
5.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于：所述处理方法在镀膜设备中进行，所述镀膜设备中设有镀膜腔室，所述镀膜腔室中设有基片架，为一个圆桶式的鼓，基片固定在圆桶式的鼓的侧面，
6.根据权利要求5所述的处理方法，其特征在于：所述镀膜腔室中设有靶区和离子源区，所述靶区设有多个靶材，当所述基片经过所述靶区时，多个靶材依次溅射沉积在基片上，形成需要的AR膜层，基片转动时依次经过所述靶区和所述离子源区。
7.根据权利要求6所述的处理方法，其特征在于：通过控制所述基片的转动圈数得到要求的膜层和膜厚。
8.根据权利要求6所述的处理方法，其特征在于：沿着基片的转动方向，多个靶材依次为第一靶材、第二靶材和第三靶材，所述第三靶材为Si靶。
9.根据权利要求8所述的处理方法，其特征在于：所述第一靶材为Si靶，在基片上沉积的粒子为SiO2。
10.根据权利要求8所述的处理方法，其特征在于：所述第二靶材为Nb、Si、和Ti中的一种，在基片上沉积的粒子分别为Nb2O5、Si3N4、和TiO2中的一种。
...【技术特征摘要】
1.一种ar膜层表面处理方法，其特征在于，在离子源区通入惰性气体、o2和刻蚀气体，将镀有ar膜的基片送入所述离子源区，通过控制气体流量、rf功率和刻蚀时间实现对所述ar膜层表面的不同厚度的刻蚀处理。
2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于：所述刻蚀气体为cf4、sf6、chf3、nf3、c2f6、bcl3中的一种。
3.根据权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于：所述刻蚀气体为cf4，所述惰性气体为ar，通入ar、cf4、o2三种气体，rf功率设定1～10千瓦，ar的流量设定为20～1000sccm，cf4的流量设定为50～5000sccm，o2的流量设定为10-2000sccm，将镀有ar膜的基片送入所述离子源区，时间为30～300s，完成所述ar膜层表面的处理。
4.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于：基片上所述ar膜层的最外层为sio2。
5.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于：所述处理方法在镀膜设备中进行，所述镀膜设备...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈立，郑学军，李俊杰，李新栓，寇立，贺楚才，孙桂红，黄乐，薛闯，
申请(专利权)人：湘潭宏大真空技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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