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本发明公开了一种AR膜层表面处理方法，在离子源区通入惰性气体、O<subgt;2</subgt;和刻蚀气体，将镀有AR膜的基片送入所述离子源区，通过控制气体流量、RF功率和刻蚀时间实现对所述AR膜层表面的不同厚度的刻蚀处理。本发...
该专利属于湘潭宏大真空技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭宏大真空技术股份有限公司授权不得商用。

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