CVD炉管真空管路防沉积定制中心环制造技术

本技术公开了CVD炉管真空管路防沉积定制中心环，包括装置本体，所述装置本体包括真空管路、顶盖和防沉积环，所述真空管路位于装置本体底部，所述顶盖安装在真空管路顶部，所述防沉积环安装在真空管路底端内部；所述防沉积环顶部设有安装尖角，所述安装尖角呈锥形状，所述安装尖角表面和防沉积环底部均设有呈列状等距分布的若干组外螺纹，所述防沉积环和安装尖角均为不锈钢材质。该种装置可以十分便捷的防止副产物沉积在真空管路内侧，该种装置的真空管路内设有防沉积环，防沉积环可以便于工作热源对其进行拆卸，从而提高工作人员对副产物清理的效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶圆制备设备，具体为cvd炉管真空管路防沉积定制中心环。

技术介绍

1、现有的200毫米晶圆低压化学气制备设备有如下缺陷：

2、1、现有的200毫米晶圆低压化学气相沉积设备，薄膜制备过程中副产物会大量沉积在真空管路，造成腔室污染并影响抽真空效率，副产物为坚硬的氮化物，难以清理去除。

3、2、现有的真空管路外侧没有保护的装置，在使用时，工作人员的手如果触碰到真空管路，从而会导致真空管路会烫伤工作人员的手，影响工作人员的安全。

技术实现思路

1、(一)解决的技术问题

2、针对现有技术的不足，本技术提供了cvd炉管真空管路防沉积定制中心环，解决了现有薄膜制备过程中副产物会大量沉积在真空管路，造成腔室污染并影响抽真空效率，副产物为坚硬的氮化物，难以清理去除的问题。

3、(二)技术方案

4、为实现以上目的，本技术通过以下技术方案予以实现：cvd炉管真空管路防沉积定制中心环，包括装置本体，所述装置本体包括真空管路、顶盖和防沉积环，所述真空管路位于装置本体底部，所述顶盖安装在真空管路顶部，所述防沉积环安装在真空管路底端内部；

5、优选的，所述防沉积环顶部设有安装尖角，所述安装尖角呈锥形状，所述安装尖角表面和防沉积环底部均设有呈列状等距分布的若干组外螺纹，所述防沉积环和安装尖角均为不锈钢材质。

6、优选的，所述顶盖呈环状，所述顶盖底部设有密封圈，所述密封圈为弹性橡胶材质。

7、优选的，所述真空管路内壁设有呈列状等距分布的若干组内螺纹。

8、优选的，所述真空管路表面喷涂有防护漆面，所述防护漆面为隔热涂料。

9、(三)有益效果

10、本技术提供了cvd炉管真空管路防沉积定制中心环。具备以下有益效果：

11、1、该种cvd炉管真空管路防沉积定制中心环可以有效地方便工作人员对副产物清理去除，该特制化中心环在标准nw80中心环基础上，向真空腔体内部安装有防沉积环，防沉积环可以有效地使制程气体沿真空管路流经内衬时遇冷凝结在内衬上，从而产生副产物，工作人员可以通过转动防沉积环来进行对防沉积环的拆卸工作，从而工作人员可以单独对防沉积环内部进行清理工作，进一步提高对副产物的清理效率，且工作人员也可以直接更换新的防沉积环，来提高工作人员的工作效率，防沉积环顶部的安装尖角呈锥形，从而可以用有效地贴合真空管路内壁，提高安装的稳定性和贴合度，进一步可以防止副产物沉积在真空管路内壁上。

12、2、该种cvd炉管真空管路防沉积定制中心环的真空管路表面设有防护漆面，防护漆面为隔热漆面，从而可以有效地隔绝热量，防止真空管路烫伤工作人员的手。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.CVD炉管真空管路防沉积定制中心环，其特征在于：包括装置本体(1)，所述装置本体(1)包括真空管路(2)、顶盖(3)和防沉积环(4)，所述真空管路(2)位于装置本体(1)底部，所述顶盖(3)安装在真空管路(2)顶部，所述防沉积环(4)安装在真空管路(2)底端内部；

2.根据权利要求1所述的CVD炉管真空管路防沉积定制中心环，其特征在于：所述顶盖(3)呈环状，所述顶盖(3)底部设有密封圈(9)，所述密封圈(9)为弹性橡胶材质。

3.根据权利要求1所述的CVD炉管真空管路防沉积定制中心环，其特征在于：所述真空管路(2)内壁设有呈列状等距分布的若干组内螺纹(8)。

4.根据权利要求1所述的CVD炉管真空管路防沉积定制中心环，其特征在于：所述真空管路(2)表面喷涂有防护漆面(5)，所述防护漆面(5)为隔热涂料。

【技术特征摘要】

1.cvd炉管真空管路防沉积定制中心环，其特征在于：包括装置本体(1)，所述装置本体(1)包括真空管路(2)、顶盖(3)和防沉积环(4)，所述真空管路(2)位于装置本体(1)底部，所述顶盖(3)安装在真空管路(2)顶部，所述防沉积环(4)安装在真空管路(2)底端内部；

2.根据权利要求1所述的cvd炉管真空管路防沉积定制中心环，其特征在于：所述顶盖(3)呈环状，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴佳兴，
申请(专利权)人：上海至纯半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：