【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于镀膜，具体为一种疏松氧化物薄膜的制备方法。
技术介绍
1、在物理气相沉积薄膜的多种方式中，磁控溅射与电子束蒸发等镀膜方式相比，粒子能量会更大，沉积出来的薄膜更显致密，附着力等性能优于蒸发镀。蒸发镀膜的蒸发离子能量偏弱，在成膜过程中会更疏松，相应的附着力等性能上较差。总的来说，磁控溅射和蒸发镀膜相比较，磁控溅射成膜更显致密，膜层应力偏大；蒸发镀膜层疏松，膜层应力相对较小。在膜层性能和大规模量产性上，磁控溅射成膜比蒸发镀更具优势。但是，在沉积比较厚的膜层时，或者在沉积在pc等高分子基材上时，膜层应力偏大时，在膜层附着力和一些性耐性测试上，会存在一些负面的效果。
2、当前，在磁控溅射技术沉积较厚膜层时，或者在高分子材料基材上沉积薄膜时，需要通过一些工艺手段调节膜层的应力、控制薄膜的疏松程度。比如，在沉积较厚的膜层时，可通过渐变功率镀膜、渐变气氛镀膜、高低工作压强搭配镀膜等手段。其中在调节膜层的疏松效果时，常用的工艺调节手段是增加ar气流量，通过提高工作压强的方法，增加ar分子的碰撞几率，削弱靶材粒子动量，使粒子在基材上的排布变得疏松。还可以采用减小溅射功率、减小粒子的初始动能等方式。
3、上述这些方法在调节磁控溅射沉积的薄膜疏松程度和应力方面，可以起到一定的效果，但都是需要通过调节某项会损失磁控溅射沉积的某一种优势来达到调节的目的，且在致密或疏松程度的控制上，只能从大致方向上取得一定的效果，并不能做到在不损失磁控溅射沉积薄膜的其他优势上来达到极大程度调节致密疏松效果的目的，而且也不能量化控制。p>
技术实现思路
1、针对现有技术存在的上述问题，本专利技术的目的是提供一种疏松氧化物薄膜的制备方法，利用c共溅射后氧化反应溅射方法制备特殊用途的疏松薄膜，使成型的氧化物薄膜具备疏松多孔的结构，疏松结构的薄膜在pc或pet塑料薄膜的成膜过程中可以利用其疏松的结构来进行应力的调节，在制备一些特殊的膜层或者较厚的膜层中作为应力的调节层，薄膜的疏松程度可调，薄膜的疏松程度可以通过c的比例大小来进行精确控制，氧化物薄膜通过溅射沉积获得，附着力性能优。
2、为了实现上述目的，本专利技术所采用的技术方案是：
3、一种疏松氧化物薄膜的制备方法，首先以第一靶材和c靶共溅射，所述第一靶材材质为x，在基片上沉积x c薄膜，然后使o2-氧化x c薄膜，o2-与x氧化成沉积粒子，o2-与c氧化生成co2，co2逃逸留下空位，生成疏松结构的氧化物薄膜。
4、作为上述技术方案的进一步改进：
5、所述第一靶材为金属靶材或非金属靶材，c靶为石墨靶。
6、所述第一靶材为nb、ti、al、mo、si中的其中一种。
7、所述第一靶材和c靶材共溅射、o2-氧化x c薄膜两个过程可依次重复进行。
8、所述第一靶材和c靶采用中频孪生对靶的方式设置。
9、所述第一靶材和c靶采用分别独立受控的方式。
10、c靶由直流电源控制，第一靶材为金属靶材时，第一靶材由直流电源控制，第一靶材为非金属靶材时，第一靶材由脉冲直流电源控制。
11、所述第一靶材和c靶材共溅射、o2-氧化x c薄膜两个过程在镀膜腔室中进行，所述镀膜腔室中设置靶区和离化区，所述第一靶材和c靶设置在所述靶区，o2-被注入所述离化区，所述基片依次经过所述靶区和离化区。
12、o2-通过将o2离化获得。所述离化区气体ar的布气范围为10～1000sccm，气体o2的布气范围为10～2000sccm。
13、所述基片围绕一中心轴公转。
14、本专利技术的有益效果是：利用c共溅射后氧化反应溅射方法制备特殊用途的疏松薄膜，使成型的氧化物薄膜具备疏松多孔的结构，疏松结构的薄膜在pc或pet塑料薄膜的成膜过程中可以利用其疏松的结构来进行应力的调节，在制备一些特殊的膜层或者较厚的膜层中作为应力的调节层，薄膜的疏松程度可调，薄膜的疏松程度可以通过c的比例大小来进行精确控制，氧化物薄膜通过溅射沉积获得，附着力性能优。
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1.一种疏松氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，首先以第一靶材和C靶共溅射，所述第一靶材材质为X，在基片上沉积X C薄膜，然后使O2-氧化X C薄膜，O2-与X氧化成沉积粒子，O2-与C氧化生成CO2，CO2逃逸留下空位，生成疏松结构的氧化物薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述第一靶材为金属靶材或非金属靶材，C靶为石墨靶。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述第一靶材为Nb、Ti、Al、Mo、Si中的其中一种。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述第一靶材和C靶材共溅射、O2-氧化X C薄膜两个过程可依次重复进行。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述第一靶材和C靶采用中频孪生对靶的方式设置。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述第一靶材和C靶采用分别独立受控的方式。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：C靶由直流电源控制，第一靶材为金属靶材时，第一靶材由直流电源控制，第一靶材为非金属靶材时，第一靶材由脉冲直流电源控制。p>
8.根据权利要求1～7任一所述的制备方法，其特征在于：所述第一靶材和C靶材共溅射、O2-氧化X C薄膜两个过程在镀膜腔室中进行，所述镀膜腔室中设置靶区和离化区，所述第一靶材和C靶设置在所述靶区，O2-被注入所述离化区，所述基片依次经过所述靶区和离化区。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：所述离化区气体Ar的布气范围为10～1000sccm，气体O2的布气范围为10～2000sccm。
10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：所述基片围绕一中心轴公转。
...【技术特征摘要】
1.一种疏松氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，首先以第一靶材和c靶共溅射，所述第一靶材材质为x，在基片上沉积x c薄膜，然后使o2-氧化x c薄膜，o2-与x氧化成沉积粒子，o2-与c氧化生成co2，co2逃逸留下空位，生成疏松结构的氧化物薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述第一靶材为金属靶材或非金属靶材，c靶为石墨靶。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述第一靶材为nb、ti、al、mo、si中的其中一种。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述第一靶材和c靶材共溅射、o2-氧化x c薄膜两个过程可依次重复进行。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述第一靶材和c靶采用中频孪生对靶的方式设置。
6.根据权利要求1所述的制备...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈立，郑学军，李俊杰，李新栓，寇立，贺楚才，孙桂红，黄乐，薛闯，
申请(专利权)人：湘潭宏大真空技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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