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基于保留漂移历史的非易失性存储器读取阈值最优化制造技术

技术编号:10325312 阅读:112 留言:0更新日期:2014-08-14 12:01
本发明专利技术涉及基于保留漂移历史的非易失性存储器读取阈值最优化。SSD控制器动态调整NVM中的读取阈值以减少由于装置阈值电压分布偏移而导致的错误,因此改善了诸如SSD的存储子系统的性能、可靠性和/或成本。保留漂移时钟使用在一个或多个NVM芯片上的一个或多个参考页面(或ECC单元或块)作为随着时间/温度参考的读取阈值,并且使用这些值的函数作为(随着时间/温度)的漂移的测量。在一些初始时间,一个或多个参考页面被程序化且为一个或多个参考页面中的每一个测量初始读取阈值。在一些实施方式中,读取阈值在以下一个或多个中被平均:同一芯片上的所有参考页面;以及I/O装置中相同的一个或多个芯片中的所有参考页面。

【技术实现步骤摘要】
基于保留漂移历史的非易失性存储器读取阈值最优化相关申请的交叉引用本申请的权益要求体现在所附的应用数据表、请求或传送中(如果有的话,根据需要而定)。在即时应用的类型允许的范围内,本申请为了所有的目的通过引用将以下申请结合于此,完成本专利技术时所有共同拥有的即时应用:于2012年5月4日提交的第一指定【专利技术者】为Earl T COHEN以及题为“固态硬盘控制器中的0-1平衡管理”的美国非临时申请(案号:SF-ll-02和序列号:13/464,433);以及于2013年2月10日提交的第一指定【专利技术者】为Earl T COHEN以及题为“基于保留漂移历史的非易失性存储器读取阈值最优化”的美国临时专利申请(案号:SF-11-19和序列号:61/762,955)。
本专利技术涉及非易失性存储技术方面的进步,以提供改进的性能、效率以及使用效用。
技术介绍
除非明确地确定为公开或众所周知,否则本文所提到的包括用于上下文、定义或比较目的的技术和原理不应当被解释为承认这些技术和原理是先前公知的或作为另外的现有技术的一部分。本文引用的包括专利、专利申请和出版物的所有参考文献(如果有),通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法,包括:记录与程序化非易失性存储器的多个页面组中的特定一个相关联的电压漂移参考时间戳的采样值;以及至少部分基于所记录的电压漂移参考时间戳的采样值和与读取相关联的电压漂移参考时间戳的采样值,确定读取程序化的特定页面组中的至少一些的电压阈值。

【技术特征摘要】
2013.02.10 US 61/762,9551.一种方法,包括: 记录与程序化非易失性存储器的多个页面组中的特定一个相关联的电压漂移参考时间戳的采样值;以及 至少部分基于所记录的电压漂移参考时间戳的采样值和与读取相关联的电压漂移参考时间戳的采样值,确定读取程序化的特定页面组中的至少一些的电压阈值。2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:在所记录的所述电压漂移参考时间戳的采样值针对所述电压漂移参考时间戳在所述读取的时间的所述采样值相差少于特定差值之后,使用默认电压阈值作为所述读取的所述电压阈值。3.根据权利要求1所述的方法,进一步包括: 周期性采样所述非易失性存储器的参考位置来确定所述参考位置的当前电压阈值;以及 其中,所述周期性采样至少部分确定所述电压漂移参考时间戳的所述采样值。4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述电压漂移参考时间戳的所述采样值中的至少一些分别包括相应的阶段数和相应的阈值部分,其中,所述阶段数根据主阶段数,以及所述阈值部分根据所述参考位置随着相关的周期性采样的所述当前电压阈值。5.根据权利要求4所述的方法,进一步包括:在所述参考位置超过边界的所述当前电压阈值之后,更新所述参考位...

【专利技术属性】
技术研发人员:厄尔·T·柯亨钟浩
申请(专利权)人:LSI公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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