含氮芳香族化合物、有机半导体材料及有机电子器件制造技术

提供一种具有高电荷迁移率、溶剂可溶性、氧化稳定性、良好的制膜性的含氮杂环化合物及含有其的有机半导体材料、以及使用了该有机半导体材料的有机半导体元件。含氮杂环化合物由下述通式(1)表示，有机半导体材料含有该含氮杂环化合物。另外，为使用了该含氮杂环化合物的有机半导体元件等电子器件，该有机半导体元件具有含有上述含氮杂环化合物的有机半导体材料作为薄膜层。有机电子器件有：有机场效应晶体管、有机薄膜太阳能电池、信息标签、电子人工皮肤片材、片材型扫描器等大面积传感器、液晶显示器、电子纸及有机EL面板等。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】含氮芳香族化合物、有机半导体材料及有机电子器件
本专利技术涉及一种新型的含氮芳香族化合物及含有其的有机半导体材料、使用该有机半导体材料而得到的有机半导体膜及有机薄膜晶体管等有机电子器件。
技术介绍
通常，就使用无机半导体材料的硅的半导体器件而言，在其薄膜形成中，高温工艺和高真空工艺为必须的。由于需要高温工艺，所以无法将硅在塑料基板上等形成薄膜，对于组装有半导体元件的制品，难以赋予挠性、进行轻量化。另外，由于需要高真空工艺，所以组装有半导体元件的制品的大面积化和低成本化困难。因此，近年来，进行了与利用有机半导体材料作为有机电子部件的有机电子器件(例如有机电致发光(有机EL)元件、有机薄膜晶体管元件或有机薄膜光电转换元件等)有关的研究。这些有机半导体材料与无机半导体材料相比，可以显著地降低制作工艺温度，因此，可以在塑料基板上等形成。而且，通过使用对溶剂的溶解性大、且具有良好的成膜性的有机半导体材料，可以使用不需要真空工艺的涂布法、例如喷墨装置等形成薄膜，结果，期待实现就使用作为无机半导体材料的硅的半导体元件而言困难的大面积化和低成本化。这样，有机半导体材料与无机半导体材料相比，在大面积化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含氮芳香族杂环化合物，其由下述通式(1)表示，式中，R分别独立地表示氢、碳数1～30的脂肪族烃基、碳数3～50的芳香族基团、碳数4～60的芳香族取代烷基、碳数5～60的芳香族取代烯基或碳数5～60的芳香族取代炔基，R中的至少1个表示碳数3～50的芳香族基团、碳数4～60的芳香族取代烷基、碳数5～60的芳香族取代烯基或碳数5～60的芳香族取代炔基；n表示1～4的整数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.08 JP 2011-2689181.一种有机薄膜晶体管，其特征在于，其使用了含有由下述通式(1)表示的含氮芳香族杂环化合物的有机半导体材料，式中，R分别...

【专利技术属性】
技术研发人员：轴丸真名，
申请(专利权)人：新日铁住金化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP