复合晶片及其制造方法技术

本发明专利技术涉及复合晶片及其制造方法。一种复合晶片包括衬底和SiC基功能层。衬底包括多孔碳衬底芯和包装衬底芯的包装层。SiC基功能层在与包装层的界面区处包括碳化物和硅化物中的至少一个，碳化物和硅化物通过SiC基功能层的部分与碳化物和硅化物形成金属的反应而形成。在功能层的厚度上积分的碳化物和硅化物形成金属的数量是10-4mg/cm2到0.1mg/cm2。

【技术实现步骤摘要】
复合晶片及其制造方法
本文中描述的实施例涉及晶片，尤其具有衬底和布置在衬底上的SiC基功能层的复合晶片，并且涉及用于制造这样晶片的方法。
技术介绍
相对于由硅晶片制成的更一般的器件，SiC基半导体器件供给许多优点。例如，耐受高温并且具有宽带隙的SiC非常适合于高温电子系统（诸如功率电子器件或高温传感器）中的应用。由于SiC的高成本，薄SiC基功能层对于SiC基器件是合乎期望的。功能层能够布置在衬底上，该衬底提供基体材料并且在SiC层的处理期间以及还可能在最终的器件中允许足够的机械和热稳定性。除了不及SiC昂贵，衬底应当良好地粘附到SiC，应当易于处置和能够耐得住处理条件（诸如高温），并且不应当使处理设备受不需要的物质污染。
技术实现思路
根据本专利技术的实施例，复合晶片包括：衬底，包括多孔碳衬底芯和包装层，包装层以基本上氧密封的方式包装衬底芯；以及接合在衬底上的SiC基功能层。SiC基功能层在与包装层的界面区处包括碳化物和硅化物中的至少一个，碳化物和硅化物通过SiC基功能层的部分与碳化物和硅化物形成金属的反应而形成。在功能层的厚度上积分的碳化物和硅化物形成金属的数量是10-4mg/cm2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合晶片，包括：衬底，包括多孔碳衬底芯和包装层，所述包装层以基本上氧密封的方式包装所述衬底芯；以及接合在所述衬底上的SiC基功能层，其中所述SiC基功能层在与所述包装层的界面区处包括碳化物和硅化物中的至少一个，所述碳化物和硅化物通过所述SiC基功能层的部分与碳化物和硅化物形成金属的反应而形成，并且其中在所述功能层的厚度上积分的所述碳化物和硅化物形成金属的数量是10‑4mg/cm2到0.1mg/cm2。

【技术特征摘要】
2013.02.12 US 13/765,1021.一种复合晶片，包括：衬底，包括多孔碳衬底芯和包装层，所述包装层以氧密封的方式包装所述衬底芯；以及接合在所述衬底上的SiC基功能层，其中所述SiC基功能层在与所述包装层的界面区处包括碳化物和硅化物中的至少一个，所述碳化物和硅化物通过所述SiC基功能层的部分与碳化物和硅化物形成金属的反应而形成，并且其中在所述功能层的厚度上积分的所述碳化物和硅化物形成金属的数量是10-4mg/cm2到0.1mg/cm2。2.根据权利要求1的复合晶片，其中所述界面区直接接触所述包装层而在中间不具有任何另外的连续层。3.根据权利要求1的复合晶片，其中所述碳化物和硅化物形成金属是从以下各项组成的组中选择的至少一个元素：Mo、Ta、Nb、V、Ti、W、Ni和Cr。4.根据权利要求1的复合晶片，其中所述包装层对于高达至少1500℃的温度是氧密封的。5.根据权利要求1的复合晶片，其中所述包装层包括以下中的至少一个：SiC、Si氧化物、Si、Ti氧化物和Si3N4。6.根据权利要求1的复合晶片，其中所述多孔碳衬底芯的孔由孔塞材料封闭...

【专利技术属性】
技术研发人员：R贝格尔，W莱纳特，A毛德，G鲁尔，R鲁普，HJ舒尔策，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE