集成式光刻板制作方法及LED芯片晶粒的分选方法技术

本发明专利技术提供了一种集成式光刻板制作方法及制得L E D芯片的分选方法。其中集成式光刻板制作方法，包括以下步骤：1)在集成式光刻板上彼此垂直设置的两条分割线，将光刻板划分成四个象限，并将两条分割线分别作为横坐标线和纵坐标，形成坐标系；2)在任一象限中以坐标系的零点为基准，向横坐标线和纵坐标方向延伸形成包含至少一个晶粒模板的方形标准单元区域；3)在四个象限内，连续设置多个与标准单元区域内晶粒模板图形和规格相同的对照单元区域，且每个对照单元区域内各晶粒模板的排列位置与标准单元区域内各晶粒模板的排布位置相同，从而得到集成式光刻板。该方法通过设计集成式光刻板上晶粒的图形和规格，从而将L E D芯片的晶粒快速分开。

【技术实现步骤摘要】
集成式光刻板制作方法及LED芯片晶粒的分选方法
本专利技术涉及LED(发光二极光)芯片制备领域，特别地，涉及一种集成式光刻板制作方法及LED芯片晶粒的分选方法。
技术介绍
LED芯片的光电特性由其规格和图形决定。LED芯片制备过程中芯片的表面的图形由光刻板(光刻掩膜板)决定。在制造不同规格和不同图形LED芯片实验的过程中，现有技术中常采用与所需LED芯片的规格和图形一致的光刻板进行制造。无法在一块光刻板上同时获得多种规格和图形的LED芯片。光刻板价格昂贵，当一次所需不同规格和不同图形的LED芯片量较少时，这种制备方法会增加生产成本。尤其不适于实验中所需LED芯片的量。增加了研发新LED芯片的成本，阻碍了技术的发展。当设计出一种新结构的LED芯片，如果不能在同一片晶片上制造出新、旧两种规格和图形的LED芯片，则试验结果的比对准确性也容易受到质疑。现有技术中经光掩膜蚀刻后，一片晶片上制得的晶粒需通过点测、转档、AOI(自动光学检测)、分选、目检等步骤将晶粒中的不合格晶粒剔除。点测步骤是以一颗成品标准芯片作为标准晶粒，然后通过CCD(电荷耦合元件)照相机对标准晶粒和所得晶粒表面进行扫描拍摄，得到标准图片和产品图片。预设标准图片与产品图片的相似度达到58～62％时，所得晶粒为合格品。将标准图片分别与每一幅产品图片进行对比得出两者的相似度。对合格品进行点测。通过点测确定每一颗晶粒在wafer(晶片)上的坐标和对应的光电特性。转档步骤为按照合格品的光电特性将单片wafer上的每一个坐标点上的晶粒进行分类，转档结束后每一个坐标点对应的芯片都有了相应的Bin号。AOI步骤为对芯片的外观进行一次区分，将外观不合格的芯片改Bin号作降级处理。分选步骤是读取AOI步骤中所得一片晶片上所得晶粒的全部Bin号。通过CCD照相机扫描晶粒，并与标准芯片进行比对，后将每一颗晶粒在晶片上的坐标确定，按照坐标将相同Bin号的芯片分选出来。之后在目检所得芯片的外观并列印标签。上述操作流程中点测和分选步骤均需事先设置标准芯片，然后以CCD照相机对晶粒进行扫描得出每一颗芯片的相似度分数，从而确认每颗晶粒是否合格。集成式光刻板是指在一块光刻板上设置多个不同规格和不同图形的芯片模型，通过一次制备即可将一块晶片制成多个不同规格和不同图形的LED芯片。采用集成式光刻版制得的芯片，由于其中混有ITO(掺锡氧化铟)图形的芯片，而该图形的区别需要通过高倍显微镜才能勉强辨识清楚，CCD摄像头的辨识能力无法准确辨识图形间的不同和尺寸的微小改变。遇到此类芯片，需要手动用镊子夹取这些晶粒并摆放在一起，重排后再点试分选。整个过程操作繁琐，浪费较多人力，而且夹取过程中对芯片的损伤可能性增大。即使如此仍不能保证挑选出的晶粒均为同一种图形规格的晶粒，效率低下。
技术实现思路
本专利技术目的在于提供一种集成式光刻板制作方法及LED芯片晶粒的分选方法，以解决现有技术中一片晶片上多种图形和多种规格晶粒无法快速高效简便分选的技术问题。为实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种集成式光刻板制作方法，包括以下步骤：1)在集成式光刻板上彼此垂直设置的两条分割线，将光刻板划分成四个象限，并将两条分割线分别作为横坐标线和纵坐标，形成坐标系；2)在任一象限中以坐标系的零点为基准，向横坐标线和纵坐标方向延伸形成包含至少一个晶粒模板的方形标准单元区域；3)在四个象限内，连续设置多个与标准单元区域内晶粒模板图形和规格相同的对照单元区域，且每个对照单元区域内各晶粒模板的排列位置与标准单元区域内各晶粒模板的排布位置相同，从而得到集成式光刻板。进一步地，标准单元区域中包括A粒×B粒晶粒模板，A≥1，B≥1且A和B不能同时为1。进一步地，标准单元区域中各晶粒模板的图形和规格彼此不同。进一步地，分割线由彼此垂直设置的两列晶粒模板组成。进一步地，形成标准单元区域和对照单元区域时，不以位于分割线上的晶粒模板作为标准单元区域和对照单元区域的组成部分。本专利技术的另一方面还提供了一种LED芯片晶粒的分选方法，包括以下步骤：1)以集成式光刻板为光掩膜板将晶片加工为待分选晶粒；2)依据集成式光刻板上标准单元区域的规格，将分选机中对应于标准单元区域和各对照单元区域内相对于坐标系位于同一位置上的待分选晶粒的Bin值改为相同的Bin值；3)分选机依据Bin值将待分选晶粒中具有相同Bin值的晶粒分选集中，得到具有相同图形和相同规格的LED芯片。进一步地，步骤2)中Bin值的修改方法包括以下步骤：S1晶片上彼此垂直设置第一分割线和第二分割线，第一分割线为X轴，第二分割线为Y轴，形成第一坐标系；S2以每个晶粒在第一坐标系下的坐标值(X,Y)经(XMOD1A，YMOD2B)后得到(X’,Y’)；S3对具有相同坐标值(X’,Y’)的晶粒给予相同的Bin值；MOD1为X除以A取余数；MOD2为Y除以B取余数。进一步地，第一分割线为一排贯通晶片的晶粒组成，第二分割线由一列贯通晶片的晶粒组成。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的集成式光刻板制作方法及LED芯片的分选方法。通过设计集成式光刻板上晶粒的图形和规格，使得具有相同图形和规格的晶粒能规律的出现在晶片的相应坐标点上，使得分选机构直接选取相应坐标点上的晶粒，从而将通过集成式光刻板制得的不同规格和图形的LED芯片快速分开。除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本专利技术还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本专利技术作进一步详细的说明。附图说明构成本申请的一部分的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1是本专利技术优选实施例集成式光刻板示意图；图2是本专利技术优选实施例的集成式光刻板示意图；以及图3是本专利技术优选实施例的集成式光刻板单元区域放大图。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的实施例进行详细说明，但是本专利技术可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。本专利技术提供了一种集成式光刻板制作方法及LED芯片的分选方法，该方法通过设计集成式光刻板上不同图形和不同规格的晶粒模板在模板相应坐标点上分布的位置。采用该集成式光刻板制成晶粒后，不同图形和不同规格晶粒的位置固定，通过修改在相应位置处晶粒的Bin值，使得LED芯片的分选通过分选机即可完成，而无需依靠CCD照相机，提高了分选的效率和准确性。本专利技术提供了一种集成式光刻板制作方法，包括以下步骤：1)在光刻板上彼此垂直设置的两条分割线，将光刻板划分成四个象限，并将两条分割线分别作为横坐标线和纵坐标，形成坐标系；2)在任一象限中以坐标系的零点为基准，向横坐标线和纵坐标方向延伸形成包含至少一个晶粒模板的方形标准单元区域；3)在四个象限内，连续设置多个与标准单元区域内晶粒模板图形和规格相同的对照单元区域，且每个对照单元区域内各晶粒模板的排列位置与标准单元区域内各晶粒模板的排布位置相同，从而得到集成式光刻板。在集成式光刻板上彼此垂直设置的两条分割线，将光刻板划分成四个象限，并将两条分割线分别作为横坐标线和纵坐标，形成坐标系。分割线可以为空白区域，优选为分割线由彼此垂直设置的两列晶粒模板组成。分象限后的集成式光刻板表面如图1所示。由图1可见，第二分割线3和第一分割线2彼此垂直，在其中心处交叉本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成式光刻板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在所述集成式光刻板上彼此垂直设置的两条分割线，将光刻板划分成四个象限，并将所述两条分割线分别作为横坐标线和纵坐标，形成坐标系；2)在任一所述象限中以所述坐标系的零点为基准，向横坐标线和纵坐标方向延伸形成包含至少一个晶粒模板的方形标准单元区域；3)在四个象限内，连续设置多个与所述标准单元区域内晶粒模板图形和规格相同的对照单元区域，且每个所述对照单元区域内各晶粒模板的排列位置与所述标准单元区域内各晶粒模板的排布位置相同，从而得到所述集成式光刻板。

【技术特征摘要】
1.一种集成式光刻板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在所述集成式光刻板上彼此垂直设置的两条分割线，将光刻板划分成四个象限，并将所述两条分割线分别作为横坐标线和纵坐标，形成坐标系；2)在任一所述象限中以所述坐标系的零点为基准，向横坐标线和纵坐标方向延伸形成包含至少一个晶粒模板的方形标准单元区域；3)在四个象限内，连续设置多个与所述标准单元区域内晶粒模板图形和规格相同的对照单元区域，且每个所述对照单元区域内各晶粒模板的排列位置与所述标准单元区域内各晶粒模板的排布位置相同，从而得到所述集成式光刻板；所述标准单元区域中包括A粒×B粒所述晶粒模板，所述A≥1，所述B≥1且所述A和所述B不能同时为1；所述标准单元区域中各所述晶粒模板的图形和规格彼此不同。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述分割线由彼此垂直设置的两列晶粒模板组成。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，形成所述标准单元区域和所述对照单元区域时，不以位于所述分割线上的晶粒模板作为所述标准单元区域和所述对照单元区域的组成部分。4.一种LED芯片晶粒分选方法，其特征在于，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈小雪，王红锋，彭超，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43