本实用新型专利技术为一种随温度自动调节线性稳压器瞬态响应能力的装置，装置包括使用随温度变化的电流的偏置电流源和放大器，偏置电流源接入放大器。本实用新型专利技术一种随温度自动调节线性稳压器瞬态响应能力的装置采用的偏置电流源，使用随温度变化的电流Ib_t，可以使线性稳压器电路的放大器静态电流随温度而变化，从而使得线性稳压器的瞬态响应速度能够随温度的变化而变化，可以满足系统对的瞬态响应速度变化的需求。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术为一种随温度自动调节线性稳压器瞬态响应能力的装置，装置包括使用随温度变化的电流的偏置电流源和放大器，偏置电流源接入放大器。本技术一种随温度自动调节线性稳压器瞬态响应能力的装置采用的偏置电流源，使用随温度变化的电流Ib_t，可以使线性稳压器电路的放大器静态电流随温度而变化，从而使得线性稳压器的瞬态响应速度能够随温度的变化而变化，可以满足系统对的瞬态响应速度变化的需求。【专利说明】一种随温度自动调节线性稳压器瞬态响应能力的装置
本技术涉及芯片领域，尤其是一种随温度自动调节线性稳压器瞬态响应能力的装置。
技术介绍
参见图1，现有的线性稳压器通过偏置电流单元与内部单元l:n的电流镜像来获得必需的静态电流n Ib，根据需要η可以为任意正数，确保放大器在合适的工作状态下工作，输出恒定的电压值Vout,并能保证一定的电流输出能力。在现有的线性稳压器输出能力范围内，即放大器及环路工作在正常范围内时，线性稳压器的瞬态响应速度与偏置电流Ib保持正比关系，当偏置电流Ib越大，线性稳压器的瞬态响应速度越快，电压跌落更小、过冲更小、电压恢复时间更短。然而，现有的线性稳压器使用恒定偏置电流Ib_c，在电路正常工作范围内，现有的线性稳压器不能随着温度的变化来适应系统对的瞬态响应速度变化的需求。
技术实现思路
本技术为解决
技术介绍
中存在的上述技术问题，而提供一种可随温度自动调节线性稳压器瞬态响应能力的装置。本技术的技术解决方案是:本技术为一种随温度自动调节线性稳压器瞬态响应能力的装置，其特殊之处在于:该装置包括使用随温度变化的电流的偏置电流源和放大器，所述偏置电流源接入放大器。上述偏置电流源包括基准单元、控制器、加法器、宽长比(W/L)为一定比例η的MOS管Ml与M2，η可以为任意正数，实际应用中，η—般取小于100以下的正整数，或者取小于I大于0，分子分母均为正整数的分数，宽长比(W/L)是MOS管栅极宽度W与长度L之比，所述基准单元依次通过控制器、加法器和MOS管Ml与M2接入放大器。上述偏置电流源包括电阻Rt、宽长比(W/L)为一定比例η的MOS管Ml与Μ2，η可以为任意正数，实际应用中，η—般取小于100以下的正整数，或者取小于I大于0，分子分母均为正整数的分数，所述电阻Rt通过MOS管Ml与M2接入放大器。上述偏置电流源包括PNP三级管、减法器和宽长比(W/L)为一定比例η的MOS管Ml与Μ2，η可以为任意正数，实际应用中，η—般取小于100以下的正整数，或者取小于I大于0，分子分母均为正整数的分数，所述PNP三级管依次通过减法器和MOS管Ml与M2接入放大器。本技术提供的一种随温度自动调节线性稳压器瞬态响应能力的装置采用的偏置电流源，使用随温度变化的电流Ib_t，可以使线性稳压器电路的放大器静态电流随温度而变化，从而使得线性稳压器的瞬态响应速度能够随温度的变化而变化，可以满足系统对的瞬态响应速度变化的需求。【专利附图】【附图说明】图1是现有的线性稳压器结构示意图；图2是本技术的结构原理图；图3是本技术实施例一的结构原理图；图4是本技术实施例二的结构原理图；图5是本技术实施例三的结构原理图。【具体实施方式】参见图2，线性稳压器的瞬态响应速度随温度的变化方式取决于电流源随温度变化的方式，本技术采用的偏置电流源使用随温度变化的电流Ib_t，因此该偏置电流源可以根据新的线性稳压器的应用环境进行配置，可配置为正温度系数或负温度系数，并且可以很方便的调整随温度变化的梯度值。例如:如果系统在低温环境下需要更快瞬态响应速度，可以将电流源Ib配置为负温度系数，线性稳压器即可以随着温度的降低提升瞬态响应速度，保证系统的需求。同时在不需要快速瞬态响应速度的高温环境下使偏置电流Ib不变或者降低，使得瞬态响应速度在不同电压下更稳定，或达到节省能耗的作用。同理，在相反的应用环境中，可以将电流源Ib配置为正温度系数，即可以达到相同的作用。参见图3，本技术的实施例一是采用基准单元产生正温度系数电流Iptat和负温度系数Ictat，同时使用控制器来决定配置选择，利用加法器来得到偏置电流Ib，Ib等于恒定电流Ib_c与随温度变化电流Ib_t之和，通过宽长比(W/L)为一定比例η的MOS管Ml与M2组成的电流镜像来实现本技术中的偏置电流源。其中偏置电流源包括基准单元、控制器、加法器、宽长比(W/L)为一定比例η的MOS管Ml与M2，基准单元依次通过控制器、加法器和MOS管Ml与M2接入放大器。基准单元是现有单元，现有很多种类型的基准单元，实际中较常用的基准单元带隙基准都会使用电阻和三极管或者二极管。参见图4，本技术的实施例二是采用电阻Rt和自偏置的NMOS管产生随温度变化的电流Ib_t，偏置电流Ib等于随温度变化的电流Ib_t，通过宽长比(W/L)为一定比例η的MOS管Ml与M2组成的电流镜像来实现本技术中的偏置电流源，其中偏置电流源包括电阻Rt、宽长比(W/L)为一定比例η的MOS管Ml与M2，η可以为任意正数，一般η取小于100的正整数，或者取小于I大于O、分子分母均为正整数的分数，电阻Rt通过MOS管Ml与M2接入放大器。参见图5，本技术的实施例三是采用采用PNP三级管产生随温度变化的电流Ib_t，并利用减法器来产生稳压器需要的偏置电流Ib，通过宽长比(W/L)为一定比例η的MOS管Ml与M2组成的电流镜像来实现本技术中的偏置电流源，其中偏置电流源包括PNP三级管、减法器和宽长比(W/L)为一定比例η的MOS管Ml与Μ2，η可以为任意正数，一般η取小于100的正整数，或者取小于I大于O、分子分母均为正整数的分数，PNP三级管依次通过减法器和MOS管Ml与M2接入放大器。以上实施例中的MOS管均采用是NMOS管。【权利要求】1.一种随温度自动调节线性稳压器瞬态响应能力的装置，其特征在于:该装置包括使用随温度变化的电流的偏置电流源和放大器，所述偏置电流源接入放大器。2.根据权利要求1所述的随温度自动调节线性稳压器瞬态响应能力的装置，其特征在于:所述偏置电流源包括基准单元、控制器、加法器、宽长比(W/L)为一定比例η的MOS管Ml与Μ2，η取小于100的正整数，或者取小于I大于O、分子分母均为正整数的分数，所述基准单元依次通过控制器、加法器和MOS管Ml与M2接入放大器。3.根据权利要求1所述的随温度自动调节线性稳压器瞬态响应能力的装置，其特征在于:所述偏置电流源包括电阻Rt、宽长比(W/L)为一定比例η的MOS管Ml与M2，η取小于100的正整数，或者取小于I大于O、分子分母均为正整数的分数，所述电阻Rt通过MOS管Ml与M2接入放大器。4.根据权利要求1所述的随温度自动调节线性稳压器瞬态响应能力的装置，其特征在于:所述偏置电流源包括PNP三级管、减法器和宽长比(W/L)为一定比例η的MOS管Ml与M2，η取小于100的正整数，或者取小于I大于O、分子分母均为正整数的分数，所述PNP三级管依次通过减法器和MOS管Ml与M2接入放大器。【文档编号】G05F1/56GK203733024SQ201420092195【公开日】2014年7月23日 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种随温度自动调节线性稳压器瞬态响应能力的装置，其特征在于：该装置包括使用随温度变化的电流的偏置电流源和放大器，所述偏置电流源接入放大器。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：梁超，
申请(专利权)人：西安华芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61
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