具有荧光粉层的发光二极管晶片的制作方法技术

本发明专利技术提供一种具有荧光粉层的发光二极管晶片的制作方法，包括以下步骤：提供一基板，该基板上依序形成一第一型掺杂半导体层、一发光层与一第二型掺杂半导体层，并形成多个发光单元。在第二型掺杂半导体层上形成多个电极，并于所述电极上分别形成多个导电凸块。形成一覆盖第二型掺杂半导体层及导电凸块的荧光粉层。薄化荧光粉层并暴露出此些导电凸块。以刀具切割所述荧光粉层及所述发光单元并以激光切割所述基板，以形成多个彼此分离且具有荧光粉层的发光二极管晶片。本发明专利技术的发光二极管晶片的制作方法，可有助于提高发光二极管晶片所产生的光的颜色的均匀度。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术是申请号201010147310.8，专利技术名称为“”的申请案的分案申请，原始母案的申请日为2010年03月18日。
本专利技术涉及一种发光二极管晶片的制作方法，尤其涉及一种。
技术介绍
由于发光二极管具有寿命长、体积小、高耐震性、发热度小以及耗电量低等优点，发光二极管已被广泛地应用于家电产品以及各式仪器的指示灯或光源。近年来，发光二极管已朝多色彩及高亮度发展，因此其应用领域已扩展至大型户外看板、交通信号灯及相关领域。在未来，发光二极管甚至可能成为兼具省电及环保功能的主要照明光源。在目前市场上被广泛使用的白光发光二极管中，其中一种白光发光二极管是由蓝光发光二极管晶片与黄色荧光粉组合而成。图1为现有的白光发光二极管的剖面图。现有的白光发光二极管100的制作方法通常是先将蓝光发光二极管晶片110配置于基座120并打线接合蓝光发光二极管晶片110与基座120，之后，在基座120上以点胶的方式形成一覆盖蓝光发光二极管晶片110与导线W的黄色荧光胶体130，然后，在黄色荧光胶体130上配置一透镜140。白光发光二极管100可通过混合蓝光发光二极管晶片110所发出的蓝光以及部分蓝光照射到黄色荧光胶体130中的黄色荧光粉所产生的黄光而获得白光。然而，以点胶的方式所形成的黄色荧光胶体130容易有厚度分布不均的问题，以致于影响白光发光二极管100所发出的光的颜色的均匀度(即当蓝光发光二极管晶片110所发出的蓝光穿过黄色荧光胶体130的厚度较大的部分时，会产生偏黄色的光)。
技术实现思路
本专利技术提供一种具有突光粉层的发光二极管晶片的制作方法，可有助于提高发光二极管晶片所产生的光的颜色的均匀度。本专利技术提供一种，包括以下步骤:提供一基板，该基板上依序形成一第一型掺杂半导体层、一发光层与一第二型掺杂半导体层，并形成多个发光单元。在第二型掺杂半导体层上形成多个电极，并于所述电极上分别形成多个导电凸块。形成一覆盖第二型掺杂半导体层及导电凸块的荧光粉层。薄化荧光粉层并暴露出该些导电凸块。以刀具切割所述荧光粉层及所述发光单元并以激光切割所述基板，以形成多个彼此分离且具有荧光粉层的发光二极管晶片。在本专利技术的一实施例中，所述发光层配置于所述第一型掺杂半导体层与所述第二型掺杂半导体层之间。在本专利技术的一实施例中，薄化所述荧光粉层并暴露出所述多个导电凸块的步骤包括以一点状切削装置切削所述荧光粉层。在本专利技术的一实施例中，点状切削装置为一钻石切刀。在本专利技术的一实施例中，还包括在以钻石切刀切削荧光粉层的同时，钻石切刀还切削各导电凸块的一顶部。在本专利技术的一实施例中，在以钻石切刀切削突光粉层与各导电凸块的顶部之后，荧光粉层的一顶面与各导电凸块的一顶面齐平。在本专利技术的一实施例中，切削荧光粉层的步骤包括以一特定厚度切削荧光粉层，并确认该些导电凸块是否露出，若该些导电凸块未露出，则调整切削厚度并重复上述步骤直至该些导电凸块暴露出。在本专利技术的一实施例中，切削荧光粉层的步骤，是以逆时针或顺时针方向旋转点状切削装置，同时使基板对点状切削装置相对地移动。在本专利技术的一实施例中，形成荧光粉层的方法包括以转铸成型、压缩成型、网版印刷、旋转涂布、点胶、电泳或喷涂的方式形成荧光粉层。在本专利技术的一实施例中，该些发光二极管形成于基板上。在本实施例中，形成该些彼此分离且具有荧光粉层的发光二极管晶片的步骤包括切割荧光粉层、该些发光二极管以及基板。在本实施例中，以刀具切割荧光粉层、发光二极管与基板、或者是以刀具切割荧光粉层及发光二极管并以激光切割基板，或者是以激光同时切割荧光粉层、发光二极管及基板。在本专利技术的一实施例中，该些发光二极管为发光二极管晶粒，且彼此分离设置于基板上，荧光粉层填充于各晶粒之间。在本实施例中，形成该些彼此分离且具有荧光粉层的发光二极管晶片的步骤包括切割荧光粉层及基板。在此实施例中，以刀具切割荧光粉层与基板、或者是以刀具切割荧光粉层并以激光切割基板，或者是以激光同时切割荧光粉层及基板。在本专利技术的一实施例中，形成该些彼此分离且具有荧光粉层的发光二极管晶片的方法包括切割荧光粉层及基板。在本实施例中，包括以刀具切割荧光粉层与基板、或者是以刀具切割荧光粉层并以激光切割基板、或者是以激光同时切割荧光粉层及基板。在本专利技术的一实施例中，以点状切削装置切削荧光粉层之后，荧光粉层的一顶面为一具有规则图案的粗糙面。在本专利技术的一实施例中，在以点状切削装置切削荧光粉层之后，荧光粉层的厚度实质上为一定值。在本专利技术的一实施例中，荧光粉层由至少一荧光粉粒子及一胶体混合而成，胶体包括硅胶或环氧树脂。在本专利技术的一实施例中，导电凸块的材料包括金及其合金。在本专利技术的一实施例中，基板包括碳化硅基板、硅基板、蓝宝石基板、氧化锌、砷化镓、尖晶石或是金属基板。在本专利技术的一实施例中，基板包括印刷电路基板、陶瓷基板、硅基板或是金属基板。在本专利技术的一实施例中，荧光粉层的一顶面为一具有规则图案的粗糙面。基于上述，由于本专利技术是以钻石切刀切削荧光粉层的方式薄化荧光粉层，因此，覆盖在发光二极管晶片上的荧光粉层的厚度相当均匀，故当发光二极管晶片的发光二极管晶片所发出的光穿过厚度均匀的荧光粉层后可转换成颜色均匀度较高的光。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并结合附图作详细说明如下。【附图说明】图1为现有的白光发光二极管的剖面图；图2A~图2E为本专利技术一实施例的发光二极管晶片的处理剖面图；图3A~图3B为图2C的钻石切刀切削步骤中钻石切刀的移动方向与半导体层的移动方向的示意图，其中图3A为钻石切刀与半导体层的上视图，图3B为钻石切刀与半导体层的侧视图；图4A~图4E为本专利技术又一实施例的发光二极管晶片的处理剖面图；图5为图4A中发光二极管晶片的放大示意图。附图标记说明:100:白光发光二极管；110:蓝光发光二极管晶片；120:基座；130:黄色荧光胶体；140:透镜；200、400:发光二极管晶片；210:发光单元；212、424:第一型掺杂半导体层；214,426:发光层；216、428:第二型掺杂半导体层；220:电极；230:导电凸块；232 而部；234 而面；[0041 ]240、440、240 ’、440 ’:荧光粉层；242,442:荧光粉层的一侧； 244、444:表面；250、450:钻石切刀；410:承载基板；420:发光二极管晶片；422:基板；432:第一导电凸块；432a:第一端部；432b:第一端面；434:第二导电凸块；434a:第二端部；434b:第二端面；C:基板；V:第一方向；G、Gl:间隙；Pl:第一电极；P2:第二电极；R:凹槽；S:侧壁；T:厚度；W:导线。【具体实施方式】图2A~图2E为本专利技术一实施例的发光二极管晶片的处理剖面图。图3A~图3B为图2C的钻石切刀切削步骤中钻石切刀的移动方向与半导体层的移动方向的示意图，其中图3A为钻石切刀与半导体层的上视图，图3B为钻石切刀与半导体层的侧视图。首先，请参照图2A，提供一基板C，在基板C上形成阵列排列的多个发光单元210，每一发光单元210包括依序堆叠的一第一型掺杂半导体层212、一发光层214与一第二型掺杂半导体层216，其中发光层214配置于第一型掺杂半导体层212与第二型掺杂半导体层216之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有荧光粉层的发光二极管晶片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基板，所述基板上依序形成一第一型掺杂半导体层、一发光层与一第二型掺杂半导体层，并形成多个发光单元；在所述第二型掺杂半导体层上形成多个电极，并于所述电极上分别形成多个导电凸块；形成一覆盖所述第二型掺杂半导体层及导电凸块的荧光粉层；薄化所述荧光粉层并暴露出所述多个导电凸块；以及以刀具切割所述荧光粉层及所述发光单元并以激光切割所述基板，以形成多个彼此分离且具有所述荧光粉层的发光二极管晶片。

【技术特征摘要】
1.一种具有荧光粉层的发光二极管晶片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤: 提供一基板，所述基板上依序形成一第一型掺杂半导体层、一发光层与一第二型掺杂半导体层，并形成多个发光单元； 在所述第二型掺杂半导体层上形成多个电极，并于所述电极上分别形成多个导电凸块； 形成一覆盖所述第二型掺杂半导体层及导电凸块的荧光粉层； 薄化所述荧光粉层并暴露出所述多个导电凸块；以及 以刀具切割所述荧光粉层及所述发光单元并以激光切割所述基板，以形成多个彼此分离且具有所述荧光粉层的发光二极管晶片。2.根据权利要求1所述的具有荧光粉层的发光二极管晶片的制作方法，其特征在于，所述发光层配置于所述第一型掺杂半导体层与所述第二型掺杂半导体层之间。3.根据权利要求1所述的具有荧光粉层的发光二极管晶片的制作方法，其特征在于，薄化所述荧光粉层并暴露出所述多个导电凸块的步骤包括以一点状切削装置切削所述荧光粉层。4.根据权利要求3所述的具有荧光粉层的发光二极管晶片的制作方法，其特征在于，所述点状切削装置为一钻石切刀。5.根据权利要求4所述的具有荧光粉层的发光二极管晶片的制作方法，其特征在于，还包括: 在以所述钻石切刀切削所述荧光粉层的同时，所述钻石切刀还切削各所述导电凸块的一顶部。6.根据权利要求5所述的具有荧光粉层的发光二极管晶片的制作方法，其特征在于，在以所述钻石切刀切削所述荧光粉层与各所述导电凸块的所述顶部之后，所述荧光粉层的一顶面与各所述导电凸块的一顶面齐平。7.根据权利要求3所述的具有荧光粉层的发光二极管晶片的制作方法，其特征在于，切削所述荧光粉层的步骤包括: 以一特定厚度切削所述荧光粉层，并确认所述多个导电凸块是否露出； 若所述多个导电凸块未露出，...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢忠全，
申请(专利权)人：亿光电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71