晶片的加工方法技术
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供，包括：以使得聚光点对齐到内部的方式沿着分割预定线照射相对于晶片具有透过性的波长的激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线形成作为断裂起点的改质层的改质层形成步骤；以及对晶片的背面磨削而将晶片形成为规定厚度，并且沿着形成了改质层而强度降低的分割预定线而分割为各个器件的背面磨削步骤，至少在实施该背面磨削步骤之前，实施将被冷却至比实施该背面磨削步骤时的温度低的温度的保护部件贴合于晶片的表面的保护部件贴合步骤，在实施背面磨削步骤时保护部件由于温度上升而发生热膨胀，从而在所分割的器件与器件之间形成间隙，能够抑制相邻器件的接触。【专利说明】
本专利技术涉及将在表面由呈格子状形成的分割预定线划分而成的多个区域形成有器件的晶片沿分割预定线分割为各个器件的晶片加工方法。
技术介绍
在半导体器件制造步骤中，沿着呈格子状排列的分割预定线在呈大致圆板形状的半导体晶片的表面划分出多个区域，在该划分出的区域形成IC、LSI等器件。然后沿着分割预定线切断半导体晶片，从而对形成有器件的区域进行分割，制造出各个器件。另外，通过沿着分割预定线切断在蓝宝石基板或碳化硅基...
【技术保护点】
一种晶片的分割方法，沿着在晶片的表面呈格子状形成的分割预定线对晶片进行分割，该晶片在由分割预定线划分而成的多个区域形成有器件，该晶片的分割方法的特征在于包括：改质层形成步骤，以将聚光点对齐到内部的方式沿着分割预定线照射相对于晶片具有透过性的波长的激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线形成作为断裂起点的改质层；以及背面磨削步骤，对晶片的背面进行磨削而将晶片形成为规定厚度，并且沿着形成改质层而强度降低的分割预定线而分割为各个器件，至少在实施该背面磨削步骤之前，实施保护部件贴合步骤，在该保护部件贴合步骤中，将被冷却至比实施该背面磨削步骤时的温度低的温度的保护部件贴合于晶片的表面，在...
【技术特征摘要】
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