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本发明提供晶片的加工方法，包括：以使得聚光点对齐到内部的方式沿着分割预定线照射相对于晶片具有透过性的波长的激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线形成作为断裂起点的改质层的改质层形成步骤；以及对晶片的背面磨削而将晶片形成为规定厚度，并且沿着形成...
该专利属于株式会社迪思科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社迪思科授权不得商用。

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