封装片制造技术

本发明专利技术提供封装片，其为用于封装光半导体元件的封装片，所述封装片具备：埋设层，其用于埋设光半导体元件；以及，用于抑制气体通过厚度方向的气体阻隔层，其设置于埋设层的厚度方向的一侧，厚度为50μm以上且1000μm以下。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供封装片，其为用于封装光半导体元件的封装片，所述封装片具备：埋设层，其用于埋设光半导体元件；以及，用于抑制气体通过厚度方向的气体阻隔层，其设置于埋设层的厚度方向的一侧，厚度为50μm以上且1000μm以下。【专利说明】封装片
本专利技术涉及封装片，详细而言，涉及用于光学用途的封装片。
技术介绍
迄今为止，作为能够发出高能量的光的发光装置，已知有白色发光装置(光半导体装置)。例如提出了一种光半导体装置，其可以如下获得:在凹型模具的底部装载厚度为35 μ m的由玻璃制成的无机高热传导层，其后，填充有机硅弹性体，形成封装树脂层，在它们之上，以封装树脂层与蓝色LED芯片相对的方式装载安装有蓝色LED芯片的基板，通过加热对它们进行封装加工，其后进行脱模，由此得到光半导体装置(例如参见日本特开2012-129361 号公报)。
技术实现思路
然而，在日本特开2012-129361号公报的由无机高热传导层和封装树脂层组成的层叠体中，通过将有机硅弹性体填充到凹型模具中来形成封装树脂层，然后在该封装树脂层上个别埋设蓝色LED芯片，因此有无法充分实现提高光半导体装置的制造效率的问题。此外,对于上述层叠体,一方面希望防止硫、水蒸气等气体(gas)接触用于与蓝色LED芯片连接的连接部件而导致它们腐蚀，另一方面还需要具有优异的强度。然而，在日本特开2012-129361号公报的层叠体中，无机高热传导层在抑制上述气体通过方面不充分，进而层叠体的强度也不充分，因此会有无法得到发光性和可靠性优异的光半导体装置的情况。本专利技术的目的在于提供不仅抑制气体通过厚度方向、而且强度优异、还可以高效地制造光半导体装置的封装片。本专利技术的封装片的特征在于，其是用于封装光半导体元件的封装片，所述封装片具备:埋设层，用于埋设前述光半导体元件；以及，用于抑制气体通过厚度方向的气体阻隔层，其设置于前述埋设层的厚度方向的一侧，厚度为50 μ m以上且1000 μ m以下。通过该封装片封装光半导体元件时，能够将光半导体元件集中在一起封装，因此可以高效地制造光半导体装置。此外，该封装片具备用于抑制气体通过厚度方向的气体阻隔层，因此能够抑制气体通过厚度方向，并有效抑制对用于连接光半导体元件的连接部件的腐蚀。因此，能够防止光半导体元件的亮度的下降。进而，在该封装片中，气体阻隔层的厚度为50 μ m以上且1000 μ m以下，因此不仅能确保优异的强度、气体阻隔性优异，还能够实现薄型化。因此，若通过该封装片封装光半导体元件，则可以在薄型的同时提高光半导体装置的强度和发光特性。此外，在本专利技术的封装片中，前述气体阻隔层的厚度相对于前述埋设层的厚度之比为0.10以上且1.00以下是适宜的。在该封装片中，气体阻隔层的厚度相对于埋设层的厚度之比为0.10以上且1.00以下，因此不仅能提高封装片的强度并实现封装片的薄型化，还能够确实地埋设光半导体元件。此外，在本专利技术的封装片中，前述埋设层由B阶状态的热固化性树脂形成是适宜的。在该封装片中，埋设层由B阶的热固化性树脂组合物形成，因此能够通过柔软的埋设层确实地埋设光半导体元件。此外，在本专利技术的封装片中，前述气体阻隔层在前述厚度方向的一侧露出是合适的。在该封装片中，气体阻隔层在厚度方向的一侧露出，因此可以防止附着灰尘等异物。此外，适宜的是，本专利技术的封装片还具备被覆层，其相对于前述埋设层设置于前述厚度方向的一侧，在前述厚度方向的一侧露出，前述气体阻隔层夹设于前述埋设层与前述被覆层之间。在该封装片中，气体阻隔层夹设于埋设层与被覆层之间，因此能够防止由于来自外部的冲击而产生的损伤(被破坏)。此外，在本专利技术的封装片中，前述被覆层由C阶的热固化性树脂形成是适宜的。在该封装片中，由于被覆层由C阶的热固化性树脂组合物形成，因此可以更进一步提闻封装片的强度。【专利附图】【附图说明】图1是示出本专利技术的封装片的第I实施方式的剖面图。图2是通过图1的封装片封装光半导体元件，从而制造光半导体装置的方法的工序图，图2的(a)示出准备封装片和基板的工序，图2的(b)示出通过封装片封装光半导体元件的工序。图3是示出本专利技术的封装片的第2实施方式的剖面图。图4是通过图3的封装片封装光半导体元件，从而制造光半导体装置的方法的工序图，图4的(a)示出准备封装片和基板的工序，图4的(b)示出通过封装片封装光半导体元件的工序。【具体实施方式】第I实施方式在图1中，将纸面上下方向作为上下方向(厚度方向、第I方向)、将纸面左右方向作为左右方向(第2方向)、将纸厚方向作为纵深方向(第3方向)，图2以后的各附图以上述方向和图1的方向箭头为基准。在图1中，该封装片I是用于封装后述的光半导体元件5 (参见图2)的封装片，其形成为沿面方向(与厚度方向垂直的方向，即左右方向和前后方向)延展的大致矩形平板形状，具备埋设层2和设置于埋设层2上(厚度方向的一侧)的气体阻隔层3。埋设层2是用于埋设光半导体元件5 (参见图2)的层，由树脂形成为大致薄片形状。此外，埋设层2设置于封装片1的最下侧。树脂例如由封装树脂组合物等形成，这样的封装树脂组合物包含用于埋设及封装光半导体元件5 (后述，参见图2的(b))的公知的透明性树脂，作为透明性树脂，可列举出:例如有机硅树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂等热固化性树脂，例如丙烯酸树脂、苯乙烯树脂、聚碳酸酯树脂、聚烯烃树脂等热塑性树脂等。这种透明性树脂可以单独使用，或者也可以组合使用。此外，在这种透明性树脂中，可优选列举出热固化性树脂，从耐久性、耐热性和耐光性的观点出发，可进一步优选列举出有机硅树脂。在这种封装树脂组合物中，可优选例举出含有有机硅树脂的树脂组合物(以下称为有机娃树脂组合物。)。作为有机硅树脂组合物，可列举出例如缩合?加成反应固化型有机硅树脂组合物、含杂原子的改性有机硅树脂组合物、加成反应固化型有机硅树脂组合物、含无机氧化物的有机娃树脂组合物等。在这种有机硅树脂组合物中，从埋设层2的固化前的柔软性以及固化后的强度的观点出发，可优选列举出缩合.加成反应固化型有机硅树脂组合物。缩合.加成反应固化型有机硅树脂组合物是能够进行缩合反应(具体而言为硅醇缩合反应)及加成反应(具体而言为氢化硅烷化反应)的有机娃树脂组合物，更具体而言，是能够通过加热进行缩合反应而形成半固化状态(B阶状态)，然后能够通过进一步的加热进行加成反应而形成固化状态(完全固化，C阶状态)的有机硅树脂组合物。作为缩合反应，例如可列举出硅醇缩合反应，作为加成反应，例如可列举出环氧开环反应及氢化硅烷化反应。需要说明的是，B阶是有机硅树脂组合物处于液状的A阶和完全固化的C阶之间的状态，是固化及凝胶化稍加进行，弹性模量比C阶的弹性模量小的状态。缩合.加成反应固化型有机硅树脂组合物含有例如两末端为硅烷醇基的聚硅氧烷、含有烯属不饱和烃基的硅化合物(以下称为烯系硅化合物。)、含环氧基硅化合物及有机氢硅氧烷。需要说明的是，两末端为硅烷醇基的聚硅氧烷、烯系硅化合物及含环氧基硅化合物是缩合原料(提供至缩合反应的原料)，烯系硅化合物及有机氢硅氧烷为加成原料(提供至加成反应的原料)。两末端为硅烷醇基的聚硅氧烷是分子的两末端含有硅烷醇基(SiOH基)的有机娃氧烷，具体而言，用下述通式(1)表示。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装片，其特征在于，其为用于封装光半导体元件的封装片，所述封装片具备：埋设层，其用于埋设所述光半导体元件；以及，用于抑制气体通过厚度方向的气体阻隔层，其设置于所述埋设层的厚度方向的一侧，厚度为50μm以上且1000μm以下。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：片山博之，三田亮太，木村龙一，伊藤久贵，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP