基于标准SiGe BiCMOS工艺的光电集成接收机制造技术

本实用新型专利技术属于光纤通信系统及光互连领域，为实现单片集成所具有的体积小、成本低、可靠性好、功能丰富等优点。本实用新型专利技术提出一种与标准SiGe BiCMOS工艺兼容的光电探测器，以及集成该探测器的高速、高灵敏度单片集成光接收机。为了达到上述技术要求，本实用新型专利技术采用的技术方案是，基于标准SiGe BiCMOS工艺的光电集成接收机，包括：两个结构完全对称的光电探测器、一个全差分结构的跨阻放大器、一组顺序级联的全差分限幅放大器、一个输出缓冲级，其作用是将限幅放大器输出的差分电压信号转换成单端输出的电压信号，并提供驱动能力。本实用新型专利技术主要应用于光纤通信系统的设计制造。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于标准SiGe BiCMOS工艺的光电集成接收机，其特征是，包括： 两个结构完全对称的光电探测器，其中一个探测器是将光纤输入的光信号转换成电流信号，另一个探测器用于维持差分电路的输入负载平衡，增加接收机带宽； 一个全差分结构的跨阻放大器，其作用是把光电探测器输出的电流信号转化为电压信号，并进行初步放大； 一组顺序级联的全差分限幅放大器，其作用是将跨阻放大器输出的电压信号放大到数字处理单元所需的电压水平； 一个输出缓冲级，其作用是将限幅放大器输出的差分电压信号转换成单端输出的电压信号，并提供驱动能力。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢生，毛陆虹，郭增笑，付友，康玉琢，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：新型
国别省市：天津;12