存储器阵列及其控制方法和闪存技术

本发明专利技术提供了一种存储器阵列及其控制方法和闪存，其中，所述存储器阵列包括：若干条字线、若干条位线、若干条数据控制线、若干条参考控制线、若干列存储单元和至少一列参考单元；同一列的存储单元或参考单元均与相邻的两条位线连接，同一行的存储单元和参考单元共用一条字线，同一行的存储单元通过数据控制线相互连接，同一行的参考单元通过参考控制线相互连接；其中，所述数据控制线与所述参考控制线是断开的。在本发明专利技术提供的存储器阵列及其控制方法和闪存中，通过断开存储单元和参考单元的控制线，实现分别控制，使得所述参考单元所连接的参考控制线能够保持0V左右的电压，从而保证参考电流的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种存储器阵列及其控制方法和闪存，其中，所述存储器阵列包括：若干条字线、若干条位线、若干条数据控制线、若干条参考控制线、若干列存储单元和至少一列参考单元；同一列的存储单元或参考单元均与相邻的两条位线连接，同一行的存储单元和参考单元共用一条字线，同一行的存储单元通过数据控制线相互连接，同一行的参考单元通过参考控制线相互连接；其中，所述数据控制线与所述参考控制线是断开的。在本专利技术提供的存储器阵列及其控制方法和闪存中，通过断开存储单元和参考单元的控制线，实现分别控制，使得所述参考单元所连接的参考控制线能够保持0V左右的电压，从而保证参考电流的稳定性。【专利说明】存储器阵列及其控制方法和闪存
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种存储器阵列及其控制方法和闪存。
技术介绍
随着存储技术的发展，出现了各种类型的存储器，如随机存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存储器(DRAM)、可擦除可编程只读存储器(EPR0M)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和闪存(Flash)等。其中，闪存是一种非易失性存储器，即断电数据也不会丢失。闪存因其具有便捷、存储密度高、可靠性好等优点，被广泛应用于手机、电脑、PDA、数码相机、优盘等移动和通讯设备中。请参考图1，其为现有技术的闪存的部分结构示意图。如图1所示，闪存作为一种半导体存储器，同样包括存储器阵列100和外围电路(图中未示出)，所述存储器阵列100包括多条字线(WLfi至U、多条位线(BLi_n至BL2+n)、多条第一控制线(CG_n_i至CG」、多条第二控制线(CG_n_2至CGn_2)、若干列存储单元110和一列参考单元120，其中，多条字线(WLf1至WLlriX多条第一控制线(CGf1至CGlri)和第二控制线(CG_n_2至CGn_2)均设置于所述存储器单元阵列100的行方向，所述字线位于所述第一控制线和第二控制线之间，所述多条位线(BLh至BL2+n)设置于所述存储器单元阵列100的列方向，所述存储单元110和参考单元120的结构相同，同一行的存储单元110和参考单元120共用一条字线，同一列的存储单元110或参考单元120与两条相邻的位线连接，所述存储单元110用于存储数据，能够输出数据电流，所述参考单元120具有预设信息“1”，能够输出参考电流，用以辅助实现所述存储单元110的读取、编程和擦除操作。对所述存储单元110进行读取、编程和擦除操作时，均需要将所述参考单元120输出的参考电流与所述存储单元110的数据电流进行比较从而得到比较结果“O”或“I”。具体的，当所述存储单元Iio中的数据电流大于所述参考单元120输出的百分比参考电流时，输出结果为I ;当所述存储单元110的数据电流小于所述参考单元120输出的百分比参考电流时，输出结果为O。例如，所述参考单元120的参考电流为50微安(ml)，百分比设置为30%，则当读取操作时，所述存储单元110的数据电流与参考单元120的百分比参考电流即15微安进行比较，如大于15微安则输出数据为1，如小于15微安则输出数据为O。如图1所示，对由字线WL1、位线BL1以及位线BL2连接的存储单元110进行读取操作时，在字线WL1上施加3V的电压，同时，在字线WL1两侧的第一控制线CGh和第二控制线CG1^2上均施加OV的电压，位线BL1上的电压为0V，位线BL2、BL2+1、BL2+2上的电压均为IV。其他未被选中的存储单元110所连接的字线及字线两侧的第一控制线和第二控制线上施加的电压均为OV。如图1所示，对由字线WL1、位线BL1以及位线BL2连接的存储单元110进行编程操作时，在字线WL1上施加1.5V的电压，同时，在字线WL1两侧的第一控制线CGh和第二控制线CGh上均施加8V的电压，位线BL1上的电 压为5.5V，位线BL2、位线BL2+1和位线BL2+2上的电压均为Vdp，其中Vdp为稳定电流的编程电压。其他未被选中的存储单元110所连接的字线及字线两侧的第一控制线和第二控制线上施加的电压均为0V。如图1所示，对由字线WL1、位线BL1以及位线BL2连接的存储单元110进行擦除操作时，在字线WL1上施加8V的电压，同时，在字线WL1两侧的第一控制线CGh和第二控制线CG1^2上均施加-7V的电压，位线BL1和位线BL2上均施加OV的电压。其他未被选中的存储单元110所连接的字线及字线两侧的第一控制线和第二控制线上施加的电压均为0V。对选中的存储单元110(图1中的黑色方块表示选中的存储单元)执行擦除操作时，第一控制线CGh和第二控制线CGp2的电压均为-7V。由于同一行的存储单元110和参考单元120的控制线是相连的，参考单元120的第一控制线和第二控制线的电压也均为-7V，随着擦除次数的不断增加，第一控制线和第二控制线施加的负电压影响参考单元120的参考电流，使得参考电流增大。可见，擦除操作会影响参考单元120的参考电流，造成参考单元120的参考电流不稳定。当读取电流与参考电流的进行比较时，一旦参考电流超过限定值，将会得到错误的比较结果，使得存储单元110的读取、编程和擦除操作出现错误。因此，如何解决现有的闪存因参考电流不稳定而导致读取、编程和擦除操作出现错误的问题成为当前亟需解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种存储器阵列及其控制方法和闪存，以解决现有的闪存因参考电流不稳定而导致读取、编程和擦除操作出现错误的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种存储器阵列，所述存储器阵列包括:若干条字线、若干条位线、若干条数据控制线、若干条参考控制线、若干列存储单元和至少一列参考单元；同一列的存储单元或参考单元均与相邻的两条位线连接，同一行的存储单元和参考单元共用一条字线，同一行的存储单元通过数据控制线相互连接，同一行的参考单元通过参考控制线相互连接；其中，所述数据控制线与所述参考控制线是断开的。优选的，在所述的存储器阵列中所述存储单元和参考单元的结构相同，所述存储单元用于存储数据，所述参考单元具有预设数据用于辅助完成所述存储单元的读取、编程和擦除操作。优选的，在所述的存储器阵列中，还包括至少一列备用单元，所述存储单元、参考单元和备用单元的结构相同，所述备用单元位于所述存储单元和参考单元之间；同一列的备用单元共用位线，同一行的参考单元和备用单元通过参考控制线相互连接。优选的，在所述的存储器阵列中，所述数据控制线包括第一数据控制线和第二数据控制线，所述参考控制线包括第一参考控制线和第二参考控制线，所述第一数据控制线、第一参考控制线和第二数据控制线、第二参考控制线分别位于所述字线的两侧。本专利技术还提供了一种闪存，所述闪存包括如上所述的存储器阵列。本专利技术还提供了一种存储器阵列的控制方法，所述存储器阵列的控制方法包括:通过对所述参考单元连接的参考控制线施加固定的参考电压，同时对所述存储单元连接的字线、位线和数据控制线分别施加不同的工作电压实现对所述存储单元的读取、编程和擦除操作；其中，所述参考电压的电压范围为-0.5V?0.5V。优选的，在所述的存储器阵列的控制方法中，所述参考控制线包括第一参考控制线和第二参考控制线，所述数据控制线包括第一数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器阵列，其特征在于，包括：若干条字线、若干条位线、若干条数据控制线、若干条参考控制线、若干列存储单元和至少一列参考单元；同一列的存储单元或参考单元均与相邻的两条位线连接，同一行的存储单元和参考单元共用一条字线，同一行的存储单元通过数据控制线相互连接，同一行的参考单元通过参考控制线相互连接；其中，所述数据控制线与所述参考控制线是断开的。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：顾靖，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31